高級半導體解決方案領導廠商瑞薩電子株式會社(以下簡稱瑞薩電子)已于近日宣布開始供應第12代新型功率MOSFET(金屬氧化物半導體晶體管)產品—— RJK0210DPA、RJK0211DPA和RJK0212DPA。新產品作為面向DC/DC轉換器的功率半導體器件，主要面向計算機服務器和筆記本電腦等的應用。
本次推出的3款功率MOSFET可用于控制CPU和存儲器的電壓轉換電路。例如，可作為降壓電路，用于將電池提供的12V電壓轉換為1.05V，以便為CPU所用。隨著公司進一步推進
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瑞薩電子 MOSFET
b觸點型“PhotoMOS”的開發(fā)
隨著PhotoMOS MOSFET輸出光電耦合器的優(yōu)勢被廣泛了解，人們將其用于信息通信設備、OA設備、FA設備及其他廣泛的領域。為了滿足大眾進一步的需求，本公司開發(fā)出了“可通過機械實現、并擁有所有觸點構成(b觸點、c觸點)”的PhotoMOS MOSFET輸出光電耦合器。
為實現該產品的開發(fā)，我們在功率MOSFET制造工藝中采用了融有DSD法(Double-Diffused and Selective Do
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Panasonic MOSFET PhotoMOS
全球功率半導體和管理方案領導廠商 – 國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 今天宣布推出汽車用 DirectFET®2 功率 MOSFET 系列，適合D 類音頻系統(tǒng)輸出級等高頻開關應用。
新推出的 AUIRF7640S2、AUIRF7647S2 和 AUIRF7675M2 器件，拓展了 IR 適用于汽車 D 類音頻系統(tǒng)的 DirectFET®2 功率 MOSFET 陣營，并利用低柵極電荷 (Qg) 作出優(yōu)化，來改善總諧波失真
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IR MOSFET
采用功率MOSFET及其驅動器和光纖收發(fā)器件，研究了激光觸發(fā)開關脈沖功率源控制技術中的快上升沿(≤5 ns)觸發(fā)信號產生、驅動、傳輸及光纖隔離、高耐壓脈沖變壓器使用等關鍵技術。給出了激光器外觸發(fā)控制電路的設計及測試結果，并對其應用特點進行了分析和討論。
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MOSFET 激光器 觸發(fā)系統(tǒng)
Diodes 公司推出采用超小型 SOT963封裝的雙極晶體管 (BJT)、MOSFET和瞬態(tài)抑制二極管 (TVS) 器件，性能可媲美甚至超過采用更大封裝的器件。
Diodes SOT963的占板面積僅有0.7 mm2，比SOT723封裝少30%，比SOT563封裝少60%，適合低功耗應用。占板面積節(jié)省加上0.5 mm的離板高度，讓Diodes 的 SOT963 封裝器件能夠滿足各種超便攜式電子產品的要求。
現階段推出的SOT963封裝產品線包括6款通用雙極雙晶體管組合、3款小信號雙MOS
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Diodes MOSFET BJT TVS
我們先來看看MOS關模型：
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MOSFET 驅動器 功耗計算
之前，我們介紹了如何對正向轉換器輸出整流器開啟期間兩端的電壓進行緩沖?，F在，我們來研究如何對反向轉換器的 FET 關斷電壓進行緩沖。圖 1 顯示了反向轉換器功率級和一次側 MOSFET 電壓波形。該轉換器將能量存儲于
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轉換器 緩沖 設計 MOSFET TI 德州儀器
前言:
Panasonic電工的“PhotoMOS”是一款采用光電元件以及功率MOSFET進行輸出的輸出光電耦合器。面試二十年間，在全世界的銷量達到八億個，堪稱是一款銷售成績驕人的商品。“PhotoMOS”滿足了小型·輕量·薄形化的需求，作為適應電子化的輸出光電耦合器，增加了①高靈敏性、高速響應;②從傳感器輸入信號水平到高頻的控制;③從聲音信號到高頻用途的對應;④高可靠性和長使用壽命;⑤可進行表面安裝的SMD型;⑥多功能
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松下電工 MOSFET PhotoMOS 光電耦合器
英飛凌科技股份公司近日面向大電流應用的汽車推出一款具備全球最低通態(tài)電阻的30V功率MOSFET(金屬氧化物半導體場效應晶體管)。全新的OptiMOS™-T2 30V MOSFET是一款N溝道器件，在10V柵源電壓條件下，漏極電流為180A，而通態(tài)電阻僅為0.9毫歐。采用D2PAK-7封裝的IPB180N03S4L-H0，可滿足客戶對標準封裝功率 MOSFET的需求：以最低成本獲得高額定電流和最低通態(tài)電阻。
基于英飛凌適用于功率MOSFET的功能強大的第二代溝槽技術，OptiMOS-T
