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吉利科技旗下晶能微電子自研首款車規(guī)級 IGBT 產(chǎn)品成功流片

  • IT之家 3 月 16 日消息，吉利科技旗下浙江晶能微電子近期宣布，其自主設(shè)計研發(fā)的首款車規(guī)級 IGBT 產(chǎn)品成功流片。新款芯片各項參數(shù)均達(dá)到設(shè)計要求。晶能自主研發(fā) IGBT 流片晶圓該款 IGBT 芯片采用第七代微溝槽柵和場截止技術(shù)，通過優(yōu)化表面結(jié)構(gòu)和 FS 結(jié)構(gòu)，兼具短路耐受同時實現(xiàn)更低的導(dǎo)通 / 開關(guān)損耗，功率密度增大約 35%，綜合性能指標(biāo)達(dá)到行業(yè)領(lǐng)先水平。晶能與晶圓代工廠深度綁定，采用工藝共創(chuàng)方式持續(xù)提升芯片性能。晶能表示，一輛典型的新能源汽車芯片用量超過 1200 顆。功率半導(dǎo)體占比接近 1/
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[向?qū)捊麕а葸M(jìn)]:您能跟上寬禁帶測試要求的步伐嗎?

  • _____碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)為代表的新一代寬禁帶(WBG)材料的使用度正變得越來越高。在電氣方面，這些物質(zhì)比硅和其他典型半導(dǎo)體材料更接近絕緣體。這些物質(zhì)的采用旨在克服硅的局限性，而這些局限性源自其是一種窄禁帶材料，所以會引發(fā)不良的導(dǎo)電性泄漏，且會隨著溫度、電壓或頻率的提高而變得更加明顯。這種泄漏的邏輯極限是不可控的導(dǎo)電率，相當(dāng)于半導(dǎo)體運行失效。在這兩種寬禁帶材料中，GaN主要適合中低檔功率實現(xiàn)方案，大約在1 kV和100 A以下。GaN的一個顯著增長領(lǐng)域是它在LED照明中的應(yīng)用，而且在汽車
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基于Infineon TC233LP+AIKW40N65DF5的3.3KW OBC方案

  • 隨著全球?qū)Νh(huán)保問題的重視，在汽車領(lǐng)域，新能源汽車肩負(fù)著構(gòu)建良好生態(tài)環(huán)境的目的和使命走在了前沿，汽車產(chǎn)業(yè)從不同技術(shù)路線探索環(huán)保之道。電動汽車是新能源汽車的主要技術(shù)路線之一，其核心部件車載充電機（OBC）經(jīng)過幾年的發(fā)展技術(shù)日益成熟。但高效可靠，易于控制，高性價比一直是各家方案商以及零部件供應(yīng)商持續(xù)追求的目標(biāo)。本方案是品佳集團聯(lián)合國內(nèi)高校共同設(shè)計，基于Infineon AURIX系列MCU開發(fā)的一套OBC方案。首次采用單片MCU完成原本DSP+MCU的運算任務(wù)，功率器件采用Infineon TRENCHSTOP
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如何通過改進(jìn)IGBT模塊布局來克服芯片縮小帶來的熱性能挑戰(zhàn)

  • 尺寸和功率往往看起來像是硬幣的兩面。當(dāng)你縮小尺寸時--這是我們行業(yè)中不斷強調(diào)的目標(biāo)之一--你不可避免地會降低功率。但情況一定是這樣嗎？如果將我們的思維從芯片轉(zhuǎn)移到模塊設(shè)計上，就不需要拋硬幣了。在IGBT模塊中，芯片面積減小導(dǎo)致了熱阻抗的增加，進(jìn)而影響性能。但是，由于較小的芯片在基板上釋放了更多的空間，因此有可能利用這些新的可用空間來優(yōu)化模塊的布局。在這篇文章中，我們將探討如何調(diào)整模塊設(shè)計來改善熱性能。下篇將探討如何改善電氣性能。作為參考，我們將使用采用TRENCHSTOP? IGBT 7技術(shù)的新型1200
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羅德與施瓦茨和博通擴大了對最新Wi-Fi 7接入點芯片組的測試合作

  • 羅德與施瓦茨和博通已經(jīng)成功驗證了R&S CMP180無線電通信測試儀與最新的Broadcom Wi-Fi 7接入點芯片組。R&S CMP180和Broadcom Wi-Fi 7設(shè)備的Wi-Fi 7測試設(shè)置演示將在巴塞羅那2023年世界移動通信大會上的羅德與施瓦茨展臺進(jìn)行。圖 R&S CMP180已成功對Broadcom Wi-Fi 7芯片組進(jìn)行了驗證羅德與施瓦茨和博通合作，使下一代Wi-Fi產(chǎn)品得以上市。兩家公司用R&S CMP180無線電通信測試儀成功驗證了最新的Broa
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英特爾推出Agilex 7 FPGA,搭載全新收發(fā)器打造業(yè)界領(lǐng)先的數(shù)據(jù)傳輸速度

