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IGBT單管數(shù)據(jù)手冊參數(shù)解析——下

  • IGBT是大家常用的開關(guān)功率器件，本文基于英飛凌單管IGBT的數(shù)據(jù)手冊，對手冊中的一些關(guān)鍵參數(shù)和圖表進行解釋說明，用戶可以了解各參數(shù)的背景信息，以便合理地使用IGBT。在上篇《IGBT單管數(shù)據(jù)手冊參數(shù)解析——上》中，我們介紹了IGBT的命名、最大額定值及靜態(tài)參數(shù)。今天我們介紹動態(tài)特性、開關(guān)特性及其它參數(shù)。4.動態(tài)特性●   輸入電容，輸出電容和反向傳輸電容Cies，Coes和Cres輸入電容Cies，是Cres同CGE之和，是設(shè)計驅(qū)動的一個關(guān)鍵參數(shù)。它在每個開關(guān)周期進行充電和放電，它定
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IGBT如何選擇，你真的了解嗎？

  • 最近，碳化硅 (SiC) 和氮化鎵 (GaN) 等寬禁帶半導(dǎo)體的應(yīng)用日益增多，受到廣泛關(guān)注。然而，在這些新技術(shù)出現(xiàn)之前，許多高功率應(yīng)用都是使用高效、可靠的絕緣柵雙極型晶體管 (IGBT)，事實上，許多此類應(yīng)用仍然適合繼續(xù)使用 IGBT。在本文中，我們介紹 IGBT 器件的結(jié)構(gòu)和運行，并列舉多種不同 IGBT 應(yīng)用的電路拓撲結(jié)構(gòu)，然后探討這種多用途可靠技術(shù)的新興拓撲結(jié)構(gòu)。IGBT 器件結(jié)構(gòu)簡而言之，IGBT 是由 4 個交替層 (P-N-P-N) 組成的功率半導(dǎo)體晶體管，通過施加于金屬氧化物半導(dǎo)體 (MOS
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國產(chǎn)IGBT，迎來大豐收

  • 根據(jù) IGBT 的產(chǎn)品分類來看，按照其封裝形式的不同，可分為 IGBT 分立器件、IPM 模塊和 IGBT 模塊。IGBT 分立器件主要應(yīng)用在小功率的家用電器、分布式光伏逆變器；IPM 模塊應(yīng)用于變頻空調(diào)、變頻洗衣機等白色家電產(chǎn)品；而 IGBT 模塊應(yīng)用于大功率變頻器、新能源車、集中式光伏等領(lǐng)域。根據(jù)工作環(huán)境的電壓不同，IGBT 可以分為低壓（600V 以下）、中壓（600V－1200V）、高壓（1700V－6500V）。一般低壓 IGBT 常用于變頻白色家電、新能源汽車零部件等領(lǐng)域；中壓 IGBT 常用
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Nexperia推出新款600V單管IGBT，可在電源應(yīng)用中實現(xiàn)出色效率

  • 為功率電子設(shè)計人員提供帶有全額快速恢復(fù)二極管的穩(wěn)健型175℃標(biāo)準(zhǔn)IGBT。
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TO263-7封裝的新1200V CoolSiC溝槽式MOSFET推動電動出行的發(fā)展

  • 【2023 年 7 月 3 日，德國慕尼黑訊】英飛凌推出采用TO263-7封裝的新一代車規(guī)級1200 V CoolSiC? MOSFET。這款新一代車規(guī)級碳化硅（SiC）MOSFET具有高功率密度和效率，能夠?qū)崿F(xiàn)雙向充電功能，并顯著降低了車載充電（OBC）和DC-DC應(yīng)用的系統(tǒng)成本。  相比第一代產(chǎn)品，1200 V CoolSiC系列的開關(guān)損耗降低了25%，具有同類最佳的開關(guān)性能。這種開關(guān)性能上的改進實現(xiàn)了高頻運行，縮小了系統(tǒng)尺寸并提高了功率密度。由于柵極-源極閾值電壓（VGS(th)
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深度剖析IGBT柵極驅(qū)動注意事項

