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日美“卡脖子” 國(guó)產(chǎn)大存儲(chǔ)崛起能否取得成功？

　　小時(shí)候并不知道為什么唐僧要取經(jīng),取的什么經(jīng)?后來知道了,唐僧要的是所謂“大乘佛法”,簡(jiǎn)單說就是普度眾生,救民于水火。既有這樣的佛法,孫悟空何不多翻幾個(gè)筋斗,快快取來就是,為什么非要肉體凡胎的唐僧不辭勞苦、跋山涉水呢?難道上天就沒有好生之德嗎?還要設(shè)置各種妖怪來?yè)v亂,豈不是折騰人嗎? 　　上天當(dāng)然會(huì)有好生之德,這沒有什么好懷疑的。至于為什么折騰唐僧,并不是上天要以此為樂,所謂天機(jī)不可泄漏,九九八十一難其實(shí)就是真經(jīng)的一部分,對(duì)嗎? 　　其實(shí)現(xiàn)實(shí)生活也是如此。　　前不久,美國(guó)
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2019量產(chǎn)64層NAND閃存紫光絕不讓員工竊取前公司機(jī)密

　　國(guó)產(chǎn)手機(jī)勢(shì)頭越來越強(qiáng)勁，把三星和蘋果虐的夠嗆(主要是指國(guó)內(nèi)市場(chǎng)份額)，但繁榮背后是對(duì)核心產(chǎn)業(yè)鏈控制的缺失，就比如閃存芯片，這基本上被韓國(guó)廠商壟斷了。為了讓國(guó)產(chǎn)閃存有更好的發(fā)展，不少公司都在努力。挖來臺(tái)灣DRAM教父高啟全后，紫光旗下的長(zhǎng)江存儲(chǔ)開始全速狂飆。　　近日，高啟全接受媒體采訪時(shí)表示，長(zhǎng)江存儲(chǔ)將在2019年開始量產(chǎn)64層堆棧的3D NAND閃存，這個(gè)消息無疑讓人振奮，而在今年他們還將出樣32層NAND閃存。對(duì)于目前行業(yè)的現(xiàn)狀，高啟全強(qiáng)調(diào)國(guó)內(nèi)公司應(yīng)該臺(tái)灣公司在存儲(chǔ)芯片上應(yīng)該合作，因?yàn)榇蠹业淖畲?/li>
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紫光2019年要量產(chǎn)64層NAND閃存打破韓企壟斷

　　國(guó)產(chǎn)手機(jī)勢(shì)頭越來越強(qiáng)勁，把三星和蘋果虐的夠嗆(主要是指國(guó)內(nèi)市場(chǎng)份額)，但繁榮背后是對(duì)核心產(chǎn)業(yè)鏈控制的缺失，就比如閃存芯片，這基本上被韓國(guó)廠商壟斷了。為了讓國(guó)產(chǎn)閃存有更好的發(fā)展，不少公司都在努力。挖來臺(tái)灣DRAM教父高啟全后，紫光旗下的長(zhǎng)江存儲(chǔ)開始全速狂飆。　　近日，高啟全接受媒體采訪時(shí)表示，長(zhǎng)江存儲(chǔ)將在2019年開始量產(chǎn)64層堆棧的3D NAND閃存，這個(gè)消息無疑讓人振奮，而在今年他們還將出樣32層NAND閃存。　　對(duì)于目前行業(yè)的現(xiàn)狀，高啟全強(qiáng)調(diào)國(guó)內(nèi)公司應(yīng)該臺(tái)灣公司在存儲(chǔ)芯片上應(yīng)該合作，因?yàn)榇?/li>
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韓國(guó)3D NAND閃存三季度有望占全球一半市場(chǎng)

　　市場(chǎng)調(diào)查機(jī)構(gòu)DRAMeXchange近日發(fā)布的調(diào)查結(jié)果顯示，到今年三季度，三星電子、SK海力士等韓企的3D NAND閃存半導(dǎo)體在全球整體NAND閃存市場(chǎng)所占份額有望超過50%。　　閃存是指在斷電情況下仍能存儲(chǔ)數(shù)據(jù)的半導(dǎo)體，主要用于智能手機(jī)等移動(dòng)終端的周邊裝置。3D NAND在2D NAND的基礎(chǔ)上，增加了回路垂直排列，大大提高了性能和容量。新一代韓產(chǎn)3D NAND將陸續(xù)上市，三星電子和美光科技(Micron)等企業(yè)于今年二季度起量產(chǎn)64層3D NAND，SK海力士將于三季度在全球最先推出72層的3
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新世代內(nèi)存陸續(xù)小量產(chǎn) 商品化指日可待

