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Zetex推出全新ZXGD3000雙極柵極驅(qū)動(dòng)器系列

　　Zetex Semiconductors (捷特科) 推出全新ZXGD3000雙極柵極驅(qū)動(dòng)器系列，用于開(kāi)關(guān)電源和電機(jī)驅(qū)動(dòng)器中的MOSFET及IGBT。低成本的ZXGD3000系列能灌入高達(dá)9A的電流，柵極電容的充、放電速度比柵極驅(qū)動(dòng)器IC更快，有助于加快開(kāi)關(guān)時(shí)間，提高電路效率。　　該系列包含4款高速非反向柵極驅(qū)動(dòng)器，電源電壓范圍為12V至40V。其快速開(kāi)關(guān)射極跟隨器配置，實(shí)現(xiàn)了小于2ns的傳播延遲和大約10ns的上升/下降時(shí)間，有效改善了對(duì)MOSFET開(kāi)關(guān)性能的控制。ZXGD3000還能防止鎖定，
關(guān)鍵字： Zetex ZXGD3000 MOSFET IGBT

普爾盛自主產(chǎn)品參展--PSHI 3系列IGBT驅(qū)動(dòng)器

PSHI 3系列IGBT驅(qū)動(dòng)器是基于具有自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)的ASIC而設(shè)計(jì)的智能型1700V雙路IGBT驅(qū)動(dòng)器，包括邏輯信號(hào)處理的ASIC PSD001，門(mén)極驅(qū)動(dòng)的ASIC PSD002。集成了電平選擇、邏輯信號(hào)處理、故障鎖存及處理、短路保護(hù)、欠壓保護(hù)、互鎖、電氣隔離、DC/DC隔離電源等，工作溫度范圍為－45℃~＋85℃，其中: PSHI 302適用于200A以下的IGBT驅(qū)動(dòng)； PSHI 332適用于150A-800A的IGBT驅(qū)動(dòng)； PSHI 362適用于400A-1200A的IGBT。驅(qū)動(dòng)
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用于功率變換器的IGBT驅(qū)動(dòng)核心電路

　　除了功率模塊以外，每個(gè)電力電子系統(tǒng)都還有另外一個(gè)關(guān)鍵部件就是IGBT驅(qū)動(dòng)電路，它們是功率晶體管和控制器之間非常重要的接口電路。因此，選擇適當(dāng)?shù)尿?qū)動(dòng)電路就和逆變器整體方案的可靠性緊密相關(guān)。與此同時(shí)，驅(qū)動(dòng)電路還應(yīng)該具備最廣泛的系統(tǒng)適應(yīng)性和用戶(hù)接口友好性。　　例如，在一個(gè)電力電子逆變器中，微控制器提供系統(tǒng)正確運(yùn)行所需要的數(shù)字信號(hào)。IGBT驅(qū)動(dòng)電路的功能就是將來(lái)自于微控制器的信號(hào)轉(zhuǎn)換成具有足夠功率的驅(qū)動(dòng)信號(hào)，來(lái)保證IGBT安全地關(guān)斷與開(kāi)通。另一方面，IGBT驅(qū)動(dòng)電路為微控制器和功率晶體管之間的電壓提供電氣
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三電平逆變器IGBT驅(qū)動(dòng)電路電磁兼容研究

分析了三電平逆變器系統(tǒng)中IGBT驅(qū)動(dòng)電路的主要干擾源及耦合途徑，在此基礎(chǔ)上對(duì)lGBT驅(qū)動(dòng)電路EMC設(shè)計(jì)的一些問(wèn)題進(jìn)行了研究，重點(diǎn)討論了光纖傳輸信號(hào)、輔助電源設(shè)計(jì)、瞬態(tài)噪聲抑制以及PCB的抗干擾設(shè)計(jì)等問(wèn)題，并給出了設(shè)計(jì)方案。
關(guān)鍵字：電磁兼容研究電路驅(qū)動(dòng) 逆變器 IGBT 電平

