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新世代內(nèi)存陸續(xù)小量產(chǎn) 商品化指日可待

  • 　　內(nèi)存是半導(dǎo)體的主力產(chǎn)品之一，目前主要由動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取內(nèi)存(DRAM)及具備非揮發(fā)特性的NAND閃存(Flash)為最重要的兩項(xiàng)產(chǎn)品。 不過(guò)，由于DRAM必須持續(xù)上電才能保存數(shù)據(jù)，NAND Flash又有讀寫(xiě)速度較DRAM慢，且讀寫(xiě)次數(shù)相對(duì)有限的先天限制，因此內(nèi)存業(yè)者一直試圖發(fā)展出新的內(nèi)存架構(gòu)，希望能兼具DRAM的速度、耐用度和NAND的非揮發(fā)特性 　　根據(jù)研究機(jī)構(gòu)Tech Insights估計(jì)，包含STT-MRAM、FRAM、CBRAM、3D Xpoint等新世代內(nèi)存，都已陸續(xù)進(jìn)入小量生產(chǎn)階段。 不過(guò)
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全球3D NAND大軍技術(shù)對(duì)決 下半年產(chǎn)出可望大增

  • 　　2017年將是3D NAND Flash應(yīng)用市場(chǎng)快速崛起的關(guān)鍵年，包括三星電子(Samsung Electronics)、美光(Micron)、東芝(Toshiba)等陸續(xù)推出具競(jìng)爭(zhēng)力的64層3D NAND Flash加入競(jìng)局，SK海力士(SK Hynix)更一舉跳到72層3D NAND Flash技術(shù)以求突圍，由于新舊技術(shù)轉(zhuǎn)換，良率仍不穩(wěn)定，加上固態(tài)硬碟(SSD)需求起飛，造成NAND Flash市場(chǎng)大缺貨，業(yè)者預(yù)期2017年下半產(chǎn)出可望大增，全面開(kāi)啟3D NAND Flash時(shí)代。 　　三星在2
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機(jī)構(gòu):DRAM與NAND FLASH價(jià)格下半年將下降

  • 　　Gartner 表示，在 NAND Flash 方面 2017 年第 2 季將會(huì)開(kāi)始呈現(xiàn)反轉(zhuǎn)，使得全球 NAND Flash 和 SSD 的價(jià)格會(huì)在 2018 年出現(xiàn)明顯下滑，并在 2019 年重新陷入一個(gè)相對(duì)低點(diǎn)。 　　Gartner 表示，自 2016 年中期以來(lái)，隨著 NAND Flash 的漲價(jià)，SSD 的每字節(jié)的成本也出現(xiàn)了驚人上漲。 不過(guò)，這種上漲趨勢(shì)將在本季達(dá)到頂峰。 其原因在于中國(guó)廠商大量投入生產(chǎn)的結(jié)果，在產(chǎn)能陸續(xù)開(kāi)出后，市場(chǎng)價(jià)格就一反過(guò)去的漲勢(shì)，開(kāi)始出現(xiàn)下跌的情況。 　　Gart
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SAM4E單片機(jī)之旅——16、NAND Flash讀寫(xiě)

  • 　　這次大概介紹了一下NAND Flash，以及在ASF中使用它的方法。　　一、 接線　　這個(gè)開(kāi)發(fā)板搭載了一個(gè)256 MB，8位的NAND Flash(MT29F2G08ABAEA)。引腳接線如下：　　    　　偷個(gè)懶，直接上引腳復(fù)用的圖。其中PC14表明該NAND FLASH需要作為SMC的外設(shè)0使用。通過(guò)使用NANDOE和NANDWE引腳說(shuō)明需要使用芯片的NAND Flash控制邏輯。另外，PC18復(fù)用為輸入
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手機(jī)實(shí)現(xiàn)512GB容量不是夢(mèng)：72層3D NAND閃存問(wèn)世

