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Maxim推出內(nèi)置MOSFET的供電設(shè)備(PSE)控制器

　　Maxim推出單端口、供電設(shè)備(PSE)控制器MAX5971A，適用于IEEE® 802.3af/at兼容的大功率以太網(wǎng)供電(PoE+)應(yīng)用。器件集成導(dǎo)通電阻為0.5Ω的功率MOSFET和檢測(cè)電阻，有效節(jié)省了空間和成本，能夠?yàn)镮P電話、IP照相機(jī)、無(wú)線LAN接入點(diǎn)以及視頻監(jiān)控照相機(jī)等用電設(shè)備(PD)提供每端口高達(dá)40W的功率。　　MAX5971A完全兼容IEEE 802.3af和IEEE 802.3at標(biāo)準(zhǔn)。器件工作在32V至60V電壓范圍，為IEEE 802.3af/at兼容
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電壓高（120VP-P）的功率MOSFET放大器

電路的能功要使放大后的波形與輸入波形相似，放大電路必須采用對(duì)稱電路，而且有源元件的特性要一致。本電路就是波形失真小的放大電路，各級(jí)均為推挽對(duì)稱電路，可以獲得上升邊和下降邊時(shí)間常數(shù)基本相等的脈沖響應(yīng)以及
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高頻特性得到改善的功率MOSFET放大器

電路的功能用于大功率的MOSFET功率放大器，其轉(zhuǎn)換速度比單級(jí)晶體管快，適合在高頻條件下工作。本電路使用了決定轉(zhuǎn)換速度的激勵(lì)器，而且還在輸出級(jí)采用了MOSFET，使高頻特性得以改善。輸出功率取決于電源電壓和負(fù)載。
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英飛凌推出新型ThinPAK 8x8無(wú)管腳SMD

　　英飛凌科技股份公司近日推出適用于高壓功率MOSFET的全新無(wú)管腳SMD封裝ThinPAK 8x8。新封裝的占板空間僅為64平方毫米(D2PAK的占板空間為150平方毫米)，高度僅為1毫米(D2PAK的高度為4.4毫米)。大幅縮小的封裝尺寸結(jié)合低寄生電感，使設(shè)計(jì)者能以全新方式有效降低高功率密度應(yīng)用所需的系統(tǒng)解決方案尺寸。　　全新封裝采用表面貼裝方式，在8x8毫米的無(wú)管腳封裝內(nèi)，貼裝業(yè)界標(biāo)準(zhǔn)TO-220晶粒，并具備金屬裸焊盤(pán)，便于內(nèi)部高效散熱。其低矮外形便于設(shè)計(jì)者設(shè)計(jì)出更薄的電源外殼，滿足當(dāng)今市場(chǎng)對(duì)時(shí)
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MOSFET的UIS及雪崩能量解析

在功率MOSFET的數(shù)據(jù)表中，通常包括單脈沖雪崩能量EAS，雪崩電流IAR，重復(fù)脈沖雪崩能量EAR等參數(shù)，而許多電子工程師在設(shè)計(jì)電源系統(tǒng)的過(guò)程中，很少考慮到這些參數(shù)與電源系統(tǒng)的應(yīng)用有什么樣的聯(lián)系，如何在實(shí)際的應(yīng)用中評(píng)
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基于功率MOSFET設(shè)計(jì)考量

用作功率開(kāi)關(guān)的MOSFET
隨著數(shù)十年來(lái)器件設(shè)計(jì)的不斷優(yōu)化，功率MOSFET晶體管帶來(lái)了新的電路拓?fù)浜碗娫葱实奶嵘?。功率器件從電流?qū)動(dòng)變?yōu)殡妷候?qū)動(dòng)，加快了這些產(chǎn)品的市場(chǎng)滲透速度。上世紀(jì)80年代，平面柵極功率MOSFET
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Vishay推出30V P溝道第三代TrenchFET功率MOSFET

　　日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出首款采用PowerPAK? 1212-8封裝的30V P溝道第三代TrenchFET?功率MOSFET --- Si7625DN。在這種電壓等級(jí)和3.3mmx3.3mm占位面積的P溝道MOSFET中，該器件的導(dǎo)通電阻是最低的。　　新款Si7625DN可用于筆記本電腦、上網(wǎng)本和工業(yè)/通用系統(tǒng)中的適配器、負(fù)載和電池開(kāi)關(guān)。適配器開(kāi)關(guān)(在適配器、墻上電源和電池電源之間切換)通常是開(kāi)啟并且吸收電流。Si7625DN更低的
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集成式解決方案提高功率調(diào)節(jié)器的效率

