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【E課堂】MOSFET管驅(qū)動電路基礎(chǔ)總結(jié)
- 關(guān)于MOSFET很多人都不甚理解,這次小編再帶大家仔細(xì)梳理一下,也許對于您的知識系統(tǒng)更加全面。下面是對MOSFET及MOSFET驅(qū)動電路基礎(chǔ)的一點(diǎn)總結(jié),其中參考了一些資料。 在使用MOS管設(shè)計(jì)開關(guān)電源或者馬達(dá)驅(qū)動電路的時(shí)候,大部分人都會考慮MOS的導(dǎo)通電阻,最大電壓等,最大電流等,也有很多人僅僅考慮這些因素。這樣的電路也許是可以工作的,但并不是優(yōu)秀的,作為正式的產(chǎn)品設(shè)計(jì)也是不允許的?! ?、MOS管種類和結(jié)構(gòu) MOSFET管是FET的一種(另一種是JFET),可以被制造成增強(qiáng)型或耗盡型,P溝道或N
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同步降壓 MOSFET 電阻比的正確選擇
- 進(jìn)行這種折中處理可得到一個用于 FET 選擇的非常有用的起始點(diǎn)。通常,作為設(shè)計(jì)過程的一個組成部分,你會有一套包括了輸入電壓范圍和期望輸出電壓的規(guī)范,并且需要選擇一些 FET。另外,如果你是一名 IC 設(shè)計(jì)人員,你還會有一定的預(yù)算,其規(guī)定了 FET 成本或者封裝尺寸。這兩種輸入會幫助您選擇總 MOSFET 芯片面積。之后,這些輸入可用于對各個 FET 面積進(jìn)行效率方面的優(yōu)化。 圖 1 傳導(dǎo)損耗與 FET 電阻比和占空比相關(guān) 首先,F(xiàn)ET 電阻與其面積成反比例關(guān)系。
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看懂MOSFET數(shù)據(jù)表,第5部分—開關(guān)參數(shù)
- 最后,我們來到了這個試圖破解功率MOSFET數(shù)據(jù)表的“看懂MOSFET數(shù)據(jù)表”博客系列的收尾部分。在這個博客中,我們將花時(shí)間看一看MOSFET數(shù)據(jù)表中出現(xiàn)的某些其它混合開關(guān)參數(shù),并且檢查它們對于總體器件性能的相關(guān)性(或者與器件性能沒什么關(guān)系)。 另一方面,諸如FET固有體二極管的輸出電荷 (QOSS) 和反向恢復(fù)電荷(Qrr) 等開關(guān)參數(shù)是造成很多高頻電源應(yīng)用中大部分FET開關(guān)損耗的關(guān)鍵因素。不好意思,我說的這些聽起來有點(diǎn)兒前言不搭后語,不過設(shè)計(jì)人員在根據(jù)這些參數(shù)比較不同
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估算熱插拔 MOSFET 的瞬態(tài)溫升——第 1 部分
- 在本文中,我們將研究一種估算熱插拔 MOSFET 溫升的簡單方法?! 岵灏坞娐酚糜趯㈦娙葺斎朐O(shè)備插入通電的電壓總線時(shí)限制浪涌電流。這樣做的目的是防止總線電壓下降以及連接設(shè)備運(yùn)行中斷。通過使用一個串聯(lián)組件逐漸延長新連接電容負(fù)載的充電時(shí)間,熱插拔器件可以完成這項(xiàng)工作。結(jié)果,該串聯(lián)組件具有巨大的損耗,并在充電事件發(fā)生期間產(chǎn)生溫升。大多數(shù)熱插拔設(shè)備的制造廠商都建議您查閱安全工作區(qū)域 (SOA) 曲線,以便設(shè)備免受過應(yīng)力損害。圖 1 所示
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看懂MOSFET數(shù)據(jù)表,第2部分—連續(xù)電流額定值
- 今天我們來談一談MOSFET電流額定值,以及它們是如何變得不真實(shí)的。好,也許一個比較好的解釋就是這些額定值不是用確定RDS(ON)?和柵極電荷等參數(shù)的方法測量出來的,而是被計(jì)算出來的,并且有很多種不同的方法可以獲得這些值?! ±纾蠖鄶?shù)部件中都有FET“封裝電流額定值”,這個值同與周圍環(huán)境無關(guān),并且是硅芯片與塑料封裝之間內(nèi)在連接線的一個函數(shù)。超過這個值不會立即對FET造成損壞,而在這個限值以上長時(shí)間使用將開始減少器件的使用壽命。高于這個限值的故障機(jī)制包括但不限于線路融合、成型復(fù)合材料的熱降
