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GNU ARM匯編--(十九)u-boot-nand-spl啟動(dòng)過程分析
- 在理解bootloader后,花些時(shí)間重新學(xué)習(xí)了開源軟件的makefile和相關(guān)腳本之后,自己的u-boot移植工作也比較順利的完成了:移植
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大陸存儲(chǔ)器需求進(jìn)展超預(yù)期 東芝經(jīng)營(yíng)壓力暫時(shí)松口氣
- 日本存儲(chǔ)器大廠東芝(Toshiba)主要的獲利支柱的智能手機(jī)存儲(chǔ)器因市場(chǎng)需求大,帶動(dòng)價(jià)格上揚(yáng),2016上半會(huì)計(jì)年度(4~9月)的財(cái)報(bào)也因而受惠,表現(xiàn)亮眼。 東芝財(cái)務(wù)長(zhǎng)平田政善在11日東芝財(cái)報(bào)記者會(huì)上說(shuō)明,由于大陸智能手機(jī)對(duì)于大容量存儲(chǔ)器需求殷切,東芝NAND Flash事業(yè)獲利超出預(yù)期。 平田表示,在當(dāng)今智能手機(jī)大打硬件規(guī)格戰(zhàn),競(jìng)爭(zhēng)激烈的情況下,大陸本土手機(jī)業(yè)者推出的手機(jī)較當(dāng)初預(yù)期更早進(jìn)入64GB、128GB階段,是東芝始料未及的趨勢(shì)。根據(jù)日經(jīng)調(diào)查,目前市況單一標(biāo)準(zhǔn)規(guī)格存儲(chǔ)器約3美元,價(jià)格
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SK海力士本月底將量產(chǎn)48層3D NAND Flash
- 據(jù)韓國(guó)經(jīng)濟(jì)報(bào)導(dǎo),傳聞SK海力士(SK Hynix)先前測(cè)試生產(chǎn)的48層3D NAND Flash產(chǎn)品已通過客戶端認(rèn)證,最快將從11月底正式啟動(dòng)量產(chǎn);以12吋晶圓計(jì)算的月產(chǎn)能可望提高到2萬(wàn)~3萬(wàn)片,3D NAND Flash的生產(chǎn)比重也將提高至整體NAND Flash的15%。 業(yè)界除了三星電子(Samsung Electronics)已從2015年第4季起開始量產(chǎn)48層產(chǎn)品之外,其他如東芝(Toshiba)、美光(Micron)等,目前都尚未突破技術(shù)瓶頸,SK海力士將是第二家進(jìn)入量產(chǎn)的業(yè)者。
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中國(guó)半導(dǎo)體市場(chǎng)暢旺 東芝再次上調(diào) 2016 上半年獲利預(yù)估
- 根據(jù)彭博社的報(bào)導(dǎo),受惠于于儲(chǔ)存晶片以及硬碟業(yè)務(wù)的營(yíng)收成長(zhǎng),加上撙節(jié)計(jì)畫的奏效,日本最大半導(dǎo)體生產(chǎn)公司東芝 (Toshiba) 于 31 日將公司 2016 上半年度(4 月到 9 月)的預(yù)期營(yíng)業(yè)利益上調(diào) 36%,來(lái)到 950 億日?qǐng)A (約新臺(tái)幣 285.83 億元 ),似乎已經(jīng)完全走出過去因作假帳所造成的經(jīng)營(yíng)低潮期。 根據(jù)報(bào)導(dǎo),東芝在聲明中表示,除了上調(diào) 2016 年上半年的預(yù)期營(yíng)業(yè)利益之外,還同時(shí)微幅上調(diào)了上半年的預(yù)期營(yíng)收,從 2.55 兆日?qǐng)A上調(diào)至 2.58 兆日?qǐng)A。根據(jù)彭博社的統(tǒng)計(jì)資料顯示
- 關(guān)鍵字: 東芝 NAND
技術(shù)革新日新月異:3D NAND及PCIe NVMe SSD晉升巿場(chǎng)主流
- 慧榮科技全新主控解決方案為新生代SSD產(chǎn)品開發(fā)設(shè)計(jì)保駕護(hù)航 以相同的成本,卻能達(dá)到倍增的容量,各家內(nèi)存大廠對(duì)3D NAND創(chuàng)新技術(shù)的強(qiáng)力投入,預(yù)告了2017年將成為3D NAND固態(tài)硬盤(SSD)爆發(fā)成長(zhǎng)的起點(diǎn)。加上Intel制定的Non-Volatile Memory Express(NVMe;非揮發(fā)性內(nèi)存高速規(guī)格)超高傳輸接口的普及登場(chǎng)。容量更大、價(jià)格更低、壽命更長(zhǎng)、速度更快,新世代SSD產(chǎn)品的卓越價(jià)格性能比,預(yù)期將大幅拉近與傳統(tǒng)硬盤市場(chǎng)的規(guī)模差距,兩種儲(chǔ)存裝置已逐漸接近黃金交叉點(diǎn),高速大容
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FAT文件系統(tǒng)在NAND Flash存儲(chǔ)器上的改進(jìn)設(shè)計(jì)
- 嵌入式系統(tǒng)的大量數(shù)據(jù)都存儲(chǔ)在其F1ash芯片上。根據(jù)Flash器件的固有特性,構(gòu)建一個(gè)適合管理NAND Flash存儲(chǔ)器的FAT文件系統(tǒng),并闡述具體的設(shè)計(jì)思想。
- 關(guān)鍵字: Flash NAND FAT 文件系統(tǒng)
關(guān)于NAND閃存顆粒 你必須知道這些事兒
- 隨著近段時(shí)間以來(lái),固態(tài)硬盤、內(nèi)存條甚至優(yōu)盤等存儲(chǔ)設(shè)備的大幅度一致性漲價(jià),影響著存儲(chǔ)設(shè)備漲價(jià)的背后關(guān)鍵性元件閃存顆粒,開始浮出水面,被越來(lái)越多的業(yè)內(nèi)人士,反復(fù)解讀。 那么,在價(jià)格上起著關(guān)鍵性因素的閃存顆粒到底是什么?閃存顆粒和存儲(chǔ)設(shè)備的價(jià)格上漲又有什么關(guān)系?2D NAND和3D NAND閃存顆粒之間又有哪些區(qū)別?下面,我們一起來(lái)聊聊NAND閃存顆粒這些年。 閃存顆粒的釋義及廠商 閃存顆粒,又稱閃存,是一種非易失性存儲(chǔ)器,即在斷電的情況