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開關(guān)電源MOSFET漏源極電壓電磁干擾的仿真分析

1引言開關(guān)電源是目前用途非常廣泛的一種電源設(shè)備，然而隨著開關(guān)頻率以及開關(guān)速度的不斷提高，產(chǎn)生的電磁干擾越來越大，由于市場準(zhǔn)入制度的實施，電磁干擾研究已引起了足夠的重視。干擾源是電磁干擾的三要素之一，是電
關(guān)鍵字：仿真分析干擾電磁 MOSFET 電壓開關(guān)電源

集成MOSFET驅(qū)動器的全橋移相控制器-LM5046(三)

摘要：新推出的全橋移相控制器LM51346，全橋變換器的全部功能，LM5046組成的全橋DC／DC基本電路，內(nèi)部等效電路。而其具備28個PIN腳功能，文中一一有分解說明。
關(guān)鍵詞：全橋移相控制器LM5046：28個PIN腳功能(上接第
關(guān)鍵字：控制器 -LM5046 全橋移驅(qū)動器 MOSFET 集成

大功率電源中MOSFET功率計算

計算功率耗散　　要確定一個MOSFET場效應(yīng)管是否適于某一特定應(yīng)用，需要對其功率耗散進行計算。耗散主要包括 ...
關(guān)鍵字：大功率電源中 MOSFET 功率

適用于小功率電機驅(qū)動系統(tǒng)的MOSFET逆變模塊

摘要
　　本文介紹新型的MOSFET逆變模塊，用于驅(qū)動風(fēng)扇和水泵中的小型直流無刷電機。這種功率模塊集成了6個MOSFET和相應(yīng)的高壓柵極驅(qū)動電路 (HVIC)。通過使用專門設(shè)計的MOSFET和HVIC，該模塊能提供最小的功耗和最佳
關(guān)鍵字： MOSFET 逆變模塊系統(tǒng) 驅(qū)動功率電機適用于

計算大功率電源中MOSFET的功率耗散

中心議題：計算大功率電源中MOSFET的功率耗散解決方案：重新設(shè)定輸入電壓范圍改變開關(guān)頻率
也許便攜式電源設(shè)計工程師所面臨的最大挑戰(zhàn)在于向現(xiàn)代高性能CPU供電。最近，CPU供電電流每兩年翻一倍。事實上
關(guān)鍵字：功率耗散 MOSFET 電源大功率計算

Diodes：MOSFET控制器提升PSU效率

　　Diodes公司推出同步MOSFET控制器ZXGD3104N8，其額定電壓為25V，適用于90W及以上的筆記本和便攜式電腦的電源設(shè)計。這款新品能取代返馳式轉(zhuǎn)換器內(nèi)效率較低的肖特基二極管，并通過減少多達(dá)70%的整流器損耗，有效提升最高達(dá)3.5%的電源效率。因此，該器件有助電源供應(yīng)系統(tǒng)更容易達(dá)到能源之星V2.0所規(guī)定的電源平均效率需達(dá)到87%的評級要求。　　這款采用SO8封裝的MOSFET控制器操作電壓范圍寬廣，介于5V至25V之間，可由適配器的19V供電軌直接供電，并且在瞬態(tài)過壓狀態(tài)下，保證器件正常
關(guān)鍵字： Diodes MOSFET 控制器

MOSFET控制器有助提升PSU效率

Diodes公司推出同步MOSFET控制器ZXGD3104N8，其額定電壓為25V，適用于90W及以上的筆記本和便攜式電腦的電源設(shè)計。這款新品能取代返馳式轉(zhuǎn)換器內(nèi)效率較低的肖特基二極管，并通過減少多達(dá)70%的整流器損耗，有效提升最高達(dá)3.5%的電源效率。因此，該器件有助電源供應(yīng)系統(tǒng)更容易達(dá)到能源之星V2.0所規(guī)定的電源平均效率需達(dá)到87%的評級要求。
關(guān)鍵字： Diodes MOSFET ZXGD3104N8

德州儀器推出4A與5A雙通道輸出MOSFET驅(qū)動器

日前，德州儀器 (TI) 宣布推出 3 款可提高高密度隔離式電源效率與可靠性的新一代雙通道輸出柵極驅(qū)動器，進一步壯大其 MOSFET 驅(qū)動器產(chǎn)品陣營。
關(guān)鍵字： TI MOSFET UCC27210