　　內(nèi)存是半導(dǎo)體的主力產(chǎn)品之一，目前主要由動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取內(nèi)存(DRAM)及具備非揮發(fā)特性的NAND閃存(Flash)為最重要的兩項(xiàng)產(chǎn)品。不過，由于DRAM必須持續(xù)上電才能保存數(shù)據(jù)，NAND Flash又有讀寫速度較DRAM慢，且讀寫次數(shù)相對(duì)有限的先天限制，因此內(nèi)存業(yè)者一直試圖發(fā)展出新的內(nèi)存架構(gòu)，希望能兼具DRAM的速度、耐用度和NAND的非揮發(fā)特性　　根據(jù)研究機(jī)構(gòu)Tech Insights估計(jì)，包含STT-MRAM、FRAM、CBRAM、3D Xpoint等新世代內(nèi)存，都已陸續(xù)進(jìn)入小量生產(chǎn)階段。不過
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全球3D NAND大軍技術(shù)對(duì)決下半年產(chǎn)出可望大增

　　2017年將是3D NAND Flash應(yīng)用市場(chǎng)快速崛起的關(guān)鍵年，包括三星電子(Samsung Electronics)、美光(Micron)、東芝(Toshiba)等陸續(xù)推出具競(jìng)爭(zhēng)力的64層3D NAND Flash加入競(jìng)局，SK海力士(SK Hynix)更一舉跳到72層3D NAND Flash技術(shù)以求突圍，由于新舊技術(shù)轉(zhuǎn)換，良率仍不穩(wěn)定，加上固態(tài)硬碟(SSD)需求起飛，造成NAND Flash市場(chǎng)大缺貨，業(yè)者預(yù)期2017年下半產(chǎn)出可望大增，全面開啟3D NAND Flash時(shí)代。　　三星在2
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機(jī)構(gòu):DRAM與NAND FLASH價(jià)格下半年將下降

　　Gartner 表示，在 NAND Flash 方面 2017 年第 2 季將會(huì)開始呈現(xiàn)反轉(zhuǎn)，使得全球 NAND Flash 和 SSD 的價(jià)格會(huì)在 2018 年出現(xiàn)明顯下滑，并在 2019 年重新陷入一個(gè)相對(duì)低點(diǎn)。　　Gartner 表示，自 2016 年中期以來，隨著 NAND Flash 的漲價(jià)，SSD 的每字節(jié)的成本也出現(xiàn)了驚人上漲。不過，這種上漲趨勢(shì)將在本季達(dá)到頂峰。其原因在于中國(guó)廠商大量投入生產(chǎn)的結(jié)果，在產(chǎn)能陸續(xù)開出后，市場(chǎng)價(jià)格就一反過去的漲勢(shì)，開始出現(xiàn)下跌的情況。　　Gart
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SAM4E單片機(jī)之旅——16、NAND Flash讀寫

　　這次大概介紹了一下NAND Flash，以及在ASF中使用它的方法?！　∫弧?nbsp;接線　　這個(gè)開發(fā)板搭載了一個(gè)256 MB，8位的NAND Flash(MT29F2G08ABAEA)。引腳接線如下：　　　　偷個(gè)懶，直接上引腳復(fù)用的圖。其中PC14表明該NAND FLASH需要作為SMC的外設(shè)0使用。通過使用NANDOE和NANDWE引腳說明需要使用芯片的NAND Flash控制邏輯。另外，PC18復(fù)用為輸入
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手機(jī)實(shí)現(xiàn)512GB容量不是夢(mèng)：72層3D NAND閃存問世

　　隨著APP體積不斷擴(kuò)大，以及照片、視頻等文件逐漸累積，消費(fèi)者再難回到被16GB ROM支配的時(shí)代。就連吝嗇的蘋果也將iPhone存儲(chǔ)容量翻番，最高達(dá)到了256GB。大容量閃存能夠提高數(shù)據(jù)并行處理的效率，但是256GB就夠了嗎?　　　　日前，海力士(SK Hynix)推出業(yè)界首款72層堆疊的3D NAND閃存。該方案基于TLC陣列、單晶片容量為256Gb(32GB)，閃存芯片封裝后的最高容量將達(dá)到512GB?！　?nbsp;
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技術(shù)更新失敗加產(chǎn)能不足內(nèi)存價(jià)格持續(xù)上漲

