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一種電動汽車能量回饋下IGBT保護策略優(yōu)化及驗證

  •   舒 暉(奇瑞新能源汽車股份有限公司,安徽 蕪湖 241002)  摘 要:針對電動汽車在能量回饋時,動力電池高壓繼電器異常斷開的特殊工況下,提出了一種IGBT保護策略優(yōu)化方案,快速檢測因動力電池瞬斷產生的尖峰電壓,觸發(fā)保護機制保護IGBT模塊。本文通過臺架實驗對比了方案優(yōu)化前后的尖峰電壓值,最終通過實車驗證了該方案的可行性。結果表明,優(yōu)化后的保護策略能更快地檢測到抬升的母線電壓,觸發(fā)保護機制,停止IGBT工作,降低IGBT模塊損壞的風險。  關鍵詞:電動汽車;能量回饋;IGBT  0 引言  傳統(tǒng)汽車
  • 關鍵字: 202007  電動汽車  能量回饋  IGBT  

一文看懂蘋果WWDC20:iOS 14更好玩,可Intel要哭瞎了

  • 6月23日消息,蘋果于今夜凌晨1點如約帶來了WWDC20全球開發(fā)者大會的開幕演講,由于受到今年疫情的影響,蘋果也是33年來首次將WWDC開幕演講改為線上舉行。有別于國內友商的云直播,蘋果這次采用的是提前錄制好的視頻在官網(wǎng)進行播出。熬夜看完的小伙伴一定被蘋果這高質量的視頻所深深吸引,不亞于你在電影院觀看一部好萊塢大片帶來的視覺盛宴,無論是拍攝手法、視頻清晰度還是場景切換都做得異常生動,同時還與這次活動的核心發(fā)布內容完美結合。按照慣例,蘋果這次還是重點更新發(fā)布iOS 14、全新iPadOS、macOS Big
  • 關鍵字: 蘋果  開發(fā)者大會  WWDC  iOS 14  iPadOS  macOS Big Sur  watchOS 7  ARM Mac    

新基建驅動電力電源變革,ST祭出一攬子解決方案

  • 我國正在大力進行新基建,工業(yè)物聯(lián)網(wǎng)、汽車充電樁、5G手機等對電力與電源提出了更高的能效要求。與此同時,SiC、GaN等第三代半導體材料風生水起,奠定了堅實的發(fā)展基礎。充電樁、工業(yè)物聯(lián)網(wǎng)、手機需要哪些新電力與電源器件?近日,ST(意法半導體)亞太區(qū)功率分立器件和模擬產品部區(qū)域營銷及應用副總裁Francesco MUGGERI接受了電子產品世界記者的采訪,分享了對工業(yè)市場的預測,并介紹了ST的新產品。ST亞太區(qū) 功率分立器件和模擬產品部 區(qū)域營銷及應用副總裁 Francesco MUGGERI1 工業(yè)電源市場
  • 關鍵字: 電源  SiC  IGBT  GaN  

使用碳化硅MOSFET提升工業(yè)驅動器的能源效率

  • 本文將強調出無論就能源效率、散熱片尺寸或節(jié)省成本方面來看,工業(yè)傳動不用硅基(Si)絕緣柵雙極電晶體(IGBT)而改用碳化硅MOSFET有哪些優(yōu)點。摘要由于電動馬達佔工業(yè)大部分的耗電量,工業(yè)傳動的能源效率成為一大關鍵挑戰(zhàn)。因此,半導體製造商必須花費大量心神,來強化轉換器階段所使用功率元件之效能。意法半導體(ST)最新的碳化硅金屬氧化物半導體場效電晶體(SiC MOSFET)技術,為電力切換領域立下全新的效能標準。1.導言目前工業(yè)傳動通常採用一般所熟知的硅基IGBT反相器(inverter),但最近開發(fā)的碳化
  • 關鍵字: MOSEFT  FWD  ST  IGBT  

美國封殺華為 臺積電很受傷 7/5nm投資下降70億美元

  • 華為是臺積電的第二大客戶,2019年貢獻了14%的營收,很快就可能超過蘋果成為第一大客戶。不過美國5月份宣布新一輪政策,直接打壓華為,這也讓臺積電很受傷,分析師稱2020到2021年臺積電預計會下調70億美元的資本開支。根據(jù)里昂證券亞洲科技產業(yè)部門研究主管侯明孝的分析,5月份臺積電就有客戶開始下調訂單量了,預計5nm工藝產能比預定目標減少1-1.5萬片晶圓./月,7nm產能減少1-2萬片晶圓/月,2020到2021兩年里合計減少50-70億美元的資本開支。不僅客戶訂單減少,臺積電也延緩了與設備供應商之間的
  • 關鍵字: 臺積電  7/5nm  

