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混合動(dòng)力車電力驅(qū)動(dòng)的關(guān)鍵組件是電機(jī)和電機(jī)驅(qū)動(dòng)器，IGBT作為電機(jī)驅(qū)動(dòng)器的核心，它的可靠性關(guān)系著混合動(dòng)力車輛的安全運(yùn)行，本文主要針對(duì)IGBT模塊應(yīng)用于汽車領(lǐng)域，所涉及的可靠性相關(guān)問(wèn)題進(jìn)行了探討，提出了汽車級(jí)IGBT概念，并詳細(xì)說(shuō)明了英飛凌汽車級(jí)IGBT針對(duì)汽車應(yīng)用做出的改進(jìn)。
關(guān)鍵字：英飛凌 IGBT 可靠性功率循環(huán) 溫度循環(huán) 201003

RS推出1200種三洋半導(dǎo)體產(chǎn)品

　　國(guó)際著名電子、電機(jī)和工業(yè)產(chǎn)品分銷商RS Components于今日宣布，通過(guò)其在線目錄RS Online(RS在線：http://www.rs-components.com)渠道推出三洋(SANYO)半導(dǎo)體公司的1200類半導(dǎo)體產(chǎn)品。　　此次推出的產(chǎn)品中，除了有采用三洋半導(dǎo)體獨(dú)自技術(shù)達(dá)成的用于電源電池管理的MOSFET系列(具有業(yè)界最高水準(zhǔn)的低導(dǎo)通電阻特性, 并實(shí)現(xiàn)了小型薄型大功率), 低壓驅(qū)動(dòng)閃光用IGBT產(chǎn)品以外，還包括低飽和電壓,射頻用各種雙極晶體管產(chǎn)品。通過(guò)驅(qū)使獨(dú)自的核心技術(shù), 三洋在多
關(guān)鍵字： RS MOSFET IGBT

迎接太陽(yáng)光伏能源的嶄新黎明

在新系統(tǒng)架構(gòu)、控制方法和器件設(shè)計(jì)中的持續(xù)創(chuàng)新使得太陽(yáng)能的利用效率更高。這些進(jìn)步包括從全球政府部門對(duì)清潔能源的有力推動(dòng)，使太陽(yáng)能利用的前途真正變得光明。
關(guān)鍵字：趨勢(shì) 采用發(fā)展結(jié)構(gòu) 器件 IGBT

基于EXB841的IGBT驅(qū)動(dòng)與保護(hù)電路研究

關(guān)鍵字： IGBT EXB841

RS添加超過(guò)900種飛兆半導(dǎo)體裝置

　　RS Components于今日宣布，增加飛兆半導(dǎo)體900種新裝置，飛兆是全球領(lǐng)先節(jié)能半導(dǎo)體技術(shù)供應(yīng)商。RS目前擁有最先進(jìn)、最全面的飛兆電源產(chǎn)品系列，均可從庫(kù)存直接發(fā)貨至廣大設(shè)計(jì)工程師。　　新添加的電源IC家族包括飛兆獲得大獎(jiǎng)的直流直流控制器，融合了領(lǐng)先行業(yè)的便攜式裝置高功率、高性能、功率密度和規(guī)格等特點(diǎn)。RS推出的飛兆系列也包括Intellimax™負(fù)荷開(kāi)關(guān)和MOSFET、高性能光耦合器、二極管、IGBT、邏輯及接口產(chǎn)品。　　飛兆的FAN2XXX和FAN5XXX直流直流控制器家族
關(guān)鍵字： RS 電源 IGBT MOSFET Intellimax

英飛凌推出適用于節(jié)能家電的創(chuàng)新功率轉(zhuǎn)換器件

　　英飛凌科技股份公司近日推出適用于節(jié)能家用電器電機(jī)驅(qū)動(dòng)裝置的功率轉(zhuǎn)換器件系列。全新的600V RC IGBT驅(qū)動(dòng)系列(RC指逆向?qū)?，可使變頻電機(jī)設(shè)計(jì)更加經(jīng)濟(jì)高效，從而確保采用多個(gè)電機(jī)的家電實(shí)現(xiàn)高達(dá)30%的節(jié)能。　　洗衣機(jī)、冰箱、空調(diào)和洗碗機(jī)等家電使用的變頻電機(jī)驅(qū)動(dòng)裝置，采用電子控制裝置和一個(gè)開(kāi)關(guān)電源，以便在不同使用條件下，達(dá)到最佳能效。RC IGBT(絕緣柵雙極晶體管)驅(qū)動(dòng)系列將英飛凌行業(yè)領(lǐng)先的TRENCHSTOP™ IGBT技術(shù)和續(xù)流二極管集成在單晶粒上，確保器件相對(duì)于競(jìng)爭(zhēng)性解決方
關(guān)鍵字：英飛凌功率轉(zhuǎn)換器 IGBT TRENCHSTOP