　　引言　　通信電路板常常采用負(fù)載點(diǎn)(PoL)DC-DC轉(zhuǎn)換器來(lái)為數(shù)字IC (FPGA、DSP 及 ASIC) 供電。一般而言，一個(gè)48V的背板采用中間總線架構(gòu)(IBA)作為電路板的輸入電源，為不同負(fù)載點(diǎn)(PoL)供電，而中間電壓通常選為12V(見(jiàn)圖1)。這種傳統(tǒng)方案包含一個(gè)分立式PoL，該P(yáng)oL是以分立的方式使用控制器、驅(qū)動(dòng)器和MOSFET。由于該方案需要額外的設(shè)計(jì)和制造時(shí)間，故半導(dǎo)體供應(yīng)商目前開(kāi)始轉(zhuǎn)而采用完全集成的調(diào)節(jié)器解決方案，以期縮短上市時(shí)間，減小PCB空間，并使終端應(yīng)用達(dá)到更高的效率水平。本
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英飛凌第二財(cái)季扭虧為盈凈利潤(rùn)1.042億美元

　　據(jù)國(guó)外媒體報(bào)道，歐洲第二大芯片制造商英飛凌(Infineon Technologies AG)近日公布的財(cái)報(bào)顯示，結(jié)束于3月份的本財(cái)年第二財(cái)季凈利潤(rùn)為7900萬(wàn)歐元(約合1.042億美元)，去年同期虧損2.39億歐元;第二財(cái)季營(yíng)收為 10億歐元，同比增長(zhǎng)55%。　　第二財(cái)季凈利潤(rùn)好于分析師預(yù)期，營(yíng)收與分析師預(yù)期相當(dāng)。據(jù)彭博社調(diào)查的分析師此前曾預(yù)計(jì)，該公司第二季度經(jīng)調(diào)整凈利潤(rùn)7130萬(wàn)歐元。第二財(cái)季為英飛凌連續(xù)第三季度實(shí)現(xiàn)盈利，而在那之前10個(gè)季度該公司累計(jì)虧損額高達(dá)39億歐元。　　英飛凌上調(diào)了
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Vishay推出P溝道第三代TrenchFET功率MOSFET

　　日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出首款采用芯片級(jí)MICRO FOOT®封裝的P溝道第三代TrenchFET®功率MOSFET --- Si8499DB。在1.5mmx1mm的占位面積內(nèi)，這款20V器件提供業(yè)內(nèi)P溝道MOSFET最低的導(dǎo)通電阻。　　新的Si8499DB是采用第三代TrenchFET P溝道技術(shù)的首款芯片級(jí)產(chǎn)品。這種最先進(jìn)的技術(shù)能夠?qū)崿F(xiàn)超精細(xì)、亞微米的節(jié)距工藝，將業(yè)內(nèi)P溝道MOSFET所能實(shí)現(xiàn)的最低導(dǎo)通電阻減小了一半：在4.5V、2
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英飛凌與飛兆半導(dǎo)體達(dá)成功率MOSFET兼容協(xié)議

　　英飛凌科技股份公司與飛兆半導(dǎo)體公司近日宣布，兩家公司就采用Power Stage 3x3和MLP 3x3 (Power33™)封裝的功率MOSFET達(dá)成封裝合作伙伴協(xié)議。　　兼容協(xié)議旨在保證供貨穩(wěn)定性，同時(shí)滿足對(duì)同級(jí)最佳的DC-DC轉(zhuǎn)換效率和熱性能的需求。這項(xiàng)協(xié)議利用了兩家企業(yè)的專業(yè)技術(shù)，為3A至20A的DC-DC應(yīng)用提供非對(duì)稱MOSFET、雙MOSFET和單MOSFET。　　英飛凌低壓MOSFET產(chǎn)品總監(jiān)兼產(chǎn)品線經(jīng)理Richard Kuncic表示：“我們的客戶將從功
關(guān)鍵字：英飛凌 MOSFET 飛兆半導(dǎo)體