  • IGBT晶體管的結(jié)構(gòu)要比 MOSFET 或雙極結(jié)型晶體管 (BJT) 復(fù)雜得多。它結(jié)合了這兩種器件的特點，并且有三個端子：一個柵極、一個集電極和一個發(fā)射極。就柵極驅(qū)動而言，該器件的行為類似于 MOSFET。它的載流路徑與 BJT 的集電極-發(fā)射極路徑非常相似。圖 1 顯示了 n 型 IGBT 的等效器件電路。圖 1. IGBT的等效電路圖 2. IGBT的導(dǎo)通電流為了快速導(dǎo)通和關(guān)斷 BJT，必須在每個方向上硬驅(qū)動?xùn)艠O電流，以將載流子移入和移出基極區(qū)。當(dāng) MOSFET 的柵極被驅(qū)動為高電平時，會存在一個從雙
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凌陽與WiSA Technologies實現(xiàn)高達7.1.4的Atmos條形音箱應(yīng)用

  • 美國俄勒岡州比弗頓市 — 2023年6月15日 — 為智能設(shè)備和下一代家庭娛樂系統(tǒng)提供沉浸式無線聲效技術(shù)的領(lǐng)先供應(yīng)商WiSA Technologies股份有限公司（NASDAQ股票代碼：WISA），與領(lǐng)先的多媒體和汽車應(yīng)用芯片供應(yīng)商凌陽科技（Sunplus Technology Co., Ltd，TWSE股票代碼: 2401）聯(lián)合宣布，雙方將攜手面向Atmos條形音箱市場推出多聲道沉浸式音頻系統(tǒng)級芯片（SoC）。“我們非常高興與WiSA Technologies攜手
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了解這些 就可以搞懂 IGBT

  • 絕緣柵雙極晶體管（IGBT, Insulated Gate Bipolar Transistor）是一種三端功率半導(dǎo)體器件，主要用作電子開關(guān)，在較新的器件中以結(jié)合高效和快速開關(guān)而聞名。IGBT通過在單個器件中組合用于控制輸入的隔離柵極FET和作為開關(guān)的雙極功率晶體管，將MOSFET的簡單柵極驅(qū)動特性與雙極晶體管的高電流和低飽和電壓能力相結(jié)合。IGBT用于中到大功率應(yīng)用，如開關(guān)電源、牽引電機控制和感應(yīng)加熱。圖1. IGBT 電路圖符號01 IGBT特點IGBT具有柵極、集電極、發(fā)射極3個引腳。柵極與MOSF
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1200V TRENCHSTOP IGBT7 H7單管性能分析及其在T型三電平拓撲中的應(yīng)用

  • 英飛凌TRENCHSTOP? IGBT7系列單管具有兩種電壓等級（650V&1200V）和三個系列（T7，S7，H7）。其中，H7系列單管針對光儲、UPS、EV charger、焊機等應(yīng)用進行了專門的優(yōu)化，并配備了全電流EC7 rapid二極管。憑借極低的開關(guān)損耗、導(dǎo)通損耗和豐富的產(chǎn)品系列，H7單管正在成為光伏和儲能應(yīng)用的新星。產(chǎn)品特點●  按照應(yīng)用需求去定義產(chǎn)品，去掉短路能力從而獲得更低的開關(guān)損耗和導(dǎo)通損耗，如圖1所示。完美適配于不需要短路能力的光儲等應(yīng)用?！?nbsp; 1200V
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針對電動馬達控制，在指定絕緣柵雙極晶體管 (IGBT) 時的考慮

  • 針對所有的應(yīng)用，人們越來越注意電動馬達的運作效率；因此，對高效率驅(qū)動器的需求變得日益重要。此外，使用馬達驅(qū)動的設(shè)計，例如電動馬達、泵和風(fēng)扇，需要降低整體成本，且需要減低這些電動馬達應(yīng)用中的能耗；因此，為電動馬達及其的驅(qū)動指定高效率的設(shè)計，以適合每項特定應(yīng)用變得更加重要。面對今日要求更高的電壓或更高的電流以及更低頻率的電動馬達驅(qū)動應(yīng)用，廣為人知且被廣泛使用的開關(guān)組件解決方案絕緣柵雙極晶體管 (IGBT) 即是一項絕佳的選擇。因為多數(shù)馬達在較低頻率運作，要求可靠的安全工作區(qū)（SOA）和短路額定值，且需要將效率
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投身車電領(lǐng)域的入門課：IGBT和SiC功率模塊

