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mosfet-driver 文章 進(jìn)入mosfet-driver技術(shù)社區(qū)
關(guān)于MOS管的基礎(chǔ)知識(shí)大合集
- 下面對(duì)MOSFET及MOSFET驅(qū)動(dòng)電路基礎(chǔ)的一點(diǎn)總結(jié),包括MOS管的介紹,特性,驅(qū)動(dòng)以及應(yīng)用電路。 1,MOS管種類(lèi)和結(jié)構(gòu) MOSFET管是FET的一種(另一種是JFET),可以被制造成增強(qiáng)型或耗盡型,P溝道或N溝道共4種類(lèi)型,但實(shí)際應(yīng)用的只有增強(qiáng)型的N溝道MOS管和增強(qiáng)型的P溝道MOS管,所以通常提到NMOS,或者PMOS指的就是這兩種。 至于為什么不使用耗盡型的MOS管,不建議刨根問(wèn)底。 對(duì)于這兩種增強(qiáng)型MOS管,比較常用的是NMOS。原因是導(dǎo)通電阻小,且容易制造。所以開(kāi)
- 關(guān)鍵字: MOS管 MOSFET
意法半導(dǎo)體(ST)的先進(jìn)碳化硅功率器件加快汽車(chē)電動(dòng)化進(jìn)程
- 橫跨多重電子應(yīng)用領(lǐng)域、全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體供應(yīng)商意法半導(dǎo)體(STMicroelectronics,簡(jiǎn)稱(chēng)ST)在混動(dòng)汽車(chē)和電動(dòng)汽車(chē)(EV,Electric Vehicles)市場(chǎng)發(fā)布了先進(jìn)的高能效功率半導(dǎo)體器件,同時(shí)還公布了新產(chǎn)品AEC-Q101汽車(chē)質(zhì)量認(rèn)證時(shí)間表。 電動(dòng)汽車(chē)和混動(dòng)汽車(chē)通過(guò)提高電能利用率來(lái)延長(zhǎng)續(xù)航里程。意法半導(dǎo)體最新的碳化硅(SiC)技術(shù)讓車(chē)企能夠研制續(xù)航里程更長(zhǎng)、充電速度更快的電動(dòng)和混動(dòng)汽車(chē),使其更好地融入車(chē)主的生活。作為碳化硅技術(shù)的領(lǐng)導(dǎo)者,針對(duì)汽車(chē)所有主要電氣模塊,意法半導(dǎo)體率先推
- 關(guān)鍵字: 意法半導(dǎo)體 MOSFET
英飛凌推出具備更大爬電距離的寬體封裝,進(jìn)一步擴(kuò)大緊湊型門(mén)級(jí)驅(qū)動(dòng)產(chǎn)品陣容
- 英飛凌科技股份公司為其EiceDRIVER? Compact隔離型門(mén)級(jí)驅(qū)動(dòng)IC產(chǎn)品家族帶來(lái)了寬體封裝新成員。全新1EDI Compact 300 mil器件采用DSO-8 300 mil封裝,可增大爬電距離并改善熱性能?! ∪翴C的爬電距離為8 mm,輸入至輸出隔離電壓1200 V。它們專(zhuān)為驅(qū)動(dòng)高壓功率MOSFET和IGBT而設(shè)計(jì)。目標(biāo)應(yīng)用包括通用和光伏逆變器、工業(yè)變頻器、電動(dòng)汽車(chē)充電站、焊接設(shè)備及商用和農(nóng)用車(chē)等。優(yōu)化的
- 關(guān)鍵字: 英飛凌 SiC-MOSFET
理解超級(jí)結(jié)技術(shù)
- 基于超級(jí)結(jié)技術(shù)的功率MOSFET已成為高壓開(kāi)關(guān)轉(zhuǎn)換器領(lǐng)域的業(yè)界規(guī)范。它們提供更低的RDS(on),同時(shí)具有更少的柵極和和輸出電荷,這有助于在任意給定頻率下保持更高的效率。在超級(jí)結(jié)MOSFET出現(xiàn)之前,高壓器件的主要設(shè)計(jì)平臺(tái)是基于平面技術(shù)。但高壓下的快速開(kāi)關(guān)會(huì)產(chǎn)生AC/DC電源和逆變器方面的挑戰(zhàn)。從平面向超級(jí)結(jié)MOSFET過(guò)渡的設(shè)計(jì)工程師常常為了照顧電磁干擾(EMI)、尖峰電壓及噪聲考慮而犧牲開(kāi)關(guān)速度。本應(yīng)用指南將比較兩種平臺(tái)的特征,以便充分理解和使用超級(jí)結(jié)技術(shù)的優(yōu)點(diǎn)。 為了理解兩種技術(shù)的差異,我
- 關(guān)鍵字: MOSFET 超級(jí)結(jié)結(jié)構(gòu)
意法半導(dǎo)體(ST)新的MOSFET晶體管技術(shù)/封裝解決方案重新定義功率能效
- 橫跨多重電子應(yīng)用領(lǐng)域、全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體供應(yīng)商意法半導(dǎo)體(STMicroelectronics,簡(jiǎn)稱(chēng)ST;紐約證券交易所代碼:STM)最新的MDmeshTM DM2 N-通道功率MOSFET為低壓電源設(shè)計(jì)人員提高計(jì)算機(jī)、電信網(wǎng)絡(luò)、工業(yè)、消費(fèi)電子產(chǎn)品的能效創(chuàng)造新的機(jī)會(huì)?! ∪澜绲娜硕荚讷@取、保存、分享大量的電子書(shū)、視頻、相片和音樂(lè)文件,數(shù)據(jù)使用量連續(xù)快速增長(zhǎng),運(yùn)行云計(jì)算技術(shù)的服務(wù)器集群、互聯(lián)互通的電信網(wǎng)絡(luò)、數(shù)據(jù)用戶終端設(shè)備的耗電量也隨之越來(lái)越高,人們對(duì)這些設(shè)備能耗最小化的需求越來(lái)越多
- 關(guān)鍵字: 意法半導(dǎo)體 MOSFET
MOSFET和三極管ON狀態(tài)有什么區(qū)別?
