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High-NA EUV光刻機入場,究竟有多強?
- 光刻機一直是半導體領域的一個熱門話題。從早期的深紫外光刻機(DUV)起步,其穩(wěn)定可靠的性能為半導體產業(yè)的發(fā)展奠定了堅實基礎;再到后來的極紫外光刻機(EUV)以其獨特的極紫外光源和更短的波長,成功將光刻精度推向了新的高度;再到如今的高數(shù)值孔徑光刻機(High-NA)正式登上歷史舞臺,進一步提升了光刻的精度和效率,為制造更小、更精密的芯片提供了可能。ASML 官網顯示,其組裝了兩個 TWINSCAN EXE:5000 高數(shù)值孔徑光刻系統(tǒng)。其中一個由 ASM 與 imec 合作開發(fā),將于 2024 年安裝在 A
- 關鍵字: High-NA EUV
ASML 新款 NXE:3800E EUV 光刻機引入部分 High-NA 機型技術
- 3 月 27 日消息,據荷蘭媒體 Bits&Chips 報道,ASML 官方確認新款 0.33NA EUV 光刻機 ——NXE:3800E 引入了部分 High-NA EUV 光刻機的技術,運行效率得以提升。根據IT之家之前報道,NXE:3800E 光刻機已于本月完成安裝,可實現(xiàn) 195 片晶圓的每小時吞吐量,相較以往機型的 160 片提升近 22%。下一代光刻技術 High-NA(高數(shù)值孔徑) EUV 采用了更寬的光錐,這意味著其在 EUV 反射鏡上的撞擊角度更寬,會導致影響晶圓吞吐量的光損失。
- 關鍵字: ASM NXE:3800E EUV 光刻機 High-NA
英特爾是否正在壟斷ASML HIGH NA光刻機?
- HIGH NA 無疑是打贏下一場比賽的重要籌碼。
- 關鍵字: 英特爾 ASML HIGH NA光刻機
英特爾拿下首套High-NA EUV,臺積電如何應對?
- 英特爾(intel)近日宣布,已經接收市場首套具有0.55數(shù)值孔徑(High-NA)的ASML極紫外(EUV)光刻機,預計在未來兩到三年內用于 intel 18A 工藝技術之后的制程節(jié)點。 相較之下,臺積電則采取更加謹慎的策略,業(yè)界預計臺積電可能要到A1.4制程,或者是2030年之后才會采用High-NA EUV光刻機。業(yè)界指出,至少在初期,High-NA EUV 的成本可能高于 Low-NA EUV,這也是臺積電暫時觀望的原因,臺積電更傾向于采用成本更低的成熟技術,以確保產品競爭力。Hig
- 關鍵字: 英特爾 High-NA EUV 臺積電
佳能押注納米壓印技術 價格比阿斯麥EUV光刻機“少一位數(shù)”
- 11月6日消息,日本佳能一直在投資納米壓印(Nano-imprint Lithography,NIL)這種新的芯片制造技術,并計劃將新型芯片制造設備的價格定在阿斯麥最好光刻機的很小一部分,從而在光刻機領域取得進展。納米壓印技術是極紫外光刻(EUV)技術的低成本替代品。佳能首席執(zhí)行官御手洗富士夫(Fujio Mitarai)表示,該公司最新的納米壓印技術將為小型芯片制造商生產先進芯片開辟出一條道路?!斑@款產品的價格將比阿斯麥的EUV少一位數(shù),”現(xiàn)年88歲的御手洗富士夫表示。這是他第三次擔任佳能總裁,上一次退
- 關鍵字: 佳能 納米 壓印技術 阿斯麥 EUV 光刻機
EUV光刻技術仍需克服的三個缺點
- 光刻技術是指在光照作用下,借助光致抗蝕劑(又名光刻膠)將掩膜版上的圖形轉移到基片上的技術。其主要過程為:首先紫外光通過掩膜版照射到附有一層光刻膠薄膜的基片表面,引起曝光區(qū)域的光刻膠發(fā)生化學反應;再通過顯影技術溶解去除曝光區(qū)域或未曝光區(qū)域的光刻膠(前者稱正性光刻膠,后者稱負性光刻膠),使掩膜版上的圖形被復制到光刻膠薄膜上;最后利用刻蝕技術將圖形轉移到基片上。想要了解光刻技術對半導體供需穩(wěn)定將會產生什么樣的影響,首先要了解的是大家經常聽到的 14 納米 DRAM、4 納米應用處理器等用語,要先說明納米是什么意
- 關鍵字: EUV
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