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使用半大馬士革工藝流程研究后段器件集成的工藝

  • ●? ?介紹隨著技術(shù)推進(jìn)到1.5nm及更先進(jìn)節(jié)點(diǎn),后段器件集成將會(huì)遇到新的難題,比如需要降低金屬間距和支持新的工藝流程。為了強(qiáng)化電阻電容性能、減小邊緣定位誤差,并實(shí)現(xiàn)具有挑戰(zhàn)性的制造工藝,需要進(jìn)行工藝調(diào)整。為應(yīng)對(duì)這些挑戰(zhàn),我們嘗試在1.5nm節(jié)點(diǎn)后段自對(duì)準(zhǔn)圖形化中使用半大馬士革方法。我們?cè)趇mec生產(chǎn)了一組新的后段器件集成掩膜版,以對(duì)單大馬士革和雙大馬士革進(jìn)行電性評(píng)估。新掩膜版的金屬間距分別為14nm、16nm、18nm、20nm和22nm,前兩類是1.5nm節(jié)點(diǎn)后段的最小目標(biāo)金屬間距
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蘋果承認(rèn)部分 iPhone 15 機(jī)型存在燒屏問題,iOS 17.1 將修復(fù)

  • 10 月 18 日消息,蘋果公司今天發(fā)布了 iOS 17.1 RC 版本更新,特別針對(duì)蘋果 iPhone 15、iPhone 15 Pro 系列機(jī)型,修復(fù)了“可能導(dǎo)致圖像殘留”的問題。蘋果自推出 iPhone 15 手機(jī)以來,陸續(xù)有用戶反饋稱新款機(jī)型出現(xiàn)嚴(yán)重?zé)羻栴}。有人猜測(cè)這可能是 OLED 顯示屏的硬件問題,現(xiàn)在蘋果通過軟件方式修復(fù)了燒屏問題。雖然大多數(shù)顯示問題的報(bào)告來自“iPhone 15”用戶,但也有一些使用 iPhone 13 Pro 和 iPhone 12 Pro 設(shè)備的用戶看到了類似的問題,
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大聯(lián)大友尚集團(tuán)推出基于onsemi產(chǎn)品的PD3.1電源適配器方案

  • 致力于亞太地區(qū)市場(chǎng)的國(guó)際領(lǐng)先半導(dǎo)體元器件分銷商---大聯(lián)大控股近日宣布,其旗下友尚推出基于安森美(onsemi)NCP1680、NCP13994、NCP4306和FAN65004芯片的PD3.1電源適配器方案。圖示1-大聯(lián)大友尚基于onsemi產(chǎn)品的PD3.1電源適配器方案的展示板圖隨著USB PD3.1協(xié)議的頒布,快充技術(shù)也迎來了新的時(shí)代。相比于之前主流的PD3.0標(biāo)準(zhǔn),PD3.1標(biāo)準(zhǔn)不僅新增28V、36V、48V三種拓展輸出電壓,還將最大輸出功率由100W提升至240W,這突破了現(xiàn)有的大功率使用場(chǎng)景,
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英特爾介紹酷睿 Ultra 第 1 代核顯:每瓦性能翻倍

  •  9 月 20 日消息,在今天舉辦的英特爾 ON 技術(shù)創(chuàng)新峰會(huì)上,英特爾介紹了酷睿 Ultra 第 1 代(代號(hào):Meteor Lake)的核顯升級(jí)。據(jù)介紹,英特爾全新的核顯從 Xe LP 升級(jí)到 Xe LPG,相較于上一代的 Iris Xe 核顯每瓦性能翻倍。此外,新一代核顯有更高的頻率,同等電壓下的頻率直接可以沖擊到 2GHz 以上。新核顯還針對(duì) DX12U 進(jìn)行了優(yōu)化,支持倍幀功能,支持新特性“Out of Order Sampling”。此外,英特爾還推出了全新的 Xe 媒體引擎,支持最
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貿(mào)澤開售適合LTE IoT 應(yīng)用的Digi XBee 3全球GNSS LTE CAT 1開發(fā)套件

  • 提供超豐富半導(dǎo)體和電子元器件?的業(yè)界知名新品引入 (NPI) 代理商貿(mào)澤電子 (Mouser Electronics) 即日起供貨Digi XBee? 3全球GNSS LTE CAT 1開發(fā)套件。該套件預(yù)裝了三個(gè)月的蜂窩數(shù)據(jù)服務(wù),已提前激活并可隨時(shí)使用。利用Digi XBee? 3全球LTE Cat 1嵌入式調(diào)制解調(diào)器,設(shè)計(jì)師可以省去耗時(shí)、昂貴的FCC和運(yùn)營(yíng)商終端設(shè)備認(rèn)證過程,將先進(jìn)的LTE蜂窩連接快速集成到其設(shè)備和應(yīng)用中。通過貿(mào)澤供應(yīng)的Digi XBee 3全球GNSS LTE CAT 1開發(fā)套件,用戶
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Bourns推出高壓二電極氣體放電管(GDT) 符合IEC 62368-1設(shè)備和電子線保護(hù)