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場效應(yīng)管(MOSFET)檢測方法與經(jīng)驗(yàn)
- 本文總結(jié)了場效應(yīng)管(MOSFET)檢測方法與經(jīng)驗(yàn) 一、用指針式萬用表對場效應(yīng)管進(jìn)行判別 (1)用測電阻法判別結(jié)型場效應(yīng)管的電極 根據(jù)場效應(yīng)管的PN結(jié)正、反向電阻值不一樣的現(xiàn)象,可以判別出結(jié)型場效應(yīng)管的三個電極。具體方法:將萬用表撥在R×1k檔上,任選兩個電極,分別測出其正、反向電阻值。當(dāng)某兩個電極的正、反向電阻值相等,且為幾千歐姆時(shí),則該兩個電極分別是漏極D和源極S。因?yàn)閷Y(jié)型場效應(yīng)管而言,漏極和源極可互換,剩下的電極肯定是柵極G。也可以將萬用表的黑表筆(紅表筆也行)任意接觸一個電極,另一只表筆
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看懂MOSFET數(shù)據(jù)表,第1部分—UIS/雪崩額定值
- 在看到MOSFET數(shù)據(jù)表時(shí),你一定要知道你在找什么。雖然特定的參數(shù)很顯眼,也一目了然,其它的一些參數(shù)會十分的含糊不清、模棱兩可,而其它的某些參數(shù)自始至終就毫無用處(比如說:開關(guān)時(shí)間)。在這個即將開始的博文系列中,我們將試著破解FET數(shù)據(jù)表,這樣的話,讀者就能夠很輕松地找到和辨別那些對于他們的應(yīng)用來說,是最常見的數(shù)據(jù),而不會被不同的生產(chǎn)商為了使他們的產(chǎn)品看起來更吸引人而玩兒的文字游戲所糊弄。 自從20世紀(jì)80年代中期在MOSFET 數(shù)據(jù)表中廣泛使用的以來,無鉗位電感開關(guān) (UIS) 額定值就已經(jīng)被
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一種寬范圍可調(diào)的小型DC-DC降壓變換器
- 提出了一種小型可調(diào)壓DC-DC降壓變換器的結(jié)構(gòu)。主電路由MOSFET管、電感器及濾波電容器構(gòu)成。通過PWM波控制,由于PWM波的驅(qū)動能力較差,設(shè)計(jì)驅(qū)動電路通過與PWM發(fā)生器一同控制MOSFET管的通斷。通過改變PWM波的占空比來改變輸出電壓以達(dá)到可調(diào)壓的目的。該降壓變換器設(shè)計(jì)簡單、經(jīng)濟(jì)適用、體積較小,輸出電壓可調(diào)。主要由主電路和驅(qū)動電路組成。該變換器適用于較低壓工作場合,輸入電壓在5V至20V之間,輸出電壓在3V至18V之間。對電路的工作原理和結(jié)構(gòu)進(jìn)行了深入分析,并通過實(shí)物制作驗(yàn)證其可行性。
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意法半導(dǎo)體(ST)推出新款功率MOSFET,實(shí)現(xiàn)更小、更環(huán)保的汽車電源
- 意法半導(dǎo)體(STMicroelectronics,簡稱ST;紐約證券交易所代碼:STM)針對汽車市場推出了新系列高壓N溝道功率MOSFET。新產(chǎn)品通過AEC-Q101汽車測試認(rèn)證,采用意法半導(dǎo)體最先進(jìn)、內(nèi)置快速恢復(fù)二極管的MDmeshTM DM2超結(jié)制造工藝,擊穿電壓范圍為400V至650V,可提供D2PAK、TO-220及TO-247三種封裝?! ?00V和500V兩款新產(chǎn)品是市場上同級產(chǎn)品中首個獲得AEC-Q101認(rèn)證的功率MOSFET,而600V和650V產(chǎn)品性能則高于現(xiàn)有競爭產(chǎn)品。全
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如何通過配置負(fù)載點(diǎn)轉(zhuǎn)換器提供負(fù)電壓或隔離輸出電壓
- 在溫度高達(dá) 210 攝氏度或需要耐輻射解決方案的惡劣環(huán)境應(yīng)用中,集成型降壓解決方案可充分滿足系統(tǒng)需求。有許多應(yīng)用需要負(fù)輸出電壓或諸如 +12V 或 +15V 等隔離輸出電壓為 MOSFET 柵極驅(qū)動器電路供電或者為運(yùn)算放大器實(shí)現(xiàn)偏置。我們將在本文中探討如何使用 TPS50x01 配置降壓轉(zhuǎn)換器,提供負(fù)輸出電壓。此外,我們還將討論如何通過提供高于輸入壓的電壓來滿足應(yīng)用需求?! PS50601-SP和TPS50301-HT都是專為耐輻射、地質(zhì)、重工業(yè)以及油氣應(yīng)用等惡劣環(huán)境開發(fā)的集成型同步降壓轉(zhuǎn)換器解決方