從去年年中開始，以固態(tài)硬盤為代表的，包括固態(tài)硬盤、內(nèi)存條、優(yōu)盤甚至閃存卡在內(nèi)的幾乎全部閃存產(chǎn)品，開始緩慢漲價(jià)。
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買家眾多東芝存儲(chǔ)業(yè)務(wù)將花落誰(shuí)家？

東芝已經(jīng)處于資不抵債的邊緣，被迫出售優(yōu)質(zhì)大額資產(chǎn)來改善其財(cái)務(wù)狀況，究竟東芝存儲(chǔ)業(yè)務(wù)花落誰(shuí)家，雖然在近期就可以揭曉。
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乘上存儲(chǔ)芯片漲價(jià)潮美光Q2業(yè)績(jī)超預(yù)期

　　北京時(shí)間3月24日上午消息，由于供應(yīng)趨緊和需求旺盛導(dǎo)致存儲(chǔ)芯片價(jià)格上升，美光科技預(yù)計(jì)當(dāng)前季度的營(yíng)收和利潤(rùn)遠(yuǎn)超分析師預(yù)期。該公司第二財(cái)季利潤(rùn)也超出分析師預(yù)期，促使其股價(jià)在周四盤后交易中大漲9.4%。　　由于各大企業(yè)都在爭(zhēng)相開發(fā)體積更小、效率更高的芯片，引發(fā)了供應(yīng)瓶頸，但與此同時(shí)，智能手機(jī)、人工智能、無人駕駛汽車和物聯(lián)網(wǎng)的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)需求卻在飆升，導(dǎo)致全球存儲(chǔ)芯片制造商正在經(jīng)歷分析師所謂的“超級(jí)周期”。　　美光科技周四表示，該公司的DRAM芯片第二季度漲價(jià)21%，此前一個(gè)季度已
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三星 3D NAND 快閃存儲(chǔ)器新廠上半年投產(chǎn)

　　三星電子周二宣布，位在首爾南方的新芯片廠施工進(jìn)度順利，將如期于 2017 上半年投產(chǎn)。　　三星新芯片廠于 2015 年動(dòng)土，共投入 15.6 萬億韓元(約 144 億美元)建廠，為三星史上最大單一產(chǎn)線投資項(xiàng)目。據(jù)三星表示，新廠第一階段施工目前已完成九成。　　新芯片廠主要用于生產(chǎn)高容量 3D 立體 NAND 快閃存儲(chǔ)器?？扉W存儲(chǔ)器可取代傳統(tǒng)硬盤，并廣泛應(yīng)用于數(shù)碼相機(jī)、智能手機(jī)與其他 USB 界面儲(chǔ)存設(shè)備。　　市調(diào)機(jī)構(gòu) DRAMeXchange 日前指出，三星穩(wěn)坐去年第四季 NAND 快閃存儲(chǔ)
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長(zhǎng)江存儲(chǔ)3D閃存各項(xiàng)指標(biāo)已達(dá)預(yù)期 2019年全速量產(chǎn)

　　NAND閃存芯片被三星、東芝、SK Hynix、美光、Intel等少數(shù)公司壟斷，中國(guó)公司在此領(lǐng)域毫無話語(yǔ)權(quán)，甚至連收購(gòu)、合作外資公司都沒可能，想獲得突破還得靠國(guó)產(chǎn)公司自立。紫光公司主導(dǎo)的長(zhǎng)江存儲(chǔ)科技在武漢投資240億美元建設(shè)國(guó)家存儲(chǔ)芯片基地，該公司CEO楊士寧日前表態(tài)3D閃存晶圓廠的安裝設(shè)備將在2018年Q1季度完工，2019年全速量產(chǎn)，預(yù)計(jì)2020年會(huì)在技術(shù)趕超國(guó)際領(lǐng)先的閃存公司。　　長(zhǎng)江存儲(chǔ)科技前身是武漢新芯公司，該公司去年聯(lián)合湖北省政府投資基金在武漢投資240億美元建設(shè)國(guó)家存儲(chǔ)芯片基地，隨后
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