東芝推出600V小型智能功率器件,助力降低電機功率損耗

  • 東芝電子元件及存儲裝置株式會社(“東芝”)今日宣布,推出型號為“TPD4162F”的高壓智能功率器件(IPD)。該器件采用小型表面貼裝封裝,設計用于空調、空氣凈化器和泵等產品中的電機驅動。并計劃于今日開始出貨。TPD4162F采用新工藝制造,與東芝當前的IPD產品TPD4152F相比可降低功率損耗約10%[1]。這有助于為集成該器件的設備降低總體功率損耗。TPD4162F具有各種控制電路[2]、輸出級安裝了IGBT和FRD。其支持從霍爾傳感器或者霍爾IC直接驅動帶方波輸入信號的無刷直流電機,無需PWM控制
  • 關鍵字: IPD  IGBT  IC  

華為云和7-Network助力新加坡中小企業(yè)應對疫情

  • 新加坡企業(yè)解決方案公司7-Network與華為云共同提供旗艦產品JET Workflow無代碼開發(fā)平臺,免費提供給本地中小型企業(yè),以幫助他們自動化并迅速應對疫情。該站點在必要時提供用于訪客記錄和聯(lián)系人跟蹤的即用型表單,以及用于員工體溫監(jiān)測和疾病報告的系統(tǒng)。華為云正在與新加坡的生態(tài)系統(tǒng)合作伙伴合作,提供一系列可供所有人使用的數(shù)字解決方案,以及時響應當?shù)刂行∑髽I(yè)保護其員工和企業(yè)的需求。JET Workflow已被列為可供公司采用以幫助應對COVID-19爆發(fā)的業(yè)務運營數(shù)字解決方案包之一。
  • 關鍵字: 華為云  7-Network  

東芝面向中大電流IGBT/MOSFET 推出內置保護功能的光耦

  • 東芝電子元件及存儲裝置株式會社(“東芝”)近日宣布,推出“TLP5231”,這是一款面向中大電流絕緣柵雙極型晶體管(IGBT)和MOSFET的預驅動光耦,適用于工業(yè)逆變器和光伏(PV)的功率調節(jié)系統(tǒng)。這款全新的預驅動光耦內置多種功能[1],其中包括通過監(jiān)控集電極電壓實現(xiàn)過流檢測。產品于今日起開始出貨。新型預驅動光耦使用外部P溝道和N溝道互補的MOSFET作為緩沖器,來控制中大電流IGBT和MOSFET。目前現(xiàn)有產品[2]需要使用雙極型晶體管構成的緩沖電路來實現(xiàn)電流放大,這會在工作中消耗基極電流。新產品能夠
  • 關鍵字: IGBT  MOSEFT  

Power Integrations出爐簡單易用的SCALE-2即插即用型門極驅動器,適用于壓接式IGBT模塊

  • 中高壓逆變器應用領域門極驅動器技術的創(chuàng)新者Power Integrations近日推出1SP0351?SCALE-2?單通道+15/-10V即插即用型門極驅動器,新產品專為東芝、Westcode和ABB等廠商的新款4500V壓接式IGBT (PPI)模塊而開發(fā)。新的門極驅動器基于Power Integrations廣泛使用的SCALE-2芯片組設計而成,非常適合HVDC VSC、STATCOM/FACTS和MVD等高可靠性應用。1SP0351驅動器裝備了動態(tài)高級有源鉗位功能(DAAC)、短路保護
  • 關鍵字: 門極驅動器  IGBT  

工業(yè)電機用功率半導體的動向

  • Steven?Shackell? (安森美半導體?工業(yè)業(yè)務拓展經(jīng)理)摘? 要:電動工具用電機正從有刷直流(BDC)轉向無刷直流(BLDC)電機;工業(yè)電機需要更高能效的電機,同時 需要強固和高質量。安森美以領先的MOSFET、IPM和新的TM-PIM系列賦能和應對這些轉變帶來的商機。 關鍵詞:電機;電動工具;MOSFET;工業(yè);IGBT;IPM安森美半導體提供全面的電機產品系列,尤其是功 率半導體方面。安森美半導體因來自所有電機類型的 商機感到興奮,并非??春脽o刷直流電機(BLDC)應用 (例如電動工具),
  • 關鍵字: 202003  電機  電動工具  MOSFET  工業(yè)  IGBT  IPM  