  • 　　隨著APP體積不斷擴(kuò)大，以及照片、視頻等文件逐漸累積，消費(fèi)者再難回到被16GB ROM支配的時(shí)代。就連吝嗇的蘋(píng)果也將iPhone存儲(chǔ)容量翻番，最高達(dá)到了256GB。大容量閃存能夠提高數(shù)據(jù)并行處理的效率，但是256GB就夠了嗎?　　    　　日前，海力士(SK Hynix)推出業(yè)界首款72層堆疊的3D NAND閃存。該方案基于TLC陣列、單晶片容量為256Gb(32GB)，閃存芯片封裝后的最高容量將達(dá)到512GB?！　?nbsp; 
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技術(shù)更新失敗加產(chǎn)能不足 內(nèi)存價(jià)格持續(xù)上漲

  • 從去年年中開(kāi)始，以固態(tài)硬盤(pán)為代表的，包括固態(tài)硬盤(pán)、內(nèi)存條、優(yōu)盤(pán)甚至閃存卡在內(nèi)的幾乎全部閃存產(chǎn)品，開(kāi)始緩慢漲價(jià)。
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買家眾多 東芝存儲(chǔ)業(yè)務(wù)將花落誰(shuí)家？

  • 東芝已經(jīng)處于資不抵債的邊緣，被迫出售優(yōu)質(zhì)大額資產(chǎn)來(lái)改善其財(cái)務(wù)狀況，究竟東芝存儲(chǔ)業(yè)務(wù)花落誰(shuí)家，雖然在近期就可以揭曉。
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乘上存儲(chǔ)芯片漲價(jià)潮 美光Q2業(yè)績(jī)超預(yù)期

  • 　　北京時(shí)間3月24日上午消息，由于供應(yīng)趨緊和需求旺盛導(dǎo)致存儲(chǔ)芯片價(jià)格上升，美光科技預(yù)計(jì)當(dāng)前季度的營(yíng)收和利潤(rùn)遠(yuǎn)超分析師預(yù)期。該公司第二財(cái)季利潤(rùn)也超出分析師預(yù)期，促使其股價(jià)在周四盤(pán)后交易中大漲9.4%。 　　由于各大企業(yè)都在爭(zhēng)相開(kāi)發(fā)體積更小、效率更高的芯片，引發(fā)了供應(yīng)瓶頸，但與此同時(shí)，智能手機(jī)、人工智能、無(wú)人駕駛汽車和物聯(lián)網(wǎng)的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)需求卻在飆升，導(dǎo)致全球存儲(chǔ)芯片制造商正在經(jīng)歷分析師所謂的“超級(jí)周期”。 　　美光科技周四表示，該公司的DRAM芯片第二季度漲價(jià)21%，此前一個(gè)季度已
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三星 3D NAND 快閃存儲(chǔ)器新廠上半年投產(chǎn)

  • 　　三星電子周二宣布，位在首爾南方的新芯片廠施工進(jìn)度順利，將如期于 2017 上半年投產(chǎn)。 　　三星新芯片廠于 2015 年動(dòng)土，共投入 15.6 萬(wàn)億韓元(約 144 億美元)建廠，為三星史上最大單一產(chǎn)線投資項(xiàng)目。據(jù)三星表示，新廠第一階段施工目前已完成九成。 　　新芯片廠主要用于生產(chǎn)高容量 3D 立體 NAND 快閃存儲(chǔ)器?？扉W存儲(chǔ)器可取代傳統(tǒng)硬盤(pán)，并廣泛應(yīng)用于數(shù)碼相機(jī)、智能手機(jī)與其他 USB 界面儲(chǔ)存設(shè)備。 　　市調(diào)機(jī)構(gòu) DRAMeXchange 日前指出，三星穩(wěn)坐去年第四季 NAND 快閃存儲(chǔ)
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長(zhǎng)江存儲(chǔ)3D閃存各項(xiàng)指標(biāo)已達(dá)預(yù)期 2019年全速量產(chǎn)

