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EEPW首頁 >> 主題列表 >> igbt fs7

士蘭微擬1.35億元組建功率模塊生產(chǎn)線項目

  • 　　士蘭微擬同意在子公司士蘭集成內(nèi)組建多芯片高壓功率模塊制造生產(chǎn)線，計劃從2010年起在未來的2--3年內(nèi)安排投資13,500萬元，其中2010年投資2,500萬元。 　　士蘭微7月29日發(fā)布公告稱，公司第四屆董事會第九次會議審議通過《關(guān)于控股子公司組建功率模塊生產(chǎn)線項目的議案》。 　　多芯片高壓功率模塊組件因其具有較高的功率密度和可靠性、較高的集成度、安裝使用便捷等優(yōu)點，而越來越受到市場的關(guān)注，應(yīng)用的領(lǐng)域也越來越廣。目前采用芯片設(shè)計與制造一體化運行的士蘭微電子，通過芯片設(shè)計、器件結(jié)構(gòu)開發(fā)、工藝開發(fā)等
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Infineon EconoDUAL3 600A1200V汽車驅(qū)動方案

  • Infineon 公司的EconoDUAL 3模塊是600A/1200V的IGBT,主要的典型應(yīng)用包括自動驅(qū)動系統(tǒng)的頻率變換器,光伏電壓系統(tǒng)的中央逆變器,汽車柴油發(fā)動機驅(qū)動器(CAV),同等封裝尺寸,可增加功率30%.本文介紹EconoDUAL 3模塊主要特性,典型應(yīng)用電路以及EconoDUAL?3模塊驅(qū)動板主要特性,評估板電路,以及IGBT各種驅(qū)動電路和驅(qū)動板材料清單(BOM). The new EconoDUAL 3 module with the designation FF600
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力挺新能源應(yīng)用 中國IGBT企業(yè)可另辟蹊徑

  • 　　【 導(dǎo)讀：在新能源領(lǐng)域的大多數(shù)功率變換裝置中，IGBT(絕緣柵雙極型晶體管)是最為重要的器件，與歐洲、日本和美國相比，中國在該領(lǐng)域還相對落后，盡管國內(nèi)也有一些企業(yè)和科研機構(gòu)在進行研發(fā)，但產(chǎn)業(yè)化進程緩慢，技術(shù)上也落后于國外。】 　　今年6月，功率半導(dǎo)體業(yè)界的盛會“PCIMChina2010”在上海光大會展中心舉行，國內(nèi)外知名功率半導(dǎo)體廠商向與會觀眾展示了各自推出的新產(chǎn)品和眾多高能效解決方案。記者觀察到，功率半導(dǎo)體在新能源領(lǐng)域的應(yīng)用成為本屆展會的熱點，而中國功率器件產(chǎn)業(yè)的未來發(fā)展
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IGBT助變頻器實現(xiàn)高效能低損耗

  • 　　·隨著IGBT升級換代，變頻器性能不斷提高，體積不斷減小。 　　·三菱電機在功率半導(dǎo)體領(lǐng)域的一個很大的優(yōu)勢就是貼近系統(tǒng)用戶。 　　日本從上世紀(jì)80年代開始使用工業(yè)用的變頻器，還有家庭用的變頻空調(diào)，在市場上變頻技術(shù)得到了很快的發(fā)展。最初變頻器都用晶閘管，但是后來出現(xiàn)了用在變頻器上的IGBT。通過使用IGBT，功率損耗大幅降低。同時，經(jīng)過25年的發(fā)展，出現(xiàn)了各種各樣的研究開發(fā)成果，目前三菱電機的IGBT芯片已經(jīng)發(fā)展到第6代?？梢耘e一個直觀的例子來說明IGBT的發(fā)展水平：如果
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基于矩陣變換器IGBT的集中式過流保護電路設(shè)計

  • 摘要：分別針對矩陣變換器的整流級和逆變級IGBT的過流現(xiàn)象進行了討論，提出了一種新的集中式過流保護電路的設(shè)計方式。該方式可確保IGBT在短路情況下及時被關(guān)斷，從而安全穩(wěn)定地運行。試驗結(jié)果表明：新的集中式過流保
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功率半導(dǎo)體行業(yè)的春天

