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聞達(dá)精芯之安，泰然創(chuàng)新于世

安世半導(dǎo)體（Nexperia）是全球半導(dǎo)體行業(yè)公認(rèn)的基礎(chǔ)半導(dǎo)體器件生產(chǎn)專家，持續(xù)穩(wěn)定地大批量生產(chǎn)超越業(yè)界質(zhì)量標(biāo)準(zhǔn)的高效產(chǎn)品。
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同時(shí)實(shí)現(xiàn)業(yè)界超快反向恢復(fù)時(shí)間和超低導(dǎo)通電阻的600V耐壓超級(jí)結(jié) MOSFET “R60xxVNx系列”

全球知名半導(dǎo)體制造商羅姆（總部位于日本京都市）的600V耐壓超級(jí)結(jié) MOSFET“PrestoMOS?”產(chǎn)品陣容中又新增了“R60xxVNx系列”的7款機(jī)型，新產(chǎn)品非常適用于電動(dòng)汽車充電樁、服務(wù)器、基站等需要大功率的工業(yè)設(shè)備的電源電路、以及空調(diào)等因節(jié)能趨勢(shì)而采用變頻技術(shù)的白色家電的電機(jī)驅(qū)動(dòng)。近年來(lái)，隨著全球電力消耗量的增加，如何有效利用電力已成為亟待解決的課題，在這種背景下，電動(dòng)汽車充電樁、服務(wù)器和基站等工業(yè)設(shè)備以及空調(diào)等白色家電的效率不斷提升，因此也就要求其中所用的功率半導(dǎo)體進(jìn)一步降低功率損耗。針對(duì)這種
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英飛凌推出采用D2PAK封裝的650 V CoolSiCTM MOSFET，進(jìn)一步降低應(yīng)用損耗并提高可靠性

在數(shù)字化、城市化和電動(dòng)汽車等大趨勢(shì)的推動(dòng)下，電力消耗日益增加。與此同時(shí)，提升能源效率的重要性也在與日俱增。為了順應(yīng)當(dāng)下全球發(fā)展大勢(shì)并滿足相關(guān)市場(chǎng)需求，英飛凌科技股份公司近日推出了650 V CoolSiCTM MOSFET系列新產(chǎn)品。該產(chǎn)品具有高可靠性、易用性和經(jīng)濟(jì)實(shí)用等特點(diǎn)，能夠提供卓越的性能。這些SiC器件采用了英飛凌先進(jìn)的SiC溝槽工藝、緊湊的D2PAK 表面貼裝7引腳封裝和.XT互連技術(shù)，廣泛適用于大功率應(yīng)用，包括服務(wù)器、電信設(shè)備、工業(yè)SMPS、電動(dòng)汽車快速充電、電機(jī)驅(qū)動(dòng)、太陽(yáng)能系統(tǒng)、儲(chǔ)能系統(tǒng)和電
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東芝推出采用最新一代工藝的150V N溝道功率MOSFET，可大幅提高電源效率

東芝電子元件及存儲(chǔ)裝置株式會(huì)社（“東芝”）近日宣布，推出150V N溝道功率MOSFET---“TPH9R00CQH”。該器件采用最新一代[1]“U-MOSX-H”工藝，適用于工業(yè)設(shè)備開(kāi)關(guān)電源，其中包括數(shù)據(jù)中心電源和通信基站電源。該產(chǎn)品于今日開(kāi)始支持批量出貨。與使用當(dāng)前一代“U-MOSⅧ-H”工藝的150V產(chǎn)品TPH1500CNH相比，TPH9R00CQH的漏源導(dǎo)通電阻下降約42%。對(duì)新型MOSFET的結(jié)構(gòu)優(yōu)化促進(jìn)實(shí)現(xiàn)源漏導(dǎo)通電阻和兩項(xiàng)電荷特性[2]之間的平衡[3]，從而實(shí)現(xiàn)了優(yōu)異的低損耗特性。此外，開(kāi)關(guān)
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恩智浦與日立能源合作開(kāi)發(fā)電源模塊，加快碳化硅在電動(dòng)交通領(lǐng)域的采用

恩智浦半導(dǎo)體（NXP Semiconductors N.V.）近日宣布與日立能源合作，加快碳化硅（SiC）電源半導(dǎo)體模塊在電動(dòng)交通領(lǐng)域的采用。此次合作項(xiàng)目為動(dòng)力逆變器提供基于SiC MOSFET的解決方案，更高效可靠且功能安全，該解決方案由恩智浦先進(jìn)的高性能GD3160隔離式高壓柵極驅(qū)動(dòng)器和日立能源RoadPak汽車SiC MOSFET功率模塊組成。產(chǎn)品重要性電動(dòng)汽車廠商采用SiC MOSFET動(dòng)力器件，可比采用傳統(tǒng)硅IGBT獲得更高的續(xù)航里程，提高系統(tǒng)整體效率。SiC MOSFET功率器件帶有高性能功率
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如何為開(kāi)關(guān)電源選擇合適的MOSFET？