全力以赴抗疫情 開足馬力促生產——華虹二廠投入再創(chuàng)新高

  • 基于國內外大客戶對高端功率半導體器件的旺盛需求,特別是超級結產品(SJ)和絕緣柵雙極型器件(IGBT)的應用,華虹集團旗下華虹二廠在2020年1月的投入再創(chuàng)新高,光刻層數(shù)達到了48萬!生產線在年度動力檢修后已滿負荷運行,在1月也取得了出貨6.12萬片晶圓的佳績!
  • 關鍵字: 半導體  IGBT  SJ  華虹  

部分Win7用戶遭遇壁紙黑屏問題:疑與終場補丁有關

  • 前不久,Windows 7正式退役,微軟結束了對這套11年前推出操作系統(tǒng)的免費更新和安全補丁支持。盡管微軟強烈建議用戶升級到Win10或者換用預裝Win10的新PC,可同時強調,Win7依然可以正常使用,只是時不時地會被微軟彈出全屏“勸退”廣告騷擾之。圖為全屏“勸退”通知本來這已經(jīng)夠讓人討厭了,沒想到還有更狠的。據(jù)網(wǎng)友反饋,打上KB4534310、KB4534314最后兩個安全補丁的Win7系統(tǒng),遭遇了黑屏問題,不過是單純的壁紙變黑。詭異的是,那些使用組策略改壁紙的用戶同樣受到波及。測試顯示,卸載KB45
  • 關鍵字: 微軟  Windows 7  

關于半橋電路中抗dv/dt噪聲干擾的安全工作區(qū)分析及其解決方案

  •   王定良(電子科技大學 電子科學與工程學院,四川 成都 610054)  摘? 要:作為電機驅動電路的智能功率模塊(IPM)正變得越來越重要,但是越來越快的開關速度,可能會引起IPM模塊中的IGBT的誤觸發(fā)。另外,過高的dV/dt也會在IGBT關斷狀態(tài)下產生雪崩擊穿。本文結合半橋電路的寄生參數(shù)模型,完善傳統(tǒng)公式的推導。基于對公式與IGBT擎住現(xiàn)象的分析,并結合IGBT的安全工作區(qū)提出了一種根據(jù)dv/dt的大小來動態(tài)擴展IGBT安全工作區(qū)的電路結構,改善了傳統(tǒng)半橋電路工作時的可靠性?! £P鍵詞:IGBT;
  • 關鍵字: 202002  IGBT  誤觸發(fā)  dV/dt  可靠性  

東芝面向電壓諧振電路推出新款分立IGBT,有助于降低功耗并簡化設備設計

  • 東芝電子元件及存儲裝置株式會社(“東芝”)近日宣布,推出“GT20N135SRA”,這是一款用于桌面電磁爐、電飯煲、微波爐等家用電器電壓諧振電路的1350V分立IGBT。該產品于今日起開始出貨。?GT20N135SRA產品圖GT20N135SRA的集電極-發(fā)射極的飽和電壓[1]為1.75V,二極管正向電壓[2]為1.8V,分別比東芝當前產品[3]低10%和21%。IGBT和二極管都針對高溫(TC=100℃)條件下的導通損耗特性進行了改進,而且新款IGBT還有助于降低設備功耗。該產品的結殼熱阻為0
  • 關鍵字: IGBT  分立  

CISSOID與國芯科技簽署戰(zhàn)略合作協(xié)議

  • 各行業(yè)所需高溫半導體解決方案的領導者CISSOID近日宣布:在湖南株洲舉行的中國IGBT技術創(chuàng)新與產業(yè)聯(lián)盟第五屆國際學術論壇上,公司與湖南國芯半導體科技有限公司(簡稱“國芯科技”)簽署了戰(zhàn)略合作協(xié)議,將攜手開展寬禁帶功率技術的研究開發(fā),充分發(fā)揮其耐高溫、耐高壓、高能量密度、高效率等優(yōu)勢,并推動其在眾多領域實現(xiàn)廣泛應用。近年來,寬禁帶半導體功率器件(如碳化硅SiC和氮化鎵GaN等)憑借多方面的性能優(yōu)勢,在航空航天、電力傳輸、軌道交通、新能源汽車、智能家電、通信等領域開始逐漸取代傳統(tǒng)硅器件。然而,在各類應用中
  • 關鍵字: IGBT  SiC  GaN  
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