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半橋拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)高端MOSFET驅(qū)動(dòng)方案選擇：變壓器還是硅芯片？

　　在節(jié)能環(huán)保意識(shí)的鞭策及世界各地最新能效規(guī)范的推動(dòng)下，提高能效已經(jīng)成為業(yè)界共識(shí)。與反激、正激、雙開關(guān)反激、雙開關(guān)正激和全橋等硬開關(guān)技術(shù)相比，雙電感加單電容(LLC)、有源鉗位反激、有源鉗位正激、非對(duì)稱半橋(AHB)及移相全橋等軟開關(guān)技術(shù)能提供更高的能效。因此，在注重高能效的應(yīng)用中，軟開關(guān)技術(shù)越來越受設(shè)計(jì)人員青睞。　　另一方面，半橋配置最適合提供高能效/高功率密度的中低功率應(yīng)用。半橋配置涉及兩種基本類型的MOSFET驅(qū)動(dòng)器，即高端(High-Side)驅(qū)動(dòng)器和低端(Low-Side)驅(qū)動(dòng)器。高端表示M
關(guān)鍵字：安森美 MOSFET 變壓器硅芯片

RS推出1200種三洋半導(dǎo)體產(chǎn)品

　　國際著名電子、電機(jī)和工業(yè)產(chǎn)品分銷商RS Components于今日宣布，通過其在線目錄RS Online(RS在線：http://www.rs-components.com)渠道推出三洋(SANYO)半導(dǎo)體公司的1200類半導(dǎo)體產(chǎn)品。　　此次推出的產(chǎn)品中，除了有采用三洋半導(dǎo)體獨(dú)自技術(shù)達(dá)成的用于電源電池管理的MOSFET系列(具有業(yè)界最高水準(zhǔn)的低導(dǎo)通電阻特性, 并實(shí)現(xiàn)了小型薄型大功率), 低壓驅(qū)動(dòng)閃光用IGBT產(chǎn)品以外，還包括低飽和電壓,射頻用各種雙極晶體管產(chǎn)品。通過驅(qū)使獨(dú)自的核心技術(shù), 三洋在多
關(guān)鍵字： RS MOSFET IGBT

IR 推出一系列新型HEXFET 功率MOSFET

　　國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 推出一系列新型HEXFET® 功率MOSFET，其中包括能夠提供業(yè)界最低導(dǎo)通電阻 (RDS(on)) 的IRFH6200TRPbF。　　這些新的功率MOSFET采用IR最先進(jìn)的硅技術(shù)，是該公司首批采用5x6mm PQFN封裝、優(yōu)化銅片和焊接片芯的器件。IRFH6200TRPbF 20V器件可實(shí)現(xiàn)業(yè)界領(lǐng)先的RDS(on)，在4.5V Vgs下，最高僅為1.2m?，顯著降低了手工工具等直流電機(jī)驅(qū)動(dòng)應(yīng)用的傳導(dǎo)損耗。
關(guān)鍵字： IR MOSFET HEXFET

PI新推出的TOPSwitch-JX系列電源轉(zhuǎn)換IC

　　PI公司今日宣布推出TOPSwitch-JX系列器件，新產(chǎn)品系列共由16款高度集成的功率轉(zhuǎn)換IC組成，其內(nèi)部均集成有一個(gè)725 V功率MOSFET，適用于設(shè)計(jì)反激式電源。新型TOPSwitch-JX器件采用多模式控制算法，可提高整個(gè)負(fù)載范圍內(nèi)的功率效率。由于在滿功率下工作效率較高，因此可減少正常工作期間的功率消耗量，同時(shí)降低系統(tǒng)散熱管理的復(fù)雜性及費(fèi)用支出。在低輸入功率水平下，高效率還可使適配器的空載功耗降至最低，增大待機(jī)模式下對(duì)系統(tǒng)的供電量，這一點(diǎn)特別適用于受到能效標(biāo)準(zhǔn)和規(guī)范約束的產(chǎn)品應(yīng)用。　
關(guān)鍵字： PI 功率轉(zhuǎn)換IC TOPSwitch-JX MOSFET

基于UCC27321高速M(fèi)OSFET驅(qū)動(dòng)芯片的功能與應(yīng)用

基于UCC27321高速M(fèi)OSFET驅(qū)動(dòng)芯片的功能與應(yīng)用,1　引言

　　隨著電力電子技術(shù)的發(fā)展，各種新型的驅(qū)動(dòng)芯片層出不窮，為驅(qū)動(dòng)電路的設(shè)計(jì)提供了更多的選擇和設(shè)計(jì)思路，外圍電路大大減少，使得MOSFET的驅(qū)動(dòng)電路愈來愈簡潔，.性能也獲得到了很大地提高。其中UCC27321
關(guān)鍵字：芯片功能應(yīng)用驅(qū)動(dòng) MOSFET UCC27321 高速基于