二極管泄漏電流及MOSFET亞閾區(qū)電流的測量

中心議題：二極管的泄漏電流的測量 MOSFET的亞閾區(qū)電流的測量解決方案：采用源-測量單元測量二極管的泄漏電流采用兩臺SMU來測量MOSFET的亞閥區(qū)電流
測試半導(dǎo)體器件和晶圓片（Wafer）常常要涉及到測量
關(guān)鍵字：電流測量 MOSFET 二極管泄漏

Diodes封裝MOSFET有助于實現(xiàn)低溫操作

　　Diodes公司推出首款采用微型DFN1212-3封裝MOSFET。該器件的結(jié)點至環(huán)境熱阻(Rthj-a)為130oC/W，能在持續(xù)狀態(tài)下支持高達(dá)1W的功率耗散，相比于占位面積相同、Rthi-a性能為280oC/W的SOT723封裝，能實現(xiàn)更低溫度運行。　　這款無鉛DFN1212-3封裝MOSFET與采用SOT723封裝的MOSFET一樣，印刷電路板(PCB)面積為1.44mm2，并具備0.5mm的狹小離板高度，但后者的熱效率則較低。這對采用DFN1212-3封裝的MOSFET
關(guān)鍵字： Diodes MOSFET

汽車HID前燈鎮(zhèn)流器及PFC控制解決方案

英飛凌汽車HID前燈鎮(zhèn)流器及PFC控制解決方案主要由5個MOSFET、2個高電壓驅(qū)動器、1個PFC控制器和1個HID燈鎮(zhèn)流...
關(guān)鍵字： HID燈鎮(zhèn)流器 MOSFET 高電壓驅(qū)動器

UCC27321高速驅(qū)動MOSFET芯片的應(yīng)用設(shè)計

UCC27321高速驅(qū)動MOSFET芯片的應(yīng)用設(shè)計,1　引言

　　隨著電力電子技術(shù)的發(fā)展，各種新型的驅(qū)動芯片層出不窮，為驅(qū)動電路的設(shè)計提供了更多的選擇和設(shè)計思路，外圍電路大大減少，使得MOSFET的驅(qū)動電路愈來愈簡潔，.性能也獲得到了很大地提高。其中UCC27321
關(guān)鍵字：應(yīng)用設(shè)計芯片 MOSFET 高速驅(qū)動 UCC27321

智能MOSFET驅(qū)動器提升數(shù)字控制電源性能的設(shè)計方案

在電源系統(tǒng)中，MOSFET驅(qū)動器一般僅用于將PWM控制IC的輸出信號轉(zhuǎn)換為高速的大電流信號，以便以最快的速度打開和關(guān)閉MOSFET。由于驅(qū)動器IC與MOSFET的位置相鄰，所以就需要增加智能保護功能以增強電源的可靠性?！　CD
關(guān)鍵字： MOSFET 驅(qū)動器數(shù)字控制電源設(shè)計方案

科銳推出芯片型碳化硅功率器件

碳化硅(SiC)功率器件領(lǐng)域的市場領(lǐng)先者科銳公司將繼續(xù)引領(lǐng)高效率電子電力模組變革，宣布推出業(yè)界首款符合全面認(rèn)證的可應(yīng)用于電力電子模組的裸芯片型及芯片型碳化硅MOSFET功率器件?？其J碳化硅ZFET MOSFET器件和二極管適用于高階電力電子電路，與傳統(tǒng)硅器件相比，可實現(xiàn)更高的能源效率。
關(guān)鍵字：科銳 SiC MOSFET

飛兆半導(dǎo)體鋰離子電池組保護設(shè)計解決方案

便攜產(chǎn)品的設(shè)計人員通常在設(shè)計的每個階段都會面對減小空間和提高效率的挑戰(zhàn)。在超便攜應(yīng)用等使用單節(jié)鋰離子電池的產(chǎn)品中，這是一個特別重要的問題。
關(guān)鍵字：飛兆半導(dǎo)體 MOSFET FDMB2307NZ

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mosfet介紹

　　金屬-氧化層-半導(dǎo)體-場效晶體管，簡稱金氧半場效晶體管（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET）是一種可以廣泛使用在類比電路與數(shù)位電路的場效晶體管（field-effect transistor）。MOSFET依照其“通道”的極性不同，可分為n-type與p-type的MOSFET，通常又稱為NMOSFET與PMOSF [ 查看詳細(xì) ]