  • 　　功率半導(dǎo)體下游需求旺盛，發(fā)展前景看好。隨著全球經(jīng)濟復(fù)蘇勢頭增強，iSuppli公司預(yù)測2010年半導(dǎo)體市場營業(yè)收入為2833億美元，增長率達到23.2%. 　　MOSFET市場前景廣闊。2007年全球MOSFET的銷售額大約為52.89億美元，MOSFET的銷售額占全部功率半導(dǎo)體的比重大約為20%,MOSFET主要應(yīng)用于消費電子、計算機、工業(yè)控制、網(wǎng)絡(luò)通信、汽車電子和電力設(shè)備六大領(lǐng)域。 　　IGBT:節(jié)能減排的先鋒。2007年全球IGBT的銷售額大約為31.36億美元，IGBT的銷售額占全部功率半
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新型IGBT軟開關(guān)在應(yīng)用中的損耗

  • 本文介紹了集成續(xù)流二極管(FWD)的1200V RC-IGBT，并將探討面向軟開關(guān)應(yīng)用的1,200V逆導(dǎo)型IGBT所取得的重大技術(shù)進步。IGBT技術(shù)進步主要體現(xiàn)在兩個方面：通過采用和改進溝槽柵來優(yōu)化垂直方向載流子濃度，以及利用“場終
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功率半導(dǎo)體下游需求旺盛 前景看好

  • 　　功率半導(dǎo)體下游需求旺盛，發(fā)展前景看好。隨著全球經(jīng)濟復(fù)蘇勢頭增強，iSuppli公司預(yù)測2010年半導(dǎo)體市場營業(yè)收入為 2833億美元，增長率達到23.2%。 　　MOSFET市場前景廣闊。2007年全球MOSFET的銷售額大約為52.89億美元，MOSFET的銷售額占全部功率半導(dǎo)體的比重大約為20%，MOSFET主要應(yīng)用于消費電子、計算機、工業(yè)控制、網(wǎng)絡(luò)通信、汽車電子和電力設(shè)備六大領(lǐng)域。 　　IGBT:節(jié)能減排的先鋒。2007年全球IGBT的銷售額大約為31.36億美元，IGBT的銷售額占全部功率
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中國南車成立海外半導(dǎo)體研發(fā)中心

  • 　　近日，中國南車在英國林肯丹尼克斯公司成立了半導(dǎo)體研發(fā)中心，并舉行了丹尼克斯第一期六英寸IGBT芯片線開通儀式，為實現(xiàn)功率半導(dǎo)體器件世界第一的戰(zhàn)略目標(biāo)奠定了更加堅實的基礎(chǔ)。 　　中國南車2008年10月成功收購了丹尼克斯半導(dǎo)體公司，獲得了戰(zhàn)略性資源，與中國南車現(xiàn)有功率半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)形成優(yōu)勢互補。為尋求更大發(fā)展，南車確立了功率半導(dǎo)體器件世界第一的戰(zhàn)略目標(biāo)，于2009年底成功完成丹尼克斯公司的再融資，進一步加大對功率半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的投資，著力提升六英寸IGBT芯片的生產(chǎn)能力;同時建立世界水平的功率半導(dǎo)體研發(fā)中心，
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汽車級IGBT在混合動力車中的設(shè)計應(yīng)用

  • 針對汽車功率模塊需求，英飛凌通過增強IGBT的功率循環(huán)和溫度循環(huán)特性，并增加IGBT結(jié)構(gòu)強度，大大提高了IGBT的壽命預(yù)期。





    混合動力車輛中功率半導(dǎo)體模塊的要求

    工作環(huán)境惡劣(高溫、振動)

    IGBT位于逆
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英飛凌推出第三代高速600V和1200V IGBT打破開關(guān)和效率界限