DC/DC開(kāi)關(guān)控制器的MOSFET選擇是一個(gè)復(fù)雜的過(guò)程。僅僅考慮MOSFET的額定電壓和電流并不足以選擇到合適的MOSFET。要想讓MOSFET維持在規(guī)定范圍以內(nèi)，必須在低柵極電荷和低導(dǎo)通電阻之間取得平衡。在多負(fù)載電源系統(tǒng)中，這種情況會(huì)變得更加復(fù)雜。圖1：降壓同步開(kāi)關(guān)穩(wěn)壓器原理圖。DC/DC開(kāi)關(guān)電源因其高效率而廣泛應(yīng)用于現(xiàn)代許多電子系統(tǒng)中。例如，同時(shí)擁有一個(gè)高側(cè)FET和低側(cè)FET的降壓同步開(kāi)關(guān)穩(wěn)壓器，如圖1所示。這兩個(gè)FET會(huì)根據(jù)控制器設(shè)置的占空比進(jìn)行開(kāi)關(guān)操作，旨在達(dá)到理想的輸出電壓。降壓穩(wěn)壓器的占空比方
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Nexperia先進(jìn)電熱模型可覆蓋整個(gè)MOSFET工作溫度范圍

基礎(chǔ)半導(dǎo)體元器件領(lǐng)域的高產(chǎn)能生產(chǎn)專家Nexperia（安世半導(dǎo)體）近日宣布MOSFET器件推出全新增強(qiáng)型電熱模型。半導(dǎo)體制造商通常會(huì)為MOSFET提供仿真模型，但一般僅限于在典型工作溫度下建模的少量器件參數(shù)。Nexperia的全新先進(jìn)模型可捕獲-55℃至175℃的整個(gè)工作溫度范圍的一系列完整器件參數(shù)。這些先進(jìn)模型中加入了反向二極管恢復(fù)時(shí)間和電磁兼容性(EMC)，大大提升了器件整體精度。參數(shù)可幫助工程師建立精確的電路和系統(tǒng)級(jí)仿真，并在原型設(shè)計(jì)前對(duì)電熱及EMC性能進(jìn)行評(píng)估。模型還有助于節(jié)省時(shí)間和資源，工程師此
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羅姆SiC評(píng)估板測(cè)評(píng)：快充測(cè)試

一、測(cè)試工裝準(zhǔn)備1、P02SCT3040KR-EVK-001測(cè)試板2、電壓源3、示波器4、負(fù)載儀二、測(cè)試項(xiàng)目進(jìn)行1、安裝 SIC后的空載波形SiC安裝空載波形空板，空載GS 為100hz 25V 信號(hào)2、DCDC 在線測(cè)試1）空載測(cè)試驅(qū)動(dòng)空載輸出12V，gs驅(qū)動(dòng)為200hz總寬度3.6uS的錐形信號(hào)2）加載 24轉(zhuǎn)55V 2A dcdc驅(qū)動(dòng)信號(hào)波形如下：帶載 6.6k 15V驅(qū)動(dòng)信號(hào)單脈沖寬度，3uS左右總結(jié)由于輕負(fù)載，溫度始終未超過(guò)50度。開(kāi)關(guān)速度方面優(yōu)于硅基產(chǎn)品，以后有對(duì)應(yīng)設(shè)備
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羅姆SiC評(píng)估板測(cè)評(píng)：射頻熱凝控制儀測(cè)試

測(cè)試設(shè)備①直流電源由于手上沒(méi)有高電壓的直流電源，只能使用一般的電源，且手上只有一個(gè)低壓直流穩(wěn)壓源，所以這穩(wěn)壓電源既用于給開(kāi)發(fā)板電源供電，又用于半橋母線電源。②電子負(fù)載半橋電源電源的輸出負(fù)載，可恒流或者恒壓或者恒負(fù)載，測(cè)試電源的帶載能力非常好用。③信號(hào)發(fā)生器產(chǎn)生不同頻率的可調(diào)制的方波信號(hào)，用于MOS管的驅(qū)動(dòng)④示波器觀察驅(qū)動(dòng)信號(hào)、輸出信號(hào)、MOS管的波形⑤萬(wàn)用表測(cè)量各測(cè)試點(diǎn)的電壓⑥溫度巡檢儀測(cè)量帶載后MOS管的溫度測(cè)試拓?fù)鋵⒄f(shuō)明書(shū)中電路按照上述描述修改：兩個(gè)直流電源換成CBB電容，在Hvdc母線上加上12V電
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羅姆SiC評(píng)估板測(cè)評(píng)：基于碲化鎘弱光發(fā)電玻璃的高效功率變換技術(shù)研究

