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三星3D V-NAND 32層對48層 僅僅是垂直層面的擴(kuò)展？

  • 　　三星公司已經(jīng)開始量產(chǎn)其48層(即單NAND內(nèi)48層單元，屬于第三代升級技術(shù))3D V-NAND芯片，預(yù)計其將被用于SSD T3(mSATA接口加850 EVO V2)、NVMe SSD(PM971-NVMe)以及企業(yè)級SSD(PM1633a)等SSD產(chǎn)品。在各設(shè)備當(dāng)中，將包含大量48層3D V-NAND存儲芯片且通過引線鍵合技術(shù)實現(xiàn)彼此堆疊。三星公司在48層3D V-NAND芯片中集成了512 GB存儲單元，意味著每個NAND晶片為32 GB容量(256 Gb)。三星的32層(第二代方案)3D V-N
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3D NAND成半導(dǎo)體業(yè)不景氣救世主

  • 　　韓媒NEWSIS報導(dǎo)，韓國半導(dǎo)體業(yè)者將3D NAND視為克服不景氣的對策。3D NAND是三星電子(Samsung Electronics)最早宣布進(jìn)入量產(chǎn)的技術(shù)，在這之前業(yè)界采用的是水平結(jié)構(gòu)，3D垂直堆疊技術(shù)成為克服制程瓶頸的解決方案。 　　3D NAND比20納米級產(chǎn)品的容量密度高，讀寫速度快，耗電量節(jié)省一半;采用3D NAND Flash存儲器的固態(tài)硬碟(SSD)其電路板面積也較小?；谏鲜鰞?yōu)點，對于業(yè)界積極發(fā)展以人工智能平臺的相關(guān)服務(wù)，3D NAND成為具有潛力，有利于邁入第四次工業(yè)革命的技
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NAND Flash供貨吃緊態(tài)勢明顯　價格走揚(yáng)

  • 　　第三季NAND Flash供貨吃緊的態(tài)勢越發(fā)明顯，TLC-Wafer與現(xiàn)貨卡片價格自4月初以來已連續(xù)三個月份逐步走揚(yáng)。 　　TrendForce旗下記憶體儲存事業(yè)處DRAMeXchange最新報價顯示，第三季NAND Flash供貨吃緊的態(tài)勢越發(fā)明顯，TLC-Wafer與現(xiàn)貨卡片價格自4月初以來已連續(xù)三個月份逐步走揚(yáng)，而近一個月漲幅開始增加。 　　DRAMeXchange研究協(xié)理楊文得表示，NAND Flash原廠持續(xù)降低對于通路(Channel)的供貨比重來滿足eMMC/eMCP與固態(tài)硬碟(SS
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中國成為全球新建晶圓廠主要推手

  • 　　全球在2016年與2017年將開始興建的晶圓廠至少有19座，其中有半數(shù)以上都是在中國。 　　根據(jù)SEMI的統(tǒng)計，全球在2016年與2017年將開始興建的晶圓廠至少有19座，其中有半數(shù)以上都是在中國;而2016年全球半導(dǎo)體廠商晶片制造設(shè)備支出估計將可達(dá)到360億美元，較2015年增加1.5%，2017年則可望再成長13%、達(dá)到407億美元。 　　   　　包括全新、二手與專屬(in-house)晶圓廠設(shè)備支出，在2015年衰退了2%;而SEMI預(yù)期，3D NAND快閃記憶體、10奈
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三星否認(rèn)擴(kuò)產(chǎn)3D NAND？外資：三星明年3D產(chǎn)能將擴(kuò)充至37.5%

  • 　　據(jù)韓國時報報導(dǎo)，三星電子于15日宣稱“2017年底前斥資25兆韓元擴(kuò)充3D NAND型快閃存儲器產(chǎn)能”的投資內(nèi)容尚未敲定，但有分析師似乎認(rèn)為韓媒的報導(dǎo)內(nèi)容相當(dāng)可信。 　　barron`s.com16日報導(dǎo)，JP摩根發(fā)表研究報告指出，三星應(yīng)該會在今年底將3D NAND的月產(chǎn)能拉高至接近16萬片晶圓 (西安廠12萬片、Line 16廠接近4萬片)。三星的西安廠目前已接近產(chǎn)能全開，且該公司還計劃把Line 16廠的部分2D NAND產(chǎn)能轉(zhuǎn)換為3D。 　　另外，三星也將善用Line
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中國半導(dǎo)體成效驚人 包攬近兩年過半全球新增產(chǎn)能

