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瑞薩電子推出新款超級結(jié)MOSFET

瑞薩電子公司 (TSE: 6723)，高級半導(dǎo)體解決方案的主要供應(yīng)商，日前宣布推出三款新型超級結(jié)金屬氧化物場效應(yīng)三極管(超級結(jié)MOSFET)，具有如下的特點：600V功率半導(dǎo)體器件中的導(dǎo)通電阻X柵極電荷，適用于高速電機驅(qū)動、DC-DC轉(zhuǎn)換器和DC-AC逆變器應(yīng)用。
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MOSFET驅(qū)動器及功耗計算方法

我們先來看看MOS關(guān)模型：

Cgs：由源極和溝道區(qū)域重疊的電極形成的，其電容值是由實際區(qū)域的大小和在不同工作條件下保持恒定。
Cgd：是兩個不同作用的結(jié)果。第一JFET區(qū)域和門電極的重疊，第二是
耗盡區(qū)電容
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Vishay推出新款8V N溝道TrenchFET 功率

日前，Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號：VSH)宣布，推出新款8V N溝道TrenchFET?功率MOSFET---SiA436DJ。該器件采用占位面積2mm x 2mm的熱增強型PowerPAK? SC-70封裝，具有N溝道器件中最低的導(dǎo)通電阻。
關(guān)鍵字： Vishay MOSFET SiA436DJ

高效能低電壓Power MOSFET及其參數(shù)與應(yīng)用

前言近年來，產(chǎn)業(yè)的發(fā)展、有限的資源及日益嚴重的地球暖化現(xiàn)象，促使環(huán)保節(jié)能的觀念逐漸受到重視，更造...
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MHP技術(shù)在鋰電池電路保護中的應(yīng)用

鋰離子電池的先進技術(shù)使得高能量的鋰離子電池具備更高的能量密度和更輕的重量，可以取代諸如電動工具、電...
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理解MOSFET開關(guān)損耗和主導(dǎo)參數(shù)

本文詳細分析計算開關(guān)損耗，并論述實際狀態(tài)下功率MOSFET的開通過程和自然零電壓關(guān)斷的過程，從而使電子工程師知...
關(guān)鍵字： MOSFET 開關(guān)損耗主導(dǎo)參數(shù)

羅姆開發(fā)出用于DC/DC轉(zhuǎn)換器的耐壓30V功率MOSFET

日本知名半導(dǎo)體制造商羅姆(總部位于日本京都市)面向服務(wù)器、筆記本電腦以及平板電腦等所使用的低耐壓DC/DC轉(zhuǎn)換器，開發(fā)出了功率MOSFET。
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恩智浦推出首款2mmx2mm超薄封裝MOSFET

恩智浦半導(dǎo)體(納斯達克代碼：NXPI)日前推出業(yè)內(nèi)首款2 mm x 2 mm、采用可焊性鍍錫側(cè)焊盤的超薄DFN (分立式扁平無引腳)封裝MOSFET。這些獨特的側(cè)焊盤提供光學(xué)焊接檢測的優(yōu)勢，與傳統(tǒng)無引腳封裝相比，焊接連接質(zhì)量更好。
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IR推出車用功率MOSFET

全球功率半導(dǎo)體和管理方案領(lǐng)導(dǎo)廠商 – 國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 推出采用堅固耐用TO-220 fullpak封裝的車用功率MOSFET系列，適合包括無刷直流電機、水泵和冷卻系統(tǒng)在內(nèi)的各類汽車應(yīng)用。
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能使導(dǎo)通電阻下降的功率MOSFET相關(guān)情況解析方案

工程師在為汽車電子設(shè)計電源系統(tǒng)時可能會遇到在設(shè)計任何電源應(yīng)用時都會面臨的挑戰(zhàn)。因為功率器件MOSFET必須能夠承受極為苛刻的環(huán)境條件。環(huán)境工作溫度超過120℃會使器件的結(jié)點溫度升高，從而引發(fā)可靠性和其它問題。在
關(guān)鍵字：情況解析方案相關(guān) MOSFET 電阻下降功率能使導(dǎo)

開關(guān)電源MOSFET驅(qū)動電路介紹及分析

開關(guān)電源由于體積小、重量輕、效率高等優(yōu)點，應(yīng)用已越來越普及。MOSFET由于開關(guān)速度快、易并聯(lián)、所需驅(qū)動功率低等優(yōu)點已成為開關(guān)電源最常用的功率開關(guān)器件之一。而驅(qū)動電路的好壞直接影響開關(guān)電源工作的可靠性及性能
關(guān)鍵字：介紹分析電路驅(qū)動 MOSFET 開關(guān)電源

MOSFET雙芯片功率封裝簡化電源設(shè)計

目前，電源工程師面臨的一個主要難題是，隨著功能的日益增多，商用電子產(chǎn)品的尺寸不斷縮小，留給電源電路的空間越來越少。解決這個難題的辦法之一是充分利用在MOSFET技術(shù)和封裝上的進步。通過在更小尺寸的封裝內(nèi)采用
關(guān)鍵字：電源設(shè)計簡化封裝芯片功率 MOSFET

中國新一代汽車電子的兩大設(shè)計趨勢

如今的汽車市場正受到經(jīng)濟危機的沖擊，與此同時，提高安全性能和綠色環(huán)保這兩大趨勢也驅(qū)動著新一代汽車的發(fā)展，并...
關(guān)鍵字：智能開關(guān) MOSFET DC-DC轉(zhuǎn)換器

恩智浦推出新型汽車級TrenchMOS器件

恩智浦半導(dǎo)體NXP Semiconductors N.V. (納斯達克：NXPI)日前宣布推出全新汽車級功率MOSFET器件系列，該系列采用恩智浦的Trench 6技術(shù)，具有極低導(dǎo)通電阻(RDSon)、極高的開關(guān)性能以及出色的品質(zhì)和可靠性。恩智浦新型汽車級MOSFET已取得AEC-Q101認證，成功通過了175?C高溫下超過1,600小時的延長壽命測試(性能遠超Q101標準要求)，同時具有極低PPM 水平。
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車用MOSFET如何提高能量利用效率與質(zhì)量可靠性

工程師在為汽車電子設(shè)計電源系統(tǒng)時可能會遇到在設(shè)計任何電源應(yīng)用時都會面臨的挑戰(zhàn)。因為功率器件MOSFET必須能夠承受極為苛刻的環(huán)境條件。環(huán)境工作溫度超過120℃會使器件的結(jié)點溫度升高，從而引發(fā)可靠性和其它問題。在
關(guān)鍵字： MOSFET 車用如何提高能量

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mosfet介紹

　　金屬-氧化層-半導(dǎo)體-場效晶體管，簡稱金氧半場效晶體管（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET）是一種可以廣泛使用在類比電路與數(shù)位電路的場效晶體管（field-effect transistor）。MOSFET依照其“通道”的極性不同，可分為n-type與p-type的MOSFET，通常又稱為NMOSFET與PMOSF [ 查看詳細 ]