慕尼黑上海電子展唱響電力電子技術(shù)應(yīng)用主旋律

　　針對(duì)不久前結(jié)束的哥本哈根會(huì)議，中國(guó)政府出臺(tái)了具體的量化政策，“到2020年我國(guó)單位GDP二氧化碳排放比2005年下降40%—45%”。同時(shí)，2010年是“十一五”的最后一年，單位GDP能耗降低20%的目標(biāo)也需要實(shí)現(xiàn)。在“節(jié)能減排”政策的量化、“十一五”的最后沖刺加上可再生新能源應(yīng)用不斷發(fā)展、智能電網(wǎng)的持續(xù)建設(shè)、混合動(dòng)力和電動(dòng)汽車市場(chǎng)的刺激等若干利好因素的共同作用下， 2010年將成為電力電子行業(yè)
關(guān)鍵字：慕尼黑上海電子展可再生能源 IGBT

優(yōu)化高電壓IGBT造就高效率太陽(yáng)能逆變器

隨著綠色電力運(yùn)動(dòng)勢(shì)頭不減，包括家電、照明和電動(dòng)工具等應(yīng)用，以至其他工業(yè)用設(shè)備都在盡可能地利用太陽(yáng)能的優(yōu)點(diǎn)。為了有效地滿足這些產(chǎn)品的需求，電源設(shè)計(jì)師正通過(guò)最少數(shù)量的器件、高度可靠性和耐用性，以高效率把太陽(yáng)能源轉(zhuǎn)換成所需的交流或者直流電壓。
關(guān)鍵字：太陽(yáng)能逆變器高效率造就電壓 IGBT 優(yōu)化

英飛凌和飛兆半導(dǎo)體達(dá)成侵權(quán)訴訟和解協(xié)議

　　英飛凌科技股份公司今天宣布，公司與飛兆半導(dǎo)體公司之間的專利侵權(quán)訴訟已達(dá)成和解。2008年11月，英飛凌向美國(guó)特拉華州地方法院提起訴訟。本訴和反訴標(biāo)的包括與超結(jié)功率晶體管以及溝槽式功率 MOSFET和IGBT功率晶體管有關(guān)的14項(xiàng)專利。　　通過(guò)廣泛的半導(dǎo)體技術(shù)專利交叉許可，雙方就上述訴訟達(dá)成和解。根據(jù)和解協(xié)議，飛兆半導(dǎo)體將向英飛凌支付許可費(fèi)，但協(xié)議的具體條款和條件保密。　　英飛凌和飛兆半導(dǎo)體將通知美國(guó)特拉華州地方法院，雙方已經(jīng)達(dá)成和解，并將申請(qǐng)撤訴。　　作為半導(dǎo)體行業(yè)的全球領(lǐng)袖，英飛凌目前正
關(guān)鍵字：英飛凌 MOSFET IGBT

IGBT核心技術(shù)及人才缺失工藝技術(shù)缺乏

　　新型電力半導(dǎo)體器件的代表，IGBT的產(chǎn)業(yè)化在我國(guó)還屬空白。無(wú)論技術(shù)、設(shè)備還是人才，我國(guó)都處于全方位的落后狀態(tài)。應(yīng)當(dāng)認(rèn)識(shí)到，電力半導(dǎo)體器件和集成電路在國(guó)民經(jīng)濟(jì)發(fā)展中地位同樣重要，因此，政府應(yīng)該對(duì)IGBT產(chǎn)業(yè)予以大力扶持。　　眾所周知，電力電子技術(shù)可以提高用電效率，改善用電質(zhì)量，是節(jié)省能源的王牌技術(shù)。當(dāng)今以絕緣柵雙極晶體管(IGBT)為代表的新型電力半導(dǎo)體器件是高頻電力電子線路和控制系統(tǒng)的核心開(kāi)關(guān)元器件，它的性能參數(shù)將直接決定著電力電子系統(tǒng)的效率和可靠性。IGBT已成為新型電力半導(dǎo)體器件的代表性器件，
關(guān)鍵字：器件 IGBT 封裝測(cè)試 MOSFET