三菱電機(jī)第五代IGBT模塊將亮相于電子展

三菱電機(jī)將攜同多種系列的第五代IGBT模塊，在3月18至20日于上海新國(guó)際博覽中心舉行之2008慕尼黑上海電子展（展位5102）上，為不同領(lǐng)域的客戶(hù)提供與其相應(yīng)的應(yīng)用解決方案。 ? 三菱電機(jī)采用最新開(kāi)發(fā)的載流子存儲(chǔ)式溝槽型雙極晶體管（Carrier Stored Trench-gate Bipolar Transistor，CSTBTTM）功率硅片，實(shí)現(xiàn)了第五代IGBT模塊的產(chǎn)品化，其具有低損耗、低飽和壓降、高功率循環(huán)和壽命長(zhǎng)等優(yōu)點(diǎn)。分別針對(duì)不同應(yīng)用開(kāi)發(fā)了A、 NF、 NFM、NFH和NX系
關(guān)鍵字：三菱 IGBT 電子展 200802

開(kāi)關(guān)電源技術(shù)發(fā)展的十個(gè)關(guān)注點(diǎn)

上世紀(jì)60年代，開(kāi)關(guān)電源的問(wèn)世，使其逐步取代了線性穩(wěn)壓電源和SCR相控電源。40多年來(lái)，開(kāi)關(guān)電源技術(shù)有了飛迅發(fā)展和變化，經(jīng)歷了功率半導(dǎo)體器件、高頻化和軟開(kāi)關(guān)技術(shù)、開(kāi)關(guān)電源系統(tǒng)的集成技術(shù)三個(gè)發(fā)展階段。
關(guān)鍵字：開(kāi)關(guān)電源，IGBT 碳化硅 AC/DC

用于有源電力濾波器的IGBT驅(qū)動(dòng)及保護(hù)研究

　　l 前言　　絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)晶體管(IGBT)作為一種復(fù)合型器件，集成了MOSFET的電壓驅(qū)動(dòng)和高開(kāi)關(guān)頻率及功率管低損耗、大功率的特點(diǎn)，在電機(jī)控制、開(kāi)關(guān)電源、變流裝置及許多要求快速、低損耗的領(lǐng)域中有著廣泛的應(yīng)用。本文對(duì)應(yīng)用于有源電力濾波器的IGBT的特性及其專(zhuān)有EXB84l型驅(qū)動(dòng)器的設(shè)計(jì)進(jìn)行討論，并提出一種具有完善保護(hù)功能的驅(qū)動(dòng)電路。　　有源電力濾波器設(shè)計(jì)中應(yīng)用4個(gè)IGBT作為開(kāi)關(guān)，并用4個(gè)EXB84l組成驅(qū)動(dòng)電路，其原理如圖l所示。在實(shí)驗(yàn)中，根據(jù)補(bǔ)償電流與指令電流的關(guān)系，用數(shù)字信號(hào)處理器(DSP
關(guān)鍵字： IGBT MOSFET 場(chǎng)效應(yīng)晶體管電源

IGBT的保護(hù)

　　將IGBT用于變換器時(shí)，應(yīng)采取保護(hù)措施以防損壞器件，常用的保護(hù)措施有：　　（1）通過(guò)檢出的過(guò)電流信號(hào)切斷門(mén)極控制信號(hào)，實(shí)現(xiàn)過(guò)電流保護(hù)；　?。?）利用緩沖電路抑制過(guò)電壓并限制du/dt；　?。?）利用溫度傳感器檢測(cè)IGBT的殼溫，當(dāng)超過(guò)允許溫度時(shí)主電路跳閘，實(shí)現(xiàn)過(guò)熱保護(hù)。　　下面著重討論因短路而產(chǎn)生的過(guò)電流及其保護(hù)措施。　　前已述及，IGBT由于寄生晶閘管的影響，當(dāng)流過(guò)IGBT的電流過(guò)大時(shí)，會(huì)產(chǎn)生不可控的擎住效應(yīng)。實(shí)際應(yīng)用中應(yīng)使IGBT的漏極電流不超過(guò)額定電流，以避免出現(xiàn)擎住現(xiàn)
關(guān)鍵字： IGBT 半導(dǎo)體材料