  • 2020 年初，疫情期間的封鎖政策并未對電動汽車行業(yè)造成太大影響。2021 年，由于疫情期間人們對電動汽車的需求上升，再加上全球各國政府紛紛采取激勵措施，電動汽車充電站的需求量開始增加。在過去的三年里，電動車領(lǐng)導(dǎo)品牌的銷量紛紛呈現(xiàn)巨幅成長的趨勢。 低成本、低排放汽車的不斷發(fā)展，將推動整個亞太地區(qū)的電動汽車市場實現(xiàn)穩(wěn)步擴張。同時，不斷加碼的政府激勵措施和持續(xù)擴張的高性能車市場也推動著北美和歐洲地區(qū)電動汽車市場的快速增長。因此，根據(jù)MarketsandMarkets 市調(diào)數(shù)據(jù)估計，全球電動汽車市場規(guī)模將從 2
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Wi-Fi 7以更快網(wǎng)絡(luò)效率 無縫連接未來無線市場

  • Wi-Fi 7是下一代Wi-Fi技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)，也被稱為IEEE 802.11be標(biāo)準(zhǔn)。它是對當(dāng)前Wi-Fi技術(shù)的進一步改進，目的在于提供更快的速度、更低的延遲和更好的網(wǎng)絡(luò)效能。Wi-Fi 7技術(shù)特點速度和頻譜效率Wi-Fi 7將提供更高的速度，比當(dāng)前的Wi-Fi 6快上數(shù)倍。Wi-Fi 7頻段的帶寬將達到320MHz，并將利用更多的無線頻譜來實現(xiàn)更高的速度和頻譜效率。MU-MIMO和OFDMAWi-Fi 7將繼續(xù)支持多用戶多輸入多輸出（MU-MIMO）和正交分頻多址（OFDMA）技術(shù)。MU-MIMO允許同時向
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英特爾發(fā)布首款支持PCIe 5.0和CXL功能的Agilex 7 FPGA R-Tile

  • 英特爾可編程解決方案事業(yè)部今日宣布，符合量產(chǎn)要求的英特爾Agilex? 7 R-tile正在批量交付。該設(shè)備是首款具備PCIe 5.0和CXL功能的FPGA，同時這款FPGA亦是唯一一款擁有支持上述接口所需的硬化知識產(chǎn)權(quán)（IP）的產(chǎn)品。英特爾公司副總裁兼可編程解決方案事業(yè)部總經(jīng)理Shannon Poulin表示："客戶需要尖端技術(shù)提供所需的可擴展性和定制化服務(wù)，這不僅可以有效地管理當(dāng)前的工作負載，同時能夠隨著其需求變化來調(diào)整功能。英特爾Agilex產(chǎn)品以客戶所需的速度、功耗和功能支持可編程創(chuàng)新，
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意法半導(dǎo)體發(fā)布靈活可變的隔離式降壓轉(zhuǎn)換器芯片

  • 2023 年 5月 16 日，中國 —— 意法半導(dǎo)體發(fā) L6983i 10W 隔離降壓 (iso-buck) 轉(zhuǎn)換器芯片具有能效高、尺寸緊湊，以及低靜態(tài)電流、3.5V-38V 寬輸入電壓等優(yōu)勢。L6983i適合需要隔離式 DC-DC 轉(zhuǎn)換器應(yīng)用，采用隔離降壓拓撲結(jié)構(gòu)，需要的外部組件比傳統(tǒng)隔離式反激式轉(zhuǎn)換器少，并且不需要光耦合器，從而節(jié)省了物料清單成本和 PCB面積。 L6983i 的其他優(yōu)勢包括 2μA 關(guān)斷電流，集成軟啟動時間可調(diào)、內(nèi)部環(huán)路補償、電源正常指示，以及過流保護、熱關(guān)斷等保護功能。擴
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IGBT模塊是如何失效的？

  • IGBT模塊主要由若干混聯(lián)的IGBT芯片構(gòu)成，個芯片之間通過鋁導(dǎo)線實現(xiàn)電氣連接。標(biāo)準(zhǔn)的IGBT封裝中，單個IGBT還會并有續(xù)流二極管，接著在芯片上方灌以大量的硅凝膠，用塑料殼封裝。1、IGBT模塊結(jié)構(gòu)IGBT模塊主要由若干混聯(lián)的IGBT芯片構(gòu)成，個芯片之間通過鋁導(dǎo)線實現(xiàn)電氣連接。標(biāo)準(zhǔn)的IGBT封裝中，單個IGBT還會并有續(xù)流二極管，接著在芯片上方灌以大量的硅凝膠，用塑料殼封裝，IGBT單元堆疊結(jié)構(gòu)如圖1-1所示。從上之下它依次由芯片，DBC（Directed Bonding Copper）以及金屬散熱板（
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