  • 近日，英特爾發(fā)布了英特爾Agilex??7 FPGA F-Tile，并配備市場領(lǐng)先的現(xiàn)場可編程門陣列（FPGA）收發(fā)器1。在當(dāng)今以數(shù)據(jù)為中心的世界，該產(chǎn)品將幫助客戶在帶寬密集的領(lǐng)域應(yīng)對挑戰(zhàn)，包括數(shù)據(jù)中心和高速網(wǎng)絡(luò)。英特爾Agilex 7 FPGA F-Tile為嵌入式、網(wǎng)絡(luò)和云計算客戶而設(shè)計，是一個靈活的硬件解決方案，具有業(yè)界領(lǐng)先的收發(fā)器性能，提供高達(dá)116 Gbps和強化的400 GbE知識產(chǎn)權(quán)（IP）。英特爾公司副總裁兼可編程解決方案事業(yè)部總經(jīng)理Shannon Poulin表示：“英特爾Ag
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騰達(dá)發(fā)布首款Wi-Fi 7信號放大器：三頻9.4Gbps

  • 日前，在CES2023上，騰達(dá)帶來了一款Wi-Fi 7信號放大器——騰達(dá)BE9400。騰達(dá)BE9400三頻Wi-Fi 7信號放大器搭載4根天線，支持三頻Wi-Fi 7，三頻總速率可達(dá)9.4Gbps。三頻速率分別為：6GHz：5764Mbps5GHz: 2882Mbps2.4GHz: 688Mbps這款Wi-Fi 7信號放大器搭載四核博通處理器，頻率2.6GHz，專為復(fù)雜家居環(huán)境而生打造。官方稱，在Wi-Fi 7與博通2.6GHz頂級CPU的加持下，即使是家庭中因位置遠(yuǎn)、阻隔多、Wi-Fi損耗大產(chǎn)生的難題，
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高通在MWC巴塞羅那展示領(lǐng)先的Wi-Fi 7發(fā)展勢頭

  • 隨著Wi-Fi 7時代的到來，全球領(lǐng)先的無線科技創(chuàng)新者高通技術(shù)公司已再次做好準(zhǔn)備，與全球生態(tài)系統(tǒng)合作伙伴攜手推動下一代 Wi-Fi技術(shù)的演進(jìn)。在Wi-Fi技術(shù)領(lǐng)域擁有25年的專長和積累，高通成為Wi-Fi領(lǐng)域排名第一的半導(dǎo)體公司1（基于出貨量統(tǒng)計），Wi-Fi產(chǎn)品出貨量超過65億2。目前，高通已獲得超過175款Wi-Fi 7客戶終端設(shè)計，覆蓋豐富的終端品類，包括幾乎所有已發(fā)布或正在開發(fā)中的、采用旗艦級第二代驍龍8移動平臺的終端?；谠赪i-Fi 6/6E方面的強大領(lǐng)導(dǎo)力高通在Wi-Fi領(lǐng)域的成功絕非偶然。
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一文搞懂IGBT的損耗與結(jié)溫計算

  • 與大多數(shù)功率半導(dǎo)體相比，IGBT 通常需要更復(fù)雜的一組計算來確定芯片溫度。這是因為大多數(shù) IGBT 都采用一體式封裝，同一封裝中同時包含 IGBT 和二極管芯片。為了知道每個芯片的溫度，有必要知道每個芯片的功耗、頻率、θ 和交互作用系數(shù)。還需要知道每個器件的 θ 及其交互作用的 psi 值。本應(yīng)用筆記將簡單說明如何測量功耗并計算二極管和 IGBT 芯片的溫升。損耗組成部分根據(jù)電路拓?fù)浜凸ぷ鳁l件，兩個芯片之間的功率損耗可能會有很大差異。IGBT 的損耗可以分解為導(dǎo)通損耗和開關(guān)（開通和關(guān)斷）損耗，而二極管損耗
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為什么逆導(dǎo)型IGBT可以用于大功率CCM模式 PFC電路

  • 對于功率因數(shù)校正（PFC），通常使用升壓轉(zhuǎn)換器Boost拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)。它可以最大限度地減少輸入電流的諧波。同時IGBT是大功率PFC應(yīng)用的最佳選擇，如空調(diào)、加熱、通風(fēng)和空調(diào)（HVAC）以及熱泵。理論上，在連續(xù)導(dǎo)通模式（CCM）下，通過IGBT反向續(xù)流永遠(yuǎn)不會發(fā)生。然而，在輕負(fù)載或瞬態(tài)條件下，由于升壓電感Lboost和IGBT的輸出電容Coss之間的共振，會有反向電流流過。這個諧振電流，iQN(t)是由以下公式給出的。諧振期間IGBT兩端的電壓（VCE）可以得出：當(dāng)輸入電壓Vin低于輸出電壓的一半時（Vin&l
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雷軍解讀Wi-Fi 7：手機行業(yè)巨大升級，更高速、更穩(wěn)定、更低延時