寧波比亞迪半導(dǎo)體虧損調(diào)查：生產(chǎn)線可稱老古董

　　這是一個(gè)結(jié)果尚不明朗的賭注，巴菲特和王傳福站在一邊，巴菲特已經(jīng)賭贏了，但是王傳福暫時(shí)還沒(méi)有。　　初冬的傍晚天黑得早，寧波北侖港保稅港區(qū)的比亞迪(73.4,-0.70,-0.95%,經(jīng)濟(jì)通實(shí)時(shí)行情)寧波半導(dǎo)體公司(原寧波中緯)依舊冒著騰騰的熱氣，公司墻上貼滿了新員工的名字，由于人數(shù)眾多，許多人還來(lái)不及辦理入廠證件。大批身穿比亞迪廠服的員工走出工廠大門，投入茫茫夜色，這里有許多來(lái)自深圳的年輕工程師，他們正試圖適應(yīng)在寧波度過(guò)的第一個(gè)寒冷冬天。　　這些員工身上，承載著王傳福的野心和夢(mèng)想。“
關(guān)鍵字：比亞迪 IGBT

功率半導(dǎo)體充當(dāng)節(jié)能先鋒中國(guó)企業(yè)加快步伐

　　過(guò)去，人們常把集成電路比作電子系統(tǒng)的大腦，而把功率半導(dǎo)體器件比作四肢，因?yàn)榧呻娐返淖饔檬墙邮芎吞幚硇畔?，而功率器件則根據(jù)這些信息指令產(chǎn)生控制功率，去驅(qū)動(dòng)相關(guān)電機(jī)進(jìn)行所需的工作。如今，新型功率半導(dǎo)體器件如MOSFET(金屬-氧化物-半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管)、IGBT(絕緣柵雙極型晶體管)及功率集成電路應(yīng)用逐漸普及，其為信息系統(tǒng)提供電源的功能也越來(lái)越引人注目。功率半導(dǎo)體器件在電子系統(tǒng)中的地位已不僅限于“四肢”，而是為整個(gè)系統(tǒng)“供血”的“心臟&rdq
關(guān)鍵字：功率半導(dǎo)體 MOSFET IGBT

關(guān)于IGBT導(dǎo)通延遲時(shí)間的精確測(cè)量方法

IGBT以其輸入阻抗高，開(kāi)關(guān)速度快，通態(tài)壓降低等特性已成為當(dāng)今功率半導(dǎo)體器件的主流器件，但在它的使用過(guò)程中，精確測(cè)量導(dǎo)通延遲時(shí)間，目前還存在不少困難。在介紹時(shí)間測(cè)量芯片TDC-GP2的主要功能和特性的基礎(chǔ)上，利用其優(yōu)良的特性，設(shè)計(jì)一套高精度的IGBT導(dǎo)通延遲時(shí)間的測(cè)量系統(tǒng)，所測(cè)時(shí)間間隔通過(guò)液晶顯示器直接讀取，是一套較為理想的測(cè)量方案。
關(guān)鍵字： IGBT 導(dǎo)通精確測(cè)量方法

IR 推出采用焊前金屬的汽車級(jí)絕緣柵雙極晶體管

　　國(guó)際整流器公司 (International Rectifier，簡(jiǎn)稱IR) 推出采用焊前金屬 (Solderable Front Metal，SFM) 的 1200V 絕緣柵雙極晶體管 (IGBT) AUIRG7CH80K6B-M，適用于電動(dòng)汽車 (EV) 、混合電動(dòng)汽車 (HEV) 和中功率驅(qū)動(dòng)器中的高電流、高電壓汽車逆變器模塊。　　AUIRG7CH80K6B-M 采用了 IR 的最新一代場(chǎng)截止溝槽技術(shù)，大幅度降低了傳導(dǎo)和開(kāi)關(guān)損耗。此外，這款新器件的焊前金屬可實(shí)現(xiàn)雙面冷卻，提高了散熱性能，
關(guān)鍵字： IR IGBT 逆變器