飛兆半導(dǎo)體微型以封裝高效產(chǎn)品應(yīng)對(duì)DC-DC設(shè)計(jì)挑戰(zhàn)

　　飛兆半導(dǎo)體公司(Fairchild Semiconductor)推出具高效率和出色熱性能，并有助實(shí)現(xiàn)更薄、更輕和更緊湊的電源解決方案的MOSFET產(chǎn)品系列，可應(yīng)對(duì)工業(yè)、計(jì)算和電信系統(tǒng)對(duì)更高效率和功率密度的設(shè)計(jì)挑戰(zhàn)。　　FDMC7570S是采用3mm x 3mm MLP 封裝、具有業(yè)界最低RDS(ON)的25V MOSFET器件，可提供無與倫比的效率和結(jié)溫性能。FDMC7570S在10VGS 下的RDS(ON) 為1.6mOhm，在4.5VGS下則為2.3mOhm;其傳導(dǎo)損耗更比其它外形尺寸相同
關(guān)鍵字： Fairchild MOSFET 電源

飛兆半導(dǎo)體在IIC China展會(huì)上展示功率技術(shù)和移動(dòng)技術(shù)

　　飛兆半導(dǎo)體公司 (Fairchild Semicondcutor) 將在IIC China 2010展會(huì)上，展示其最新的功率技術(shù)和移動(dòng)技術(shù)。時(shí)間及地點(diǎn)分別是3月4至5日于深圳會(huì)展中心2號(hào)展館2K19展臺(tái)，以及3月15至16日于上海世貿(mào)商城四樓8H01展臺(tái)。　　智能移動(dòng)解決方案：　　飛兆半導(dǎo)體將展示其豐富的模擬技術(shù)產(chǎn)品系列，以及相關(guān)的定制解決方案和系統(tǒng)級(jí)專有技術(shù)，這些產(chǎn)品及方案在解決移動(dòng)領(lǐng)域之設(shè)計(jì)和應(yīng)用難題方面發(fā)揮不可或缺的重要作用。例如，飛兆半導(dǎo)體的業(yè)界最小的USB附件開關(guān)FSA800將所有主
關(guān)鍵字：飛兆功率智能移動(dòng) MOSFET

馬達(dá)設(shè)計(jì)中提升更高的效率

　　中心議題：　　馬達(dá)的結(jié)構(gòu) 　　提升馬達(dá)工作的效率　　解決方案：　　正弦脈沖調(diào)制控制方式　　智能功率模塊　　近些年來，家用電器對(duì)節(jié)能的要求變得越來越強(qiáng)烈。這是很顯然的，僅電冰箱所消耗的能量就超過家庭用電量的10%。由于電冰箱的馬達(dá)主要在低速運(yùn)轉(zhuǎn)，就有非常大的節(jié)能潛力，通過在低速驅(qū)動(dòng)器中簡單改進(jìn)馬達(dá)的驅(qū)動(dòng)效率就能實(shí)現(xiàn)。　　同樣，據(jù)估計(jì)工業(yè)用電的65%被電驅(qū)動(dòng)馬達(dá)所消耗，毫無疑問，商家正逐漸意識(shí)到節(jié)能將成為改善收益率和競爭能力的關(guān)鍵。在電驅(qū)動(dòng)馬達(dá)中降低能量消耗有兩種主要的方式：改善
關(guān)鍵字：工業(yè)電子馬達(dá) MOSFET

英飛凌推出OptiMOS調(diào)壓MOSFET和DrMOS系列

　　英飛凌科技股份公司近日宣布，公司將在2010年應(yīng)用電力電子會(huì)議和產(chǎn)品展示會(huì)上，推出OptiMOS 25V器件系列，壯大OptiMOS 功率 MOSFET產(chǎn)品陣容。該系列器件經(jīng)過優(yōu)化，適合應(yīng)用于計(jì)算機(jī)服務(wù)器電源的電壓調(diào)節(jié)電路和電信/數(shù)據(jù)通信的開關(guān)。這種全新的MOSFET還被集成進(jìn)滿足英特爾DrMOS規(guī)范的TDA21220 DrMOS。　　通過大幅降低三個(gè)關(guān)鍵的能效優(yōu)值(FOM)，這種全新的器件無論在任何負(fù)載條件下，都可使MOSFET功耗降低20%，同時(shí)達(dá)到更高的性能。此外，更高的功率密度還能讓典型電
關(guān)鍵字：英飛凌 OptiMOS MOSFET DrMOS