  • 2023年8月14日 - 美國(guó)柏恩 Bourns 全球知名電源、保護(hù)和傳感解決方案電子組件領(lǐng)導(dǎo)制造供貨商,正式推出其新一代氣體放電管 (GDT) 產(chǎn)品線的最新成員,引入了高電壓雙極過壓保護(hù)器家族。Bourns? GDT28H 系列產(chǎn)品旨在滿足當(dāng)今通用工業(yè)用電力設(shè)備的保護(hù)需求,同時(shí)也應(yīng)對(duì)不斷增長(zhǎng)的能源需求電氣化解決方案的迫切需求,完全滿足消費(fèi)者和商業(yè)用途。隨著市面上眾多的電氣和電子設(shè)備均要求符合 IEC 62368-1 等電氣安全標(biāo)準(zhǔn),GDT28H 系列的顯著優(yōu)勢(shì)之一在于其適用于交流電隔離解決方案。這需要通
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如何將1-Wire主機(jī)復(fù)用到多個(gè)通道

  • 摘要具有許多1-Wire節(jié)點(diǎn)的1-Wire?網(wǎng)絡(luò)可能需要專用1-Wire通道。本文討論了一種在網(wǎng)絡(luò)中只使用一個(gè)1-Wire主機(jī)而擁有多個(gè)1-Wire通道的方法。?簡(jiǎn)介1-Wire網(wǎng)絡(luò)最初設(shè)計(jì)用于與單條1-Wire總線上的單個(gè)1-Wire主機(jī)和多個(gè)1-Wire節(jié)點(diǎn)進(jìn)行通信。對(duì)于1-Wire網(wǎng)絡(luò),理想的拓?fù)涫前恢匾种Ь€的線性拓?fù)?。然而,包含長(zhǎng)分支線的星形拓?fù)涑3J遣豢杀苊獾?,?dǎo)致確定有效限制的難度加大。解決這些難題的一種方法是利用模擬多路復(fù)用器(mux)將星形拓?fù)浞纸獬稍S多通道。使用多個(gè)通道的
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基于FPGA的8K分屏器設(shè)計(jì)

  • 設(shè)計(jì)了一款8k分屏器,主控采用FPGA芯片,支持一路HDMI2.1、8k、60 Hz信號(hào)輸入;支持4路HDMI2.0、4k、60 Hz信號(hào)輸出;分屏器支持將輸入的8k信號(hào)進(jìn)行“田”字型切片處理,輸出4路4k信號(hào),這4路4K信號(hào)的畫面拼接起來就是1幅完整的8k畫面。
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三星宣布開始量產(chǎn)其功耗最低的車載UFS 3.1存儲(chǔ)器解決方案

  • 今日,三星電子宣布,已開始量產(chǎn)為車載信息娛樂系統(tǒng)(IVI)優(yōu)化的全新車載UFS 3.1存儲(chǔ)器解決方案。該解決方案擁有三星車載存儲(chǔ)器最低的功耗,可助力汽車制造商為消費(fèi)者打造優(yōu)秀的出行體驗(yàn)。為滿足客戶的不同需求,三星的UFS 3.1(通用閃存)將推出128、256和512千兆字節(jié)(GB)三種容量。在未來的汽車(電動(dòng)汽車或自動(dòng)駕駛汽車)應(yīng)用中,增強(qiáng)的產(chǎn)品陣容能夠更有效地管理電池壽命。其中,256GB容量的產(chǎn)品,功耗較上一代產(chǎn)品降低了約33%,還提供了每秒700兆字節(jié)(MB/s)的順序?qū)懭胨俣群?000MB/
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凌陽與WiSA Technologies實(shí)現(xiàn)高達(dá)7.1.4的Atmos條形音箱應(yīng)用

  • 美國(guó)俄勒岡州比弗頓市 — 2023年6月15日 — 為智能設(shè)備和下一代家庭娛樂系統(tǒng)提供沉浸式無線聲效技術(shù)的領(lǐng)先供應(yīng)商WiSA Technologies股份有限公司(NASDAQ股票代碼:WISA),與領(lǐng)先的多媒體和汽車應(yīng)用芯片供應(yīng)商凌陽科技(Sunplus Technology Co., Ltd,TWSE股票代碼: 2401)聯(lián)合宣布,雙方將攜手面向Atmos條形音箱市場(chǎng)推出多聲道沉浸式音頻系統(tǒng)級(jí)芯片(SoC)?!拔覀兎浅8吲d與WiSA Technologies攜手
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高能效、小外形的240W USB PD3.1 EPR適配器的參考設(shè)計(jì)