絕緣柵雙極晶體管（IGBT）

一、IGBT的工作原理　　電力MOSFET器件是單極型（N溝道MOSFET中僅電子導(dǎo)電、P溝道MOSFET中僅空穴導(dǎo)電）、電壓控制型開(kāi)關(guān)器件；因此其通、斷驅(qū)動(dòng)控制功率很小，開(kāi)關(guān)速度快；但通態(tài)降壓大，難于制成高壓大電流開(kāi)關(guān)器件。電力三極晶體管是雙極型（其中，電子、空穴兩種多數(shù)載流子都參與導(dǎo)電）、電流控制型開(kāi)關(guān)器件；因此其通-斷控制驅(qū)動(dòng)功率大，開(kāi)關(guān)速度不夠快；但通態(tài)壓降低，可制成較高電壓和較大電流的開(kāi)關(guān)器件。為了兼有這兩種器件的優(yōu)點(diǎn)，棄其缺點(diǎn)，20世紀(jì)80年代中期出現(xiàn)了將它們的通、斷機(jī)制相結(jié)合的新一代半導(dǎo)
關(guān)鍵字： IGBT 半導(dǎo)體材料

2SD315A在驅(qū)動(dòng)大功率IGBT中的應(yīng)用

　　引言　　IGBT常用的驅(qū)動(dòng)模塊有TLP250，以及EXB841/840系列的驅(qū)動(dòng)模塊。但在燃料電池城市客車(chē)DC/DC變換器的研制過(guò)程中發(fā)現(xiàn)，由于車(chē)載DC/DC變換器常常工作在大功率或超大功率的狀態(tài)中，而處在這種狀態(tài)下的IGBT瞬時(shí)驅(qū)動(dòng)電流大，要求可靠性要高，使得傳統(tǒng)的驅(qū)動(dòng)電路已經(jīng)不能滿足其使用要求，經(jīng)過(guò)研究分析，選用瑞士CONCEPT公司生產(chǎn)的用于驅(qū)動(dòng)和保護(hù)IGBT或功率MOSFET的專(zhuān)用集成驅(qū)動(dòng)模塊2SD315A作為大功率IGBT(800A/1200V)的驅(qū)動(dòng)器件，該驅(qū)動(dòng)器集成了智能驅(qū)動(dòng)、自檢、
關(guān)鍵字：模擬技術(shù) 電源技術(shù) IGBT 2SD315A 模擬IC 電源

IGBT集成驅(qū)動(dòng)模塊的研究

　　引言　　隨著電力電子技術(shù)朝著大功率、高頻化、模塊化發(fā)展，絕緣柵雙極品體管(IGBT)已廣泛應(yīng)用于開(kāi)關(guān)電源、變頻器、電機(jī)控制以及要求快速、低損耗的領(lǐng)域中。IGBT是復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式電力電子器件，兼有MOSFET和GTR的優(yōu)點(diǎn)：輸入阻抗高，驅(qū)動(dòng)功率小，通態(tài)壓降小，工作頻率高和動(dòng)態(tài)響應(yīng)快。目前，市場(chǎng)上500~3000V，800～l800A的IGBT，因其耐高壓、功率大的特性，已成為大功率開(kāi)關(guān)電源等電力電子裝置的首選功率器件。　　1 驅(qū)動(dòng)保護(hù)電路的原則　　由于是電壓控制型器件，因此只要控制IC
關(guān)鍵字：嵌入式系統(tǒng) 單片機(jī) IGBT 集成驅(qū)動(dòng) 嵌入式

以創(chuàng)新的IGBT技術(shù)、合理的器件選型和有效的系統(tǒng)手段優(yōu)化變頻器設(shè)計(jì)