  • 　　中國砸銀彈扶植半導(dǎo)體進(jìn)度、成效驚人，國際半導(dǎo)體設(shè)備材料產(chǎn)業(yè)協(xié)會(Semiconductor Equipment and Materials International，SEMI)上周五發(fā)布最新報告指出，今明兩年全球新增的半導(dǎo)體產(chǎn)能，預(yù)估有超過一半都將來自中國。 　　據(jù)SEMI表示，全球2016-2017年共將興建17座半導(dǎo)體廠，當(dāng)中有10座設(shè)在中國，其中兩座生產(chǎn)存儲器、晶圓代工四座、剩余四座規(guī)模較小，主要生產(chǎn)類比式芯片、微機(jī)電系統(tǒng)(Micro Electro Mechanical Systems)與
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NAND需求好轉(zhuǎn) 將帶動DRAM市場趨于健康

  • 　　蘋果iPhone 7已展開備貨，記憶體容量倍增，銷售也看好，業(yè)界預(yù)期第3季NAND快閃記憶體的需求將好轉(zhuǎn)，大廠的產(chǎn)能將轉(zhuǎn)向NAND快閃記憶體，這將帶動DRAM市況也趨健康，記憶體模組廠創(chuàng)見、威剛、宇瞻等，預(yù)估下半年營運(yùn)會比上半年好。 　　創(chuàng)見預(yù)期今年記憶體市況將比去年好轉(zhuǎn)，主要因上游大廠資本支出較保守，產(chǎn)能增加有限，致使價格趨緩跌;受惠智能手機(jī)等產(chǎn)品儲存容量不斷上升，加上SSD取代硬盤態(tài)勢成形，SSD需求強(qiáng)勁，儲存型快閃記憶體(NAND Flash)下半年市況比DRAM佳。 　　威剛董事長陳立白日
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從Nand特性談其燒錄關(guān)鍵點

  • 　　為什么燒錄Nand Flash經(jīng)常失敗?為什么燒錄成功了，一部分Nand芯片貼板之后系統(tǒng)卻運(yùn)行不起來?…，等等，問了那么多為什么，那我反問一個問題：你了解Nand Flash的特性及其燒錄關(guān)鍵點嗎? 　　 ? 　　一、Nand flash的特性 　　1、位翻轉(zhuǎn) 　　在 NAND 閃存是通過對存儲單元(Cell)進(jìn)行充電來完成數(shù)據(jù)存儲的，存儲單元的閾值電壓就對應(yīng)著數(shù)據(jù)值。當(dāng)讀取的時候，通過將它的閾值電壓與參考點對比來獲得其數(shù)據(jù)值。對SLC 而言，就只有兩種狀態(tài)和一個
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中國存儲器“3+1”版圖初現(xiàn)

  • 存儲器是一個嚴(yán)格按照摩爾定律前進(jìn)、追求低成本的規(guī)模經(jīng)濟(jì)產(chǎn)業(yè)，想做起來太難，在過去的年月里，能夠聽到的只有不斷退出的失敗悲歌，中國這次能否在存儲器市場占有一定規(guī)模呢？
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2016年第一季NAND品牌營收排行榜

  • 　　TrendForce旗下記憶體儲存事業(yè)處DRAMeXchange最新報告顯示，在平均銷售單價下滑幅度明顯高于位元出貨量成長的情況下，第一季NAND Flash品牌商營收較去年第四季下滑2.9%，已連續(xù)兩個季衰退。 　　2016年第一季全球NAND Flash市況持續(xù)受供過于求影響，通路顆粒合約價下滑約10%;智慧型手機(jī)、平板電腦與筆記型電腦出貨大幅衰退也讓eMMC、用戶級固態(tài)硬碟(SSD)跌價幅度擴(kuò)大至13~18%。 　　TrendForce旗下記憶體儲存事業(yè)處DRAMeXchange最新報告顯示
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下半年NAND Flash一定缺貨，且會非常缺