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英飛凌 MOSFET
英飛凌科技股份公司近日面向大電流應用的汽車推出一款具備全球最低通態(tài)電阻的30V功率MOSFET(金屬氧化物半導體場效應晶體管)。全新的OptiMOS?-T2 30V MOSFET是一款N溝道器件，在10V柵源電壓條件下，漏極電流為180A，而通態(tài)電阻僅為0.9毫歐。采用D2PAK-7封裝的IPB180N03S4L-H0，可滿足客戶對標準封裝功率 MOSFET的需求：以最低成本獲得高額定電流和最低通態(tài)電阻。
基于英飛凌適用于功率MOSFET的功能強大的第二代溝槽技術，OptiMOS-T2器件成為大
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英飛凌 MOSFET
國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 今天宣布拓展了針對低導通電阻(RDS(on))應用的汽車用功率 MOSFET 專用系列，包括車載電源及內燃機 (ICE) 、微型混合動力和全混合動力平臺上的重載應用。
新的 MOSFET 系列器件系列在 55V 的電壓下可提供低達 2.6 mΩ 的導通電阻，可以承受 40V 至100V 的電壓，并涵蓋了此前推出的 75V 產品。當中一些具有更高電壓的器件非常適用于 24V 卡車系統(tǒng)，采用 D2Pak-7P
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IR MOSFET
日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出業(yè)界最小和最薄的N溝道芯片級功率MOSFET --- Si8800EDB，該器件也是面積低于1mm2的首款產品。20V MICRO FOOT® Si8800EDB具有0.8mmx0.8mm的超小外形和0.357mm的厚度，可減少在便攜式電子產品中占用的空間。
隨著便攜式產品變得愈加小巧，器件的尺寸成為選擇器件的重要因素，因為按鍵和電池占用了大部分空間，使PCB的面積受到極大限制。Si8800EDB具有超小的外形和
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Vishay MOSFET
全球功率半導體和管理方案領導廠商 – 國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 推出全新HEXFET®功率MOSFET系列。該器件采用業(yè)界標準SOT-23封裝，具有超低導通電阻 (RDS(on)) ，適用于電池充電及放電開關、系統(tǒng)和負載開關、輕載電機驅動，以及電信設備等應用。
新款SOT-23 MOSFET 器件采用IR最新的中壓硅技術，通過大幅降低90% RDS(on)顯著改善了電流處理能力，為客戶的特定應用優(yōu)化了性能及價格。
IR
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IR MOSFET HEXFET
2010年6月8日，由中國電子技術權威雜志《電子產品世界》舉辦的“2009年度電源產品評選”活動在“第七屆綠色電源與電源管理技術研討會”舉行了頒獎典禮。社長陳秋娜女士宣布了最終的獲獎結果，中國電源學會常務理事長李龍文和陳秋娜女士分別為獲獎廠商代表進行頒獎。本次活動中共收到來自近20家國內外電源廠商提交的五大類別60多款產品，經網上票選和專家測評最終的分別選出最佳創(chuàng)新獎和最佳應用獎獲獎產品，另外還同時從所有參選產品中特別評選出了兩款綠色電源獎產品獎。
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電源管理 MOSFET LED驅動
日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出三款新型500V、12A的N溝道功率MOSFET --- SiHP12N50C-E3、SiHF12N50C-E3和SiHB12N50C-E3，該MOSFET在10V柵極驅動下的最大導通電阻達到超低的0.555Ω，柵極電荷減小為48nC，采用TO-220、TO-220 FULLPAK和D2PAK(TO-263)封裝。
這三款器件的低導通電阻意味著更低的功率損耗，從而在各種應用的功率因數校正(PFC)升壓電路、脈寬調
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Vishay MOSFET
mosfet介紹
金屬-氧化層-半導體-場效晶體管，簡稱金氧半場效晶體管（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET）是一種可以廣泛使用在類比電路與數位電路的場效晶體管（field-effect transistor）。MOSFET依照其“通道”的極性不同，可分為n-type與p-type的MOSFET，通常又稱為NMOSFET與PMOSF [
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