- 關(guān)鍵字: MOSFET TPS50601-SP 電壓隔離
意法半導(dǎo)體(ST)推出新款電源芯片,將大幅降低家電、照明及工業(yè)設(shè)備中的待機(jī)功耗
- 橫跨多重電子應(yīng)用領(lǐng)域、全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體供應(yīng)商意法半導(dǎo)體(STMicroelectronics,簡稱ST)推出符合國際零待機(jī)功耗標(biāo)準(zhǔn)的新電源管理芯片,率先為白色家電(white good)、照明及工業(yè)設(shè)備提供喚醒功能智能管理方式。這也代表著電能吸血鬼(裝置在被關(guān)掉或處于閑置狀態(tài)時(shí)仍在消耗電能)將不復(fù)存在。 最大限度降低用電設(shè)備的待機(jī)耗電量(也稱:電能吸血鬼)是設(shè)計(jì)人員長期努力的目標(biāo),這也推動了全世界啟用IEA[1]等國際組織提出的節(jié)能建議,即在2010年和2013年前將電器待機(jī)功耗分別降至1W和0
- 關(guān)鍵字: 意法半導(dǎo)體 MOSFET
意法半導(dǎo)體(ST)推出世界首款1500V超結(jié)功率MOSFET,實(shí)現(xiàn)更環(huán)保、更安全的電源應(yīng)用
- 意法半導(dǎo)體(STMicroelectronics,簡稱ST)的新系列功率MOSFET讓電源設(shè)計(jì)人員實(shí)現(xiàn)產(chǎn)品效能最大化,同時(shí)提升工作穩(wěn)健性和安全系數(shù)。MDmeshTM K5產(chǎn)品是世界首款兼?zhèn)涑Y(jié)技術(shù)優(yōu)點(diǎn)與1500V漏源(drain-to-source)擊穿電壓(breakdown voltage)的晶體管,并已贏得亞洲及歐美主要客戶用于其重要設(shè)計(jì)中。 新產(chǎn)品瞄準(zhǔn)計(jì)算機(jī)服務(wù)器及工業(yè)自動化市場。服務(wù)器要求更高的輔助開關(guān)式電源輸出功率,同時(shí)電源穩(wěn)健性是最大限度減少斷電停機(jī)時(shí)間的關(guān)鍵要素,電焊、工廠自
- 關(guān)鍵字: 意法半導(dǎo)體 MOSFET
更小、更快、更酷、更高效,900V SiC MOSFET在PFC中的應(yīng)用
- Wolfspeed (原CREE Power產(chǎn)品)推出業(yè)界首款900V SiC MOSFET系列產(chǎn)品,拓展了高頻電力電子應(yīng)用的范圍。相比于相當(dāng)于硅MOSFET,這一突破900V SiC使我們的產(chǎn)品的新市場通過擴(kuò)大我們在終端系統(tǒng)解決功率范圍。該系列產(chǎn)品提供了更高的開關(guān)速率和更低的開關(guān)損耗,從而為電力電子工程師們提供了設(shè)計(jì)出更小,更快,更酷,更高效的電源解決方案可能。 新的900V SiC MOSFET系列產(chǎn)品極大的擴(kuò)大了產(chǎn)品應(yīng)用空間,能夠更好的應(yīng)對不斷發(fā)展變化的應(yīng)用領(lǐng)域,更高的直流母線電壓可以覆蓋
- 關(guān)鍵字: Wolfspeed MOSFET
性價(jià)比:SiC MOSFET比Si MOSFET不只高出一點(diǎn)點(diǎn)
- Si MOSFET管因?yàn)槠漭斎胱杩垢?,隨著其反向耐壓的提高,通態(tài)電阻也急劇上升,從而限制了其在高壓場合的應(yīng)用。SiC作為一種寬禁代半導(dǎo)體器件,具有飽和電子漂移速度高、電場擊穿強(qiáng)度高、介電常數(shù)低和熱導(dǎo)率高等特性。世強(qiáng)代理的Wolfspeed的SiC MOSFET管具有阻斷電壓高、工作頻率高且耐高溫能力強(qiáng),同時(shí)又具有通態(tài)電阻低和開關(guān)損耗小等特點(diǎn),是高頻高壓場合功率密度提高和效率提高的應(yīng)用趨勢。 SiC與Si性能對比 簡單來說,SiC主要在以下3個方面具有明顯的優(yōu)勢為:擊穿電壓強(qiáng)度高(10倍于S
- 關(guān)鍵字: SiC MOSFET
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