  • 更大容量電池需具備相同或更快充電時(shí)間的趨勢(shì)正在加速USB-C PD采用更大的功率及更高的輸出電壓, USB PD組織發(fā)布了最新的USB PD3.1 EPR規(guī)范,使得最大的輸出達(dá)到48V 5A, 240W的功率。在設(shè)計(jì)USB PD適配器和充電器時(shí),要滿足COC V5 Tier2 等最新的能效標(biāo)準(zhǔn),并考慮小型化設(shè)計(jì)以配合移動(dòng)便攜式設(shè)備等輕薄短小但功能豐富多樣的趨勢(shì)。安森美(onsemi)最新推出的240 W圖騰柱PFC配合最新的高頻準(zhǔn)諧振 (QR)控制器所構(gòu)成的雙管反激變換器 USB PD3.1 EPR適配器
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Flex Power Modules將1/4磚型DC/DC轉(zhuǎn)換器的額定功率提升至1600W(連續(xù))、2320W(峰值)

  • Flex Power Modules,其1/4磚非隔離式DC/DC轉(zhuǎn)換器系列引入了一款新產(chǎn)品,可將功率密度提升至新的水平。這款BMR351具有40-60 V的輸入電壓范圍,并提供標(biāo)稱值為12.2 V的非隔離但完全穩(wěn)壓的輸出電壓。其額定輸出電流為連續(xù)136 A(最大1600 W),并可在長(zhǎng)達(dá)500 ms下輸出峰值電流200 A(最大2320 W)。該轉(zhuǎn)換器擁有極高的效率水平,峰值超過 98%,在54 Vin和半負(fù)載下的典型值為97.8%。BMR351轉(zhuǎn)換器使用下垂負(fù)載并聯(lián)技術(shù)以獲取更高功率,它還包含一個(gè)用于
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開始1-γ芯片制程開發(fā)?美光日本廠擬引入ASML光刻機(jī)

  • 知情人士稱,美國(guó)美光科技公司準(zhǔn)備在日本廣島的工廠安裝荷蘭ASML公司的先進(jìn)芯片制造設(shè)備EUV(極紫外光刻機(jī)),以制造下一代存儲(chǔ)芯片(DRAM)。而其也將獲得日本政府提供的約2000億日元(15億美元)的補(bǔ)貼。日本經(jīng)濟(jì)產(chǎn)業(yè)大臣西村康稔之后證實(shí)了美光在日的進(jìn)一步投資。他指出,日本政府正與臺(tái)積電討論擴(kuò)大在日投資的可能性,美光也有意在廣島開始大規(guī)模生產(chǎn)先進(jìn)存儲(chǔ)芯片。今日(周四),日本首相岸田文雄會(huì)見了美光首席執(zhí)行官Sanjay Mehrotra在內(nèi)的芯片高管代表團(tuán),而有關(guān)芯片的詳細(xì)計(jì)劃可能在之后陸續(xù)宣布。自201
  • 關(guān)鍵字: 1-γ  芯片制程  美光  ASML  光刻機(jī)  

強(qiáng)攻安卓高階市場(chǎng) SONY發(fā)表Xperia 1 V旗艦新機(jī)

  • Sony年度旗艦新機(jī)Xperia 1 V今日正式在臺(tái)推出,今年4月上任以來首次參與中國(guó)臺(tái)灣Xperia手機(jī)的上市發(fā)表的Sony Mobile中國(guó)臺(tái)灣區(qū)總經(jīng)理筒塩具隆 (Tomotaka Tsutsushio)表示,Xperia 1系列致力滿足安卓高階旗艦手機(jī)的市場(chǎng)需求,透過近年來集團(tuán)內(nèi)部的業(yè)務(wù)整合,Xperia 1系列歷代的產(chǎn)品設(shè)計(jì)和技術(shù)創(chuàng)新持續(xù)在拍照、錄像、游戲、音樂等領(lǐng)域帶給消費(fèi)者引領(lǐng)業(yè)界的全方位行動(dòng)娛樂產(chǎn)品。Xperia 1 V采用Sony集團(tuán)全新開發(fā)的雙層式架構(gòu)感光組件,同時(shí)整合Sony領(lǐng)先的相機(jī)
  • 關(guān)鍵字: 安卓  SONY  Xperia 1 V  

華為P60系列發(fā)布 雙星北斗衛(wèi)星消息+鴻蒙3.1

  • 3月23日消息,今天,華為發(fā)布了全新的P60系列以及最新一代折疊屏手機(jī)Mate X3。華為P60系列搭載了首創(chuàng)超聚光主攝,華為XMAGE,支持雙向北斗衛(wèi)星消息,并且首發(fā)搭載鴻蒙3.1系統(tǒng),售價(jià)4488元起。華為Mate X3售價(jià)12999元起。華為P60系列采用了全新的相機(jī)鏡頭布局,玲瓏四曲屏幕以及華為屏幕品牌臨境X-TRUE,同時(shí)搭載四曲昆侖玻璃,不僅支持120HZ自適應(yīng)動(dòng)態(tài)高刷屏幕,還是全球首款獲得德國(guó)菜茵TUV專業(yè)色準(zhǔn)雙重認(rèn)證的手機(jī)。華為P60系列帶來了翡冷翠、羽砂紫、羽砂黑、洛可可白四款時(shí)尚配色。
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