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典型功率MOSFET驅(qū)動保護電路設計方案

功率場效應晶體管（PowerMOSFET）是一種多數(shù)載流子導電的單極型電壓控制器件，具有開關速度快、高頻性能好、...
關鍵字： MOSFET 驅(qū)動保護電路

精確測量功率MOSFET的導通電阻

電阻值的測量通常比較簡單。但是，對于非常小阻值的測量，我們必須謹慎對待我們所做的假定。對于特定的幾何形狀，如電線，Kelvin方法是非常精確的。可以使用類似的方法來測量均勻樣本的體電阻率和面電阻率，但是所使
關鍵字： MOSFET 精確測量導通電阻

MOSFET的驅(qū)動保護電路的設計與應用

摘要：率場效應晶體管由于具有諸多優(yōu)點而得到廣泛的應用；但它承受短時過載的能力較弱，使其應用受到一定的限制。分析了MOSFET器件驅(qū)動與保護電路的設計要求；計算了MOSFET驅(qū)動器的功耗及MOSFET驅(qū)動器與MOSFET的匹配
關鍵字：設計應用電路保護驅(qū)動 MOSFET

IR推出緊湊型PowIRaudio模塊

全球功率半導體和管理方案領導廠商 – 國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 推出PowIRaudio集成式功率模塊系列，適用于高性能家庭影院系統(tǒng)及車用音頻放大器。新器件將脈沖寬度調(diào)制控制器和兩個數(shù)字音頻功率MOSFET集成至單一封裝，提供高效緊湊的解決方案，有助于減少零部件數(shù)量，縮小高達70% 的電路板尺寸，并能簡化D類放大器設計。
關鍵字： IR MOSFET PowIRaudio

功率MOSFET的鋰電池保護電路設計

鉛酸電池具有安全、便宜、易維護的特點，因此目前仍然廣泛的應用于電動自行車。但是鉛酸電池污染大、笨重、循環(huán)次數(shù)少，隨著世界各國對環(huán)保要求越來越高，鉛酸電池的使用會越來越受到限制。磷酸鐵鋰電池作為一種新型
關鍵字：電路設計保護鋰電池 MOSFET 功率

飛兆開發(fā)出P溝道PowerTrench WL-CSP MOSFET

便攜設備的設計人員面臨著在終端應用中節(jié)省空間、提高效率和應對散熱問題的挑戰(zhàn)。為了順應這一趨勢，飛兆半導體公司(Fairchild Semiconductor)開發(fā)了FDZ661PZ和FDZ663P P溝道、1.5V規(guī)格的PowerTrench?薄型0.8mm x 0.8mm WL-CSP MOSFET器件。
關鍵字：飛兆 MOSFET P溝道

飛兆推出一款低側(cè)高雙功率芯片非對稱N溝道模塊

隨著功率需求增加以便為高密度嵌入式DC-DC電源提供更多的功能，電源工程師面臨著在較小的線路板空間提供更高功率密度和更高效率的挑戰(zhàn)。飛兆半導體公司(Fairchild Semiconductor) 因而推出一款25V、3.3x3.3mm2低側(cè)高雙功率芯片非對稱N溝道模塊 FDPC8011S，幫助設計人員應對這一系統(tǒng)挑戰(zhàn)。
關鍵字：飛兆 MOSFET FDPC8011S N溝道

恩智浦推出可實現(xiàn)高功率LED設計靈活性的GreenChip

　　新型純控制器降壓LED驅(qū)動器成本優(yōu)勢明顯、效率傲視群雄　　中國上海，2012年5月7日訊 —— 恩智浦半導體NXP Semiconductors N.V.(NASDAQ：NXPI)今天宣布推出SSL2109，該款高效降壓控制器面向采用非隔離式拓撲結(jié)構的高功率非調(diào)光型LED照明應用。SSL2109 LED驅(qū)動器IC與外部功率開關一同使用，為100V、120V和230V電源輸入電壓和最高25 W的功率范圍提供了單一的設計平臺。SSL2109提供了廣受歡迎的SSL2108x系列的
關鍵字：恩智浦 MOSFET

Vishay新一代TrenchFET MOSFET再度刷新

日前，Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號：VSH)宣布，推出其新一代TrenchFET? Gen IV系列30V n溝道功率MOSFET器件---SiRA00DP、SiRA02DP、SiRA04DP和SiSA04DN。這四款器件皆采用了新型高密度設計，在4.5V下導通電阻低至1.35m?，Miller電荷Qgd低至1.8nC，采用PowerPAK? SO-8和1212-8封裝。
關鍵字： Vishay MOSFET

飛兆半導體開發(fā)出一款智能高側(cè)開關系列

在現(xiàn)今的汽車應用中，設計人員需要把大電流可靠和安全地引流到接地的阻性或感性負載，這類應用包括：白熾燈、電機控制和加熱器件等?，F(xiàn)在要實現(xiàn)這一目的，設計人員不得不依賴分立式或機電式解決方案，或是受制于市場上數(shù)量有限的解決方案。
關鍵字：飛兆 MOSFET F085A

Vishay榮獲2012中國年度電子成就獎

日前，Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號：VSH)宣布，該公司的SiZ710DT 20 V n溝道PowerPAIR?功率MOSFET榮獲功率器件/電壓轉(zhuǎn)換器類別的2012中國年度電子成就獎。
關鍵字： Vishay MOSFET 轉(zhuǎn)換器

智能MOSFET驅(qū)動器提升電源性能的設計方案

在電源系統(tǒng)中，MOSFET驅(qū)動器一般僅用于將PWM控制IC的輸出信號轉(zhuǎn)換為高速的大電流信號，以便以最快的速度打開和...
關鍵字： MOSFET 驅(qū)動器電源性能

車用MOSFET：尋求性能與保護的最佳組合

工程師在為汽車電子設計電源系統(tǒng)時可能會遇到在設計任何電源應用時都會面臨的挑戰(zhàn)。因為功率器件MOSFET必須能夠承受極為苛刻的環(huán)境條件。環(huán)境工作溫度超過120℃會使器件的結(jié)點溫度升高，從而引發(fā)可靠性和其它問題。在
關鍵字： MOSFET 車用保護性能

IR推出一系列采用TSOP-6封裝系列產(chǎn)品

全球功率半導體和管理方案領導廠商 – 國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 推出一系列采用TSOP-6封裝、搭載IR最新低壓HEXFET MOSFET硅技術的器件，適用于電池保護與逆變器開關中的負載開關、充電和放電開關等低功率應用。
關鍵字： IR MOSFET

技術講座：用氧化鎵能制造出比SiC性價比更高的功率元件（二）

基板成本也較低采用β-Ga2O3制作基板時，可使用“FZ（floatingzone）法”及“EFG（edge-definedfilm-fed...
關鍵字：氧化鎵 SiC 功率元件 MOSFET LED

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mosfet介紹

　　金屬-氧化層-半導體-場效晶體管，簡稱金氧半場效晶體管（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET）是一種可以廣泛使用在類比電路與數(shù)位電路的場效晶體管（field-effect transistor）。MOSFET依照其“通道”的極性不同，可分為n-type與p-type的MOSFET，通常又稱為NMOSFET與PMOSF [ 查看詳細 ]