  • 　　全球儲存型快閃記憶體(NAND Flash)晶片最大供應(yīng)商慧榮科技總經(jīng)理茍嘉章昨(21)日表示，固態(tài)硬碟(SSD)價格已到甜蜜點，今年出貨將大爆發(fā)，成為成長最強(qiáng)勁的記憶體產(chǎn)品;法人預(yù)估臺廠概念股群聯(lián)、創(chuàng)見、威剛、宇瞻、廣穎、宜鼎等，可望掀比價效應(yīng)。 　　慧榮是以臺灣為研發(fā)重心，立足全球的國際公司，上周五(20日)股價以每股42.19美元創(chuàng)2005年6月在美國那斯達(dá)克掛牌以來新高，市值達(dá)1.48億美元(約新臺幣48.5億元)，同創(chuàng)歷史新高。 　　茍嘉章昨天主持慧榮愛心園游會后，針對今年NAND Fl
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武漢新芯估2018年量產(chǎn)48層NAND

  • 　　紅色供應(yīng)鏈來勢洶洶，外界原本認(rèn)為，陸廠要到四五年后才能在記憶體搶下一席之地，不過有分析師預(yù)測，陸廠研發(fā)腳步迅速，可能2018年就能量產(chǎn)3D NAND。 　　巴 倫(Barronˋs)6日報導(dǎo)，美系外資晶片設(shè)備分析師Atif Malik稱，中國透過Rambus和Spansion取得DRAM和NAND記憶體的技術(shù)授權(quán)。2月份，Spansion和武漢新芯(XMC)簽訂3D NAND研發(fā)和交叉授權(quán)協(xié)定。由武漢新芯出資、Spansion提供電荷儲存式(Charge trap)和浮閘(Floating Gate
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DRAM和NAND技術(shù)助三星占據(jù)市場主導(dǎo)地位

  • 　　全球大部分半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)都可能籠罩陰霾，但韓國三星電子憑借強(qiáng)大的技術(shù)優(yōu)勢可以擴(kuò)大部分關(guān)鍵產(chǎn)品的市場份額，甚至可能提高營收。這將使三星在逆境中表現(xiàn)優(yōu)于多數(shù)同業(yè)。 　　全球個人電腦(PC)銷量下降，以及智能手機(jī)增長放緩，讓半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)遭受沉重打擊。英特爾本月宣布將最多裁員1.2萬。 　　高通曾表示，第三財季芯片(晶片)出貨量可能下降達(dá)22%。SK海力士周二公布季度營業(yè)利潤下降65%，這是其三年來的最差業(yè)績。 　　將于周四公布第一季財報的三星，也難免遇挫。市場廣泛預(yù)計三星芯片獲利將會下降，一些分析師預(yù)測1-
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TrendForce：2020年中國大陸國內(nèi)Flash月產(chǎn)能上看59萬片

  • 　　中國大陸業(yè)者在NAND Flash產(chǎn)業(yè)鏈的相關(guān)布局與投資不斷開展，成為中國大陸半導(dǎo)體業(yè)揮軍全球的下一波焦點。TrendForce旗下拓墣產(chǎn)業(yè)研究所最新研究報告顯示，隨著紫光國芯(原同方國芯)投資、武漢新芯擴(kuò)廠，及國際廠如三星、英特爾增加產(chǎn)能，預(yù)估2020年中國大陸國內(nèi)Flash月產(chǎn)能達(dá)59萬片，相較于2015年增長近7倍。 　　TrendForce預(yù)估2012~2016年NAND Flash生產(chǎn)端年平均位元增長率達(dá)47%，其最終消費(fèi)端需求年平均位增長率亦高達(dá)46%，顯示NAND Flash仍為高速發(fā)
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蘋果采用三星NAND閃存顆粒+AMOLED屏幕

  • 　　蘋果已經(jīng)秘密與三星談下合作，在iPhone上采用三星的NAND閃存芯片。時隔5年，蘋果再一次采用了三星的NAND flash。先前也有消息指出iPhone將會采用AMOLED屏幕。 　　   　　先前蘋果不用三星閃存，是因為三星希望在閃存顆粒封裝上采用特殊圖層的方式來做電池干擾屏蔽，但是三星并不愿意做。如今臺灣供應(yīng)商發(fā)出了噴涂圖層工藝，三星有望使用這個技術(shù)，來讓閃存顆粒滿足蘋果的EMI屏蔽標(biāo)準(zhǔn)。又因為這一工藝較為廉價，所以三星比較重視。 　　使用三星NAND閃存顆粒+AMOLED
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