開關(guān)電源中功率MOSFET的驅(qū)動(dòng)技術(shù)薈萃

功率MOSFET以其導(dǎo)通電阻低和負(fù)載電流大的突出優(yōu)點(diǎn)，已經(jīng)成為開關(guān)電源（switch-mode power supplies，SMPS）整流組件的最佳選擇，專用MOSFET驅(qū)動(dòng)器的出現(xiàn)又為優(yōu)化SMPS控制器帶來了契機(jī)。那些與SMPS控制器集成在一起的
關(guān)鍵字：技術(shù) 薈萃驅(qū)動(dòng) MOSFET 功率開關(guān)電源電源

CISSOID引入了新系列P通道高溫功率MOSFET晶體管

　　CISSOID，在高溫半導(dǎo)體解決方案的領(lǐng)導(dǎo)者，介紹了 VENUS，他們的新系列高溫　30V 的 P通道功率 MOSFET 晶體管保證操作在攝氐負(fù)55度到225度之間。P通道功率 MOSFETs 的VENUS系列命名為 CHT-PMOS3002，CHT-PMOS3004 及CHT-PMOS3008，其最大漏電流額定分別為2A，4A及8A。它們補(bǔ)充了該公司在2009年11月介紹的 N 通道 MOSFETs 的 SATURN 系列。　　VENUS 功率 MOSFETs 表現(xiàn)出色的高溫性能。在攝氏 225
關(guān)鍵字： CISSOID MOSFET 晶體管

安森美半導(dǎo)體推出高壓MOSFET系列

　　應(yīng)用于綠色電子產(chǎn)品的首要高性能、高能效硅方案供應(yīng)商安森美半導(dǎo)體擴(kuò)充公司市場領(lǐng)先的功率開關(guān)產(chǎn)品陣容，推出包括500伏特(V)和600 V器件的高壓功率金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管(MOSFET)系列。這些新方案的設(shè)計(jì)適合功率因數(shù)校正(PFC)和脈寬調(diào)制(PWM)段等高壓、節(jié)能應(yīng)用的強(qiáng)固要求，在這些應(yīng)用中，加快導(dǎo)通時(shí)間及降低動(dòng)態(tài)功率損耗至關(guān)重要。具體而言，這些方案非常適合用于游戲機(jī)、打印機(jī)和筆記本電源適配器，及應(yīng)用于ATX電源、液晶顯示器(LCD)面板電源和工業(yè)照明鎮(zhèn)流器。　　這些新的500 V和60
關(guān)鍵字：安森美 MOSFET 功率開關(guān)

NXP 推出全新60 V和100 V晶體管

　　恩智浦半導(dǎo)體(NXP Semiconductors)今天宣布推出全新60 V和100 V晶體管，擴(kuò)充Trench 6 MOSFET產(chǎn)品線。新產(chǎn)品采用Power SO-8LFPAK封裝，支持60 V和100 V兩種工作電壓。Trench 6芯片技術(shù)和高性能LFPAK封裝工藝的整合賦予新產(chǎn)品出色的性能和可靠性，為客戶提供眾多實(shí)用價(jià)值。　　LFPAK是一種“真正”意義上的功率封裝，通過優(yōu)化設(shè)計(jì)實(shí)現(xiàn)最佳熱/電性能、成本優(yōu)勢(shì)和可靠性。LFPAK是汽車行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)AEC-Q101唯一認(rèn)可的
關(guān)鍵字： NXP 晶體管 MOSFET

NexFETTM：新一代功率 MOSFET

1對(duì)于理想開關(guān)的需求功率 MOSFET 可作為高頻率脈沖寬度調(diào)變 (PWM) 應(yīng)用中的電氣開關(guān)，例如穩(wěn)壓器及/或控制電源應(yīng)用之中負(fù)載電流的開關(guān)。作為負(fù)載開關(guān)使用時(shí)，由于切換時(shí)間通常較長，因此裝置的成本、尺寸及導(dǎo)通電阻
關(guān)鍵字： NexFETTM MOSFET

利用智能MOSFET驅(qū)動(dòng)器提升數(shù)字控制電源性能

在電源系統(tǒng)中，MOSFET驅(qū)動(dòng)器一般僅用于將PWM控制IC的輸出信號(hào)轉(zhuǎn)換為高速的大電流信號(hào)，以便以最快的速度打開和關(guān)閉MOSFET。由于驅(qū)動(dòng)器IC與MOSFET的位置相鄰，所以就需要增加智能保護(hù)功能以增強(qiáng)電源的可靠性。　　UC
關(guān)鍵字： MOSFET 驅(qū)動(dòng)器數(shù)字控制電源性能

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mosfet介紹

　　金屬-氧化層-半導(dǎo)體-場效晶體管，簡稱金氧半場效晶體管（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET）是一種可以廣泛使用在類比電路與數(shù)位電路的場效晶體管（field-effect transistor）。MOSFET依照其“通道”的極性不同，可分為n-type與p-type的MOSFET，通常又稱為NMOSFET與PMOSF [ 查看詳細(xì) ]