感謝ROHM公司提供的P02SCT3040KR-EVK-001評(píng)估板，有幸參與評(píng)估板的測(cè)試。拿到評(píng)估板的第一感覺(jué)就是扎實(shí)，評(píng)估板四層PCB的板子厚度達(dá)到了30mm；高壓區(qū)域也有明顯的標(biāo)識(shí)。
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SiC MOSFET的橋式結(jié)構(gòu)解析

本文將對(duì)SiC MOSFET的橋式結(jié)構(gòu)和工作進(jìn)行介紹。
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碳化硅MOSFET晶體管的特征

功率轉(zhuǎn)換電路中的晶體管的作用非常重要，為進(jìn)一步實(shí)現(xiàn)低損耗與應(yīng)用尺寸小型化，一直在進(jìn)行各種改良。
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非互補(bǔ)有源鉗位可實(shí)現(xiàn)超高功率密度反激式電源設(shè)計(jì)

離線反激式電源在變壓器初級(jí)側(cè)需要有鉗位電路（有時(shí)稱為緩沖器），以在正常工作期間功率MOSFET開(kāi)關(guān)關(guān)斷時(shí)限制其兩端的漏源極電壓應(yīng)力。設(shè)計(jì)鉗位電路時(shí)可以采用不同的方法。低成本的無(wú)源網(wǎng)絡(luò)可以有效地實(shí)現(xiàn)電壓鉗位，但在每個(gè)開(kāi)關(guān)周期必須耗散鉗位能量，這會(huì)降低效率。一種改進(jìn)的方法就是對(duì)鉗位和功率開(kāi)關(guān)采用互補(bǔ)驅(qū)動(dòng)的有源鉗位技術(shù)，使得能效得以提高，但它們會(huì)對(duì)電源的工作模式帶來(lái)限制（例如，無(wú)法工作于CCM工作模式）。為了克服互補(bǔ)有源鉗位電路所帶來(lái)的設(shè)計(jì)限制，可以采用另外一種更先進(jìn)的控制技術(shù)，即非互補(bǔ)有源鉗位。該技術(shù)可確保以
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擴(kuò)展新應(yīng)用領(lǐng)域，PI推出首款汽車級(jí)開(kāi)關(guān)電源IC

　　2022年2月15日，Power Integrations召開(kāi)新品發(fā)布會(huì)，推出業(yè)界首款內(nèi)部集成1700V SiC MOSFET的汽車級(jí)高壓開(kāi)關(guān)IC——InnoSwitch3-AQ 1700V。新產(chǎn)品是業(yè)界首款采用碳化硅(SiC)初級(jí)開(kāi)關(guān)MOSFET的汽車級(jí)開(kāi)關(guān)電源IC，可提供高達(dá)70W的輸出功率，主要用于600V和800V純電池和燃料電池乘用車，以及電動(dòng)巴士、卡車和各種工業(yè)電源應(yīng)用。在ACDC消費(fèi)類應(yīng)用中積累了深厚經(jīng)驗(yàn)的Power Integrations，此次將目光聚焦到電動(dòng)汽車領(lǐng)域的ACDC應(yīng)用上
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英飛凌推出全新的OptiMOS?源極底置功率MOSFET

高功率密度、出色的性能和易用性是當(dāng)前電源系統(tǒng)設(shè)計(jì)的關(guān)鍵要求。為此，英飛凌科技股份公司近日推出了新一代OptiMOS? 源極底置（Source-Down，簡(jiǎn)稱SD）功率MOSFET，為解決終端應(yīng)用中的設(shè)計(jì)挑戰(zhàn)提供切實(shí)可行的解決方案。該功率MOSFET采用PQFN 封裝，尺寸為3.3 x 3.3 mm2，支持從25 V到100 V的寬電壓范圍。此種封裝可實(shí)現(xiàn)更高的效率、更高的功率密度以及業(yè)內(nèi)領(lǐng)先的熱性能指標(biāo)，并降低BOM成本，在功率MOSFET的性能方面樹(shù)立了新的行業(yè)標(biāo)桿。該器件的應(yīng)用領(lǐng)域十分廣泛，涵蓋電機(jī)驅(qū)
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　　金屬-氧化層-半導(dǎo)體-場(chǎng)效晶體管，簡(jiǎn)稱金氧半場(chǎng)效晶體管（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET）是一種可以廣泛使用在類比電路與數(shù)位電路的場(chǎng)效晶體管（field-effect transistor）。MOSFET依照其“通道”的極性不同，可分為n-type與p-type的MOSFET，通常又稱為NMOSFET與PMOSF [ 查看詳細(xì) ]