  • 　　英飛凌科技股份公司近日推出600 V和1200V高速3(第三代)IGBT產(chǎn)品系列。該系列經(jīng)過優(yōu)化，適用于高頻和硬開關(guān)應(yīng)用，在降低開關(guān)損耗、實現(xiàn)出類拔萃的效率方面，樹立了行業(yè)新標(biāo)桿，并可滿足開關(guān)頻率高達100 kHz的應(yīng)用需求。 　　近年來，各種產(chǎn)品對分立式IGBT的需求促使設(shè)計者尋求具備優(yōu)化特性的IGBT，比如開關(guān)和通態(tài)損耗優(yōu)化，以期充分發(fā)揮產(chǎn)品的性能。英飛凌的全新600 V 和1200 V高速3系列IGBT可適用于電焊機、太陽能逆變器、開關(guān)電源和不間斷電源(SMPS 和UPS)等高頻應(yīng)用，幫助最大
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英飛凌推出新款緊湊式IGBT模塊PrimePACK 3和EconoDUAL 3

  • 　　英飛凌科技股份公司近日在紐倫堡舉行的2010 PCIM歐洲展會(2010年5月4日至6日)上，推出了專為實現(xiàn)最高功率密度和可靠性而設(shè)計的新款I(lǐng)GBT模塊：采用PrimePACK 3封裝、電壓為1700 V、電流為1400 A的PrimePACK模塊，和EconoDUAL系列的最新旗艦產(chǎn)品、電壓為1200V、電流為600 A的EconoDUAL 3。 　　英飛凌公司副總裁兼工業(yè)電源部總經(jīng)理Martin Hierholzer指出：“通過推出這兩款新產(chǎn)品，英飛凌再次鞏固了其在提供具備最高功率密
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英飛凌攜手三菱電機服務(wù)全球功率電子行業(yè)

  • 　　英飛凌科技股份公司與三菱電機公司同意簽署一份服務(wù)協(xié)議，針對全球工業(yè)運動控制與驅(qū)動市場，提供采用SmartPACK和SmartPIM封裝的先進的IGBT模塊。利用英飛凌新近開發(fā)的這種革命性封裝概念，兩大領(lǐng)導(dǎo)廠商將會采用最新功率芯片推出新一代模塊產(chǎn)品。 　　根據(jù)協(xié)議規(guī)定，三菱電機將新一代功率芯片，應(yīng)用與英飛凌Smart1、Smart2和Smart3封裝中，推出的具備不同額定電流和電壓(電流范圍：15A 至150A，電壓等級：600V和1200V)的產(chǎn)品。作為SmartPACK/PIM全新模塊概念的創(chuàng)造者
  • 關(guān)鍵字： 英飛凌  IGBT  

英飛凌全新.XT技術(shù)大幅延長IGBT模塊使用壽命，

  • 　　英飛凌科技股份公司在紐倫堡舉行的2010 PCIM歐洲展會(2010年5月4日至6日)上，推出創(chuàng)新的IGBT內(nèi)部封裝技術(shù)。該技術(shù)可大幅延長IGBT模塊的使用壽命。全新的.XT技術(shù)可優(yōu)化IGBT模塊內(nèi)部所有連接的使用壽命。依靠這些全新的封裝技術(shù)，英飛凌可滿足具備更高功率循環(huán)的新興應(yīng)用的需求，并為提高功率密度和實現(xiàn)更高工作結(jié)溫鋪平道路。 　　英飛凌副總裁兼工業(yè)電源部總經(jīng)理Martin Hierholzer指出：“通過推出全新的.XT技術(shù)，英飛凌再次鞏固了自己在IGBT模塊設(shè)計和制造領(lǐng)域的技術(shù)
  • 關(guān)鍵字： 英飛凌  IGBT  封裝  

英飛凌攜手三菱電機服務(wù)全球功率電子行業(yè)

  • 　　英飛凌科技股份公司與三菱電機公司同意簽署一份服務(wù)協(xié)議，針對全球工業(yè)運動控制與驅(qū)動市場，提供采用SmartPACK和SmartPIM封裝的先進的IGBT模塊。利用英飛凌新近開發(fā)的這種革命性封裝概念，兩大領(lǐng)導(dǎo)廠商將會采用最新功率芯片推出新一代模塊產(chǎn)品。 　　根據(jù)協(xié)議規(guī)定，三菱電機將新一代功率芯片，應(yīng)用與英飛凌Smart1、Smart2和Smart3封裝中，推出的具備不同額定電流和電壓(電流范圍：15A 至150A，電壓等級：600V和1200V)的產(chǎn)品。作為SmartPACK/PIM全新模塊概念的創(chuàng)造者
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