  • 　　NAND閃存芯片被三星、東芝、SK Hynix、美光、Intel等少數(shù)公司壟斷，中國(guó)公司在此領(lǐng)域毫無(wú)話語(yǔ)權(quán)，甚至連收購(gòu)、合作外資公司都沒(méi)可能，想獲得突破還得靠國(guó)產(chǎn)公司自立。紫光公司主導(dǎo)的長(zhǎng)江存儲(chǔ)科技在武漢投資240億美元建設(shè)國(guó)家存儲(chǔ)芯片基地，該公司CEO楊士寧日前表態(tài)3D閃存晶圓廠的安裝設(shè)備將在2018年Q1季度完工，2019年全速量產(chǎn)，預(yù)計(jì)2020年會(huì)在技術(shù)趕超國(guó)際領(lǐng)先的閃存公司。 　　長(zhǎng)江存儲(chǔ)科技前身是武漢新芯公司，該公司去年聯(lián)合湖北省政府投資基金在武漢投資240億美元建設(shè)國(guó)家存儲(chǔ)芯片基地，隨后
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DRAM與NAND差別這么大，存儲(chǔ)之爭(zhēng)都爭(zhēng)啥？

  • 　　什么是DRAM?　　DRAM(Dynamic Random Access Memory)，即動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器，最為常見(jiàn)的系統(tǒng)內(nèi)存。DRAM 只能將數(shù)據(jù)保持很短的時(shí)間。為了保持?jǐn)?shù)據(jù)，DRAM使用電容存儲(chǔ)，所以必須隔一段時(shí)間刷新(refresh)一次，如果存儲(chǔ)單元沒(méi)有被刷新，存儲(chǔ)的信息就會(huì)丟失。 (關(guān)機(jī)就會(huì)丟失數(shù)據(jù))　　工作原理　　動(dòng)態(tài)RAM的工作原理 動(dòng)態(tài)RAM也是由許多基本存儲(chǔ)元按照行和列地址引腳復(fù)用來(lái)組成的?！　?nbsp; 
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DRAM邁入3D時(shí)代！

  • 平面DRAM最重要也最艱難的挑戰(zhàn)，是儲(chǔ)存電容的高深寬比，為了要延長(zhǎng)DRAM這種內(nèi)存的壽命，在短時(shí)間內(nèi)必須要采用3D DRAM解決方案。
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打破市場(chǎng)壟斷 國(guó)產(chǎn)32層堆棧3D閃存將于2019年量產(chǎn)

  • 　　NAND閃存芯片被三星、東芝、SK Hynix、美光、Intel等少數(shù)公司壟斷，中國(guó)公司在此領(lǐng)域毫無(wú)話語(yǔ)權(quán)，甚至連收購(gòu)、合作外資公司都沒(méi)可能，想獲得突破還得靠國(guó)產(chǎn)公司自立。紫光公司主導(dǎo)的長(zhǎng)江存儲(chǔ)科技在武漢投資240億美元建設(shè)國(guó)家存儲(chǔ)芯片基地，該公司CEO楊士寧日前表態(tài)3D閃存晶圓廠的安裝設(shè)備將在2018年Q1季度完工，2019年全速量產(chǎn)，預(yù)計(jì)2020年會(huì)在技術(shù)趕超國(guó)際領(lǐng)先的閃存公司。 　　長(zhǎng)江存儲(chǔ)科技前身是武漢新芯公司，該公司去年聯(lián)合湖北省政府投資基金在武漢投資240億美元建設(shè)國(guó)家存儲(chǔ)芯片基地，
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三星穩(wěn)居全球NAND Flash龍頭地位 估供應(yīng)吃緊整年

  • 　　市調(diào)機(jī)構(gòu)集邦科技預(yù)期，今年儲(chǔ)存型快閃存儲(chǔ)器(NAND Flash)整年都將維持供應(yīng)吃緊的情況，NAND Flash廠商業(yè)績(jī)可望逐季攀高。 　　集邦科技調(diào)查，隨著NAND Flash缺貨達(dá)到高峰，產(chǎn)品平均售價(jià)走揚(yáng)，加上終端出貨暢旺，去年第4季NANDFlash產(chǎn)值達(dá)120.45億美元，季增達(dá)17.8%，各NANDFlash廠獲利也攀上去年高峰。 　　集邦科技指出，三星去年第4季市占率37.1%，穩(wěn)居全球NAND Flash龍頭地位;東芝市占率18.3%，居第2大廠;西部數(shù)據(jù)市占率17.7%，居第3大
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