Maxim推出內(nèi)置28V MOSFET的雙向過(guò)流保護(hù)器

　　Maxim推出內(nèi)置28V MOSFET的雙向過(guò)流保護(hù)器MAX14544/MAX14545，有效避免主機(jī)因過(guò)載故障和/或輸出過(guò)壓而損壞。器件本身的集成功能，結(jié)合開(kāi)關(guān)斷開(kāi)狀態(tài)下輸出端較高的耐壓能力，使其成為外設(shè)供電端口保護(hù)的理想選擇。目標(biāo)應(yīng)用包括：蜂窩電話、MID (移動(dòng)互聯(lián)網(wǎng)設(shè)備)、電子書(shū)及其它外掛配件的便攜設(shè)備。　　MAX14544/MAX14545的正向限流值可在200mA和400mA的工廠預(yù)置門(mén)限之間選擇，反向限流值設(shè)置為150mA。器件采用2mm x 2mm、8引腳TDFN無(wú)鉛封裝，工作在-
關(guān)鍵字： Maxim MOSFET 過(guò)流保護(hù)器

NXP發(fā)布以LFPAK為封裝全系列汽車功率MOSFET

　　恩智浦半導(dǎo)體(NXP?Semiconductors)近日成為首個(gè)發(fā)布以LFPAK為封裝(一種緊湊型熱增強(qiáng)無(wú)損耗的封裝)全系列汽車功率MOSFET的供應(yīng)商。結(jié)合了恩智浦在封裝技術(shù)及TrenchMOS技術(shù)方面的優(yōu)勢(shì)和經(jīng)驗(yàn)，新的符合Q101標(biāo)準(zhǔn)的LFPAK封裝MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管)被認(rèn)為是世界上高度可靠的功率SO-8封裝。LFPAK封裝針對(duì)高密度汽車應(yīng)用進(jìn)行了優(yōu)化，其面積比DPAK封裝減小了46%而具有與DPAK封裝近似的熱性能。　　隨著對(duì)電子應(yīng)用不斷增長(zhǎng)的消費(fèi)需求，汽車
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飛兆半導(dǎo)體和英飛凌科技達(dá)成功率MOSFET兼容協(xié)議

　　全球領(lǐng)先的高性能功率和移動(dòng)產(chǎn)品供應(yīng)商飛兆半導(dǎo)體公司(Fairchild Semiconductor)和英飛凌科技(Infineon Technologies)宣布，兩家公司就采用MLP 3x3 (Power33™)和Power Stage 3x3封裝的功率MOSFET達(dá)成封裝合作伙伴協(xié)議。　　兼容協(xié)議旨在保證供貨穩(wěn)定性，同時(shí)滿足對(duì)同級(jí)最佳的DC-DC轉(zhuǎn)換效率和熱性能的需求。這項(xiàng)協(xié)議利用了兩家企業(yè)的專業(yè)技術(shù)，為3A至20A的DC-DC應(yīng)用提供非對(duì)稱、單一n溝道MOSFET。　　飛兆半
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飛兆半導(dǎo)體和英飛凌科技達(dá)成功率MOSFET兼容協(xié)議

　　全球領(lǐng)先的高性能功率和移動(dòng)產(chǎn)品供應(yīng)商飛兆半導(dǎo)體公司(Fairchild Semiconductor)和英飛凌科技(Infineon Technologies)宣布，兩家公司就采用MLP 3x3 (Power33™)和Power Stage 3x3封裝的功率MOSFET達(dá)成封裝合作伙伴協(xié)議。　　兼容協(xié)議旨在保證供貨穩(wěn)定性，同時(shí)滿足對(duì)同級(jí)最佳的DC-DC轉(zhuǎn)換效率和熱性能的需求。這項(xiàng)協(xié)議利用了兩家企業(yè)的專業(yè)技術(shù)，為3A至20A的DC-DC應(yīng)用提供非對(duì)稱、單一n溝道MOSFET。　　飛兆半
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mosfet介紹

　　金屬-氧化層-半導(dǎo)體-場(chǎng)效晶體管，簡(jiǎn)稱金氧半場(chǎng)效晶體管（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET）是一種可以廣泛使用在類比電路與數(shù)位電路的場(chǎng)效晶體管（field-effect transistor）。MOSFET依照其“通道”的極性不同，可分為n-type與p-type的MOSFET，通常又稱為NMOSFET與PMOSF [ 查看詳細(xì) ]