  • IT之家 2 月 6 日消息，小米今日宣布小米 13 系列、Redmi K60 Pro、小米萬兆路由器即將升級全新一代 Wi-Fi 7。對此，小米創(chuàng)辦人、董事長兼 CEO 雷軍發(fā)文表示，Wi-Fi 7 在多項技術(shù)加持下，實現(xiàn)更高速、更穩(wěn)定、更低延時、更廣覆蓋的全面變強，是手機行業(yè)的一次巨大升級，也讓用戶能體驗到劃時代的全新 Wi-Fi 體驗。據(jù)介紹，Wi-Fi 7 上引入了全新的 MLO（Multi-Link Operation）芯片級多路連接技術(shù)，手機可以一次選兩條信號通道，同時高速傳輸數(shù)據(jù)。IT之家了
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如何手動計算IGBT的損耗

  • 現(xiàn)今隨著高端測試儀器和仿真軟件的普及，大部分的損耗計算都可以使用工具自動完成，節(jié)省了不少精力，不得不說這對工程師來說是一種解放，但是這些工具就像黑盒子，好學(xué)的小伙伴總想知道工作機理。其實基礎(chǔ)都是大家學(xué)過的基本高等數(shù)學(xué)知識。今天作者就幫大家打開這個黑盒子，詳細(xì)介紹一下IGBT損耗計算方法同時一起復(fù)習(xí)一下高等數(shù)學(xué)知識。我們先來看一個IGBT的完整工作波形：IGBT的損耗可以分為開關(guān)損耗和導(dǎo)通損耗，其中開關(guān)損耗又分為開通和關(guān)斷兩部分，下面我分別來看一下各部分的計算推導(dǎo)過程。開關(guān)損耗-開通部分我們先來看一下理想的
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功率器件：新能源產(chǎn)業(yè)的“芯”臟

  • 功率半導(dǎo)體器件，也稱為電力電子器件，主要用于電力設(shè)備的電能變換和控制電路方面大功率的電子器件。逆變（直流轉(zhuǎn)換成交流）、整流（交流轉(zhuǎn)換成直流）、斬波（直流升降壓）、變頻（交流之間轉(zhuǎn)換）是基本的電能轉(zhuǎn)換方式。MOSFET 和 IGBT 是主流的功率分立器件。一 新能源汽車是功率器件增量需求主要來源01 下游應(yīng)用領(lǐng)域廣泛，新能源汽車為主作為電能轉(zhuǎn)化和電路控制的核心器件，功率器件下游應(yīng)用十分廣泛，包括新能源（風(fēng)電、光伏、儲能和電動汽車）、消費電子、智能電網(wǎng)、軌道交通等，根據(jù)每個細(xì)分領(lǐng)域性能要求
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瑞薩電子推出新型柵極驅(qū)動IC 用于驅(qū)動EV逆變器的IGBT和SiC MOSFET

  • 全球半導(dǎo)體解決方案供應(yīng)商瑞薩電子（TSE：6723）近日宣布，推出一款全新柵極驅(qū)動IC——RAJ2930004AGM，用于驅(qū)動電動汽車（EV）逆變器的IGBT（絕緣柵雙極型晶體管）和SiC（碳化硅）MOSFET等高壓功率器件。柵極驅(qū)動IC作為電動汽車逆變器的重要組成部分，在逆變器控制MCU，及向逆變器供電的IGBT和SiC MOSFET間提供接口。它們在低壓域接收來自MCU的控制信號，并將這些信號傳遞至高壓域，快速開啟和關(guān)閉功率器件。為適應(yīng)電動車輛電池的更高電壓，RAJ2930004AGM內(nèi)置3.75kV
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別了！Win7/8.1將于本周徹底退出歷史舞臺

  • 按計劃， 本周二（1月10日），Windows 7操作系統(tǒng)將結(jié)束ESU（付費外延擴展支持），也就是對于企業(yè)用戶來說，即便是想再掏錢，微軟也不會再下發(fā)安全補丁了。微軟建議用戶盡快升級到Windows 10或者Windows 11系統(tǒng)，雖然口頭上說要購買，但如果有正版密鑰的話，更新到Win10/11仍舊是免費。與此同時，Windows 8.1也進(jìn)入EOL，和Win7不同的是，雖然Win8.1更年輕，但微軟并不會推出ESU服務(wù)。換言之，兩套操作系統(tǒng)明天起將徹底退出歷史舞臺。微軟還善意提醒，Window
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