　　全球?qū)τ诠?jié)能和綠色能源的需求使得馬達(dá)變頻驅(qū)動(dòng)在工業(yè)應(yīng)用領(lǐng)域不斷增長(zhǎng)，甚至還擴(kuò)展到民用產(chǎn)品和汽車(chē)領(lǐng)域。因此在過(guò)去幾年，市場(chǎng)對(duì)變頻器的需求量和相應(yīng)的產(chǎn)量一直在持續(xù)增長(zhǎng)。隨著產(chǎn)量的不斷擴(kuò)大和技術(shù)趨向成熟，變頻器市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)也日益激烈，對(duì)產(chǎn)品性?xún)r(jià)比的要求不斷提高。　　標(biāo)準(zhǔn)的三相交流驅(qū)動(dòng)變頻器使用絕緣柵雙極晶體管(IGBT) 來(lái)實(shí)現(xiàn)主電路中的6個(gè)開(kāi)關(guān)，現(xiàn)在除少量小功率、低成本變頻器采用分立IGBT器件外，一般工業(yè)變頻器均采用模塊化IGBT(包括IPM)。模塊化概念為用戶(hù)提供了一個(gè)采用絕緣封裝且經(jīng)過(guò)檢驗(yàn)
關(guān)鍵字：選型元器件變頻器 IGBT 元件制造

飛兆推電流檢測(cè)用點(diǎn)火IGBT器件FGB3040CS

飛兆半導(dǎo)體公司(FairchildSemiconductor)日前推出一顆電流檢測(cè)用點(diǎn)火IGBT器件FGB3040CS，可以在應(yīng)用中省去用于檢測(cè)大電流的檢測(cè)電阻，從而將功耗降低30%并減少由此帶來(lái)的熱量。FGB3040CS具有電流檢測(cè)功能，能以小型的低電流檢測(cè)電阻替代高功率的檢測(cè)電阻，成功簡(jiǎn)化系統(tǒng)元件的需求及降低總體成本。FGB3040CS采用EcoSPARK技術(shù)設(shè)計(jì)，提供了高能量密度的點(diǎn)火IGBT。這項(xiàng)技術(shù)可讓芯片尺寸縮減到能夠裝入D-Pak封裝中而不會(huì)影響性能。 &n
關(guān)鍵字：模擬技術(shù) 電源技術(shù) 飛兆電流檢測(cè) IGBT FGB3040CS 基礎(chǔ)儀器

Microsemi發(fā)布標(biāo)準(zhǔn)IGBT三相橋式電源模塊

Microsemi Corporation日前新推出一系列采用SP3緊湊封裝的標(biāo)準(zhǔn)IGBT三相橋式電源模塊。該系列電源模塊設(shè)計(jì)用于電機(jī)控制，采用快速NPTIGBT的3相IGBT橋用于20～50KHz高頻應(yīng)用，采用場(chǎng)溝漕截止IGBT用于5～20KHz的低頻應(yīng)用。所有新款整流器都集成有用于監(jiān)控模塊內(nèi)部溫度的傳感器以實(shí)現(xiàn)過(guò)熱保護(hù)。快速NPT類(lèi)IGBT的電流等級(jí)分別為：30A～50A/600V、15～25A/1200V；場(chǎng)溝漕截止型IGBT的電流等級(jí)分別為：20A～75A/600V，25A
關(guān)鍵字：模擬技術(shù) 電源技術(shù) Microsemi IGBT 電源模塊電源

通用光纖隔離驅(qū)動(dòng)在大功率IGBT中的應(yīng)用

引言自MOSFET及IGBT問(wèn)世以來(lái)，電壓控制型電力電子器件，特別是IGBT正經(jīng)歷一個(gè)飛速發(fā)展的過(guò)程。IGBT單模塊器件的電壓越做越高，電流越做越大。同時(shí)，與之配套的驅(qū)動(dòng)器件也得到了迅速發(fā)展。隨著器件應(yīng)用領(lǐng)域越來(lái)越廣，電源設(shè)備變換功率越來(lái)越大，電磁T擾也相應(yīng)增強(qiáng)。為此必須提高控制板的抗干擾能力，提高驅(qū)動(dòng)耐壓等級(jí)。于是，光纖的使用也就成為了必然。 1 ICBT驅(qū)動(dòng)的幾種方式不同功率等級(jí)的IGBT，對(duì)驅(qū)動(dòng)的要求不盡相同，表1給出了目前常用的幾種驅(qū)動(dòng)方式的比較。　　由表l可知，在大功率
關(guān)鍵字： IGBT 大功率光纖通訊網(wǎng)絡(luò) 無(wú)線