- MOSFET和三極管,在ON 狀態(tài)時(shí),MOSFET通常用Rds,三極管通常用飽和Vce。那么是否存在能夠反過(guò)來(lái)的情況,三極管用飽和Rce,而MOSFET用飽和Vds呢? 三極管ON狀態(tài)時(shí)工作于飽和區(qū),導(dǎo)通電流Ice主要由Ib與Vce決定,由于三極管的基極驅(qū)動(dòng)電流Ib一般不能保持恒定,因而Ice就不能簡(jiǎn)單的僅 由Vce來(lái)決定,即不能采用飽和Rce來(lái)表示(因Rce會(huì)變化)。由于飽和狀態(tài)下Vce較小,所以三極管一般用飽和Vce表示。 MOS管在ON狀態(tài)時(shí)工作于線性區(qū)(相當(dāng)于三極管的飽
- 關(guān)鍵字: MOSFET 三極管
解析IGBT的工作原理及作用
- 本文通過(guò)等效電路分析,通俗易懂的講解IGBT的工作原理和作用,并精簡(jiǎn)的指出了IGBT的特點(diǎn)??梢哉f(shuō),IGBT是一個(gè)非通即斷的開(kāi)關(guān),兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點(diǎn)。 IGBT(絕緣柵雙極型晶體管),是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式功率半導(dǎo)體器件,兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點(diǎn)。GTR飽和壓降低,載流密度大,但驅(qū)動(dòng)電流較大;MOSFET驅(qū)動(dòng)功率很小,開(kāi)關(guān)速度快,但導(dǎo)通壓降大,載流密度小。
- 關(guān)鍵字: IGBT MOSFET
【E問(wèn)E答】搞清楚MOS管的幾種“擊穿”?
- MOSFET的擊穿有哪幾種? Source、Drain、Gate 場(chǎng)效應(yīng)管的三極:源級(jí)S 漏級(jí)D 柵級(jí)G (這里不講柵極GOX擊穿了啊,只針對(duì)漏極電壓擊穿) 先講測(cè)試條件,都是源柵襯底都是接地,然后掃描漏極電壓,直至Drain端電流達(dá)到1uA。所以從器件結(jié)構(gòu)上看,它的漏電通道有三條:Drain到source、Drain到Bulk、Drain到Gate?! ?) Drain->Source穿通擊穿: 這個(gè)主要是Drain加反偏電壓后,使得Drain/Bulk
- 關(guān)鍵字: MOS管 MOSFET
如何避免LLC諧振轉(zhuǎn)換器中的MOSFET出現(xiàn)故障
- 為了降低能源成本,設(shè)備設(shè)計(jì)人員正在不斷尋找優(yōu)化功率密度的新方法。通常情況下,電源設(shè)計(jì)人員通過(guò)增大開(kāi)關(guān)頻率來(lái)降低功耗和縮小系統(tǒng)尺寸。由于具有諸多優(yōu)勢(shì)如寬輸出調(diào)節(jié)范圍、窄開(kāi)關(guān)頻率范圍以及甚至在空載情況下都能保證零電壓開(kāi)關(guān),LLC 諧振轉(zhuǎn)換器應(yīng)用越來(lái)越普遍。但是,功率 MOSFET 出現(xiàn)故障一直是LLC 諧振轉(zhuǎn)換器中存在的一個(gè)問(wèn)題。在本文中,我們將闡述如何避免這些情況下出現(xiàn)MOSFET 故障。 初級(jí) MOSFET 的不良體二極管性能可能導(dǎo)致一些意想不到的系統(tǒng)或器件故障,如在各種異常條件下發(fā)生嚴(yán)重的直通
- 關(guān)鍵字: 諧振轉(zhuǎn)換器 MOSFET
完全自保護(hù)MOSFET功率器件分析
- 為了提高系統(tǒng)可靠性并降低保修成本,設(shè)計(jì)人員在功率器件中加入故障保護(hù)電路,以免器件發(fā)生故障,避免對(duì)電子系統(tǒng)造成高代價(jià)的損害。這通常利用外部傳感器、分立電路和軟件來(lái)實(shí)現(xiàn),但是在更多情況下,設(shè)計(jì)人員使用完全自保護(hù)的MOSFET功率器件來(lái)完成?! D1顯示了完全自保護(hù)MOSFET的一般拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)。這些器件常見(jiàn)的其他特性包括狀態(tài)指示、數(shù)字輸入、差分輸入和過(guò)壓及欠壓切斷。高端配置包括片上電荷泵功能。但是,大多數(shù)器件都具備三個(gè)電路模塊,即電流限制、溫度限制和漏-源過(guò)壓箝制,為器件提供大部分的保護(hù)?! ?nbsp;&n
- 關(guān)鍵字: MOSFET 功率器件
功率MOSFET在正激式驅(qū)動(dòng)電路中的應(yīng)用簡(jiǎn)析
- 功率MOSFET在目前一些大功率電源的產(chǎn)品設(shè)計(jì)中得到了廣泛的應(yīng)用,此前本文曾經(jīng)就幾種常見(jiàn)的MOSFET電路設(shè)計(jì)類(lèi)型進(jìn)行了簡(jiǎn)單總結(jié)和介紹。在今天的文章中,本文將會(huì)就這一功率器件的另一種應(yīng)用方式,即有隔離變壓器存在的互補(bǔ)驅(qū)動(dòng)電路,進(jìn)行簡(jiǎn)要分析?! ∮懈綦x變壓器的互補(bǔ)驅(qū)動(dòng)電路作為一種比較常見(jiàn)的驅(qū)動(dòng)電路形式,在目前的家電產(chǎn)品設(shè)計(jì)中應(yīng)用較多,其典型電路結(jié)構(gòu)如圖1(a)所示。在圖1(a)所給出的電路結(jié)構(gòu)中,V1、V2為互補(bǔ)工作,電容C起隔離直流的作用,T1為高頻、高磁率的磁環(huán)或磁罐。
- 關(guān)鍵字: MOSFET 驅(qū)動(dòng)電路
入門(mén)必看的MOSFET小功率驅(qū)動(dòng)電路知識(shí)分享
- 功率器件MOSFET是目前應(yīng)用頻率最高的電子元件之一,也是很多電子工程師在入門(mén)學(xué)習(xí)時(shí)的重點(diǎn)方向。如果設(shè)計(jì)得當(dāng),MOSFET驅(qū)動(dòng)電路可以幫助工程師快速、高效、節(jié)能的完成電路系統(tǒng)的驅(qū)動(dòng)設(shè)計(jì),本文在這里將會(huì)分享一種比較常見(jiàn)的MOSFET驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì)方案,該方案尤其適用于小功率電路系統(tǒng)的采用。 下圖中,圖1(a)所展示的是一種目前業(yè)內(nèi)比較常用的小功率MOSFET驅(qū)動(dòng)電路,這一電路系統(tǒng)的特點(diǎn)是簡(jiǎn)單可靠,且設(shè)計(jì)成本比較低,尤其適用于不要求隔離的小功率開(kāi)關(guān)設(shè)備。圖1(b)所示驅(qū)動(dòng)電路開(kāi)關(guān)速度很快,驅(qū)動(dòng)能力強(qiáng),為防
- 關(guān)鍵字: MOSFET 驅(qū)動(dòng)電路
Diodes 40V車(chē)用MOSFET適用于電機(jī)控制應(yīng)用
- Diodes公司 (Diodes Incorporated) 新推出的兩款40V車(chē)用MOSFET DMTH4004SPSQ及DMTH4005SPSQ溫度額定值高達(dá)+175°C,非常適合在高溫環(huán)境下工作。DMTH4004SPSQ旨在滿足水泵和燃油泵等超過(guò)750W的高功率無(wú)刷直流電機(jī)應(yīng)用的要求;DMTH4005SPSQ則適用于低功率無(wú)刷直流應(yīng)用,包括備用泵和暖通空調(diào)系統(tǒng)。 DMTH4004SPSQ及DMTH4005SPSQ為滿足三相無(wú)刷直流電機(jī)控制應(yīng)用的嚴(yán)格要求,
- 關(guān)鍵字: Diodes MOSFET
怎樣降低MOSFET損耗并提升EMI性能
- 一、引言 MOSFET作為主要的開(kāi)關(guān)功率器件之一,被大量應(yīng)用于模塊電源。了解MOSFET的損耗組成并對(duì)其分析,有利于優(yōu)化MOSFET損耗,提高模塊電源的功率;但是一味的減少M(fèi)OSFET的損耗及其他方面的損耗,反而會(huì)引起更嚴(yán)重的EMI問(wèn)題,導(dǎo)致整個(gè)系統(tǒng)不能穩(wěn)定工作。所以需要在減少M(fèi)OSFET的損耗的同時(shí)需要兼顧模塊電源的EMI性能?! 《?、開(kāi)關(guān)管MOSFET的功耗分析 MOSFET的損耗主要有以下部分組成:1.通態(tài)損耗;2.導(dǎo)通損耗;3.關(guān)斷損耗;4.驅(qū)動(dòng)
- 關(guān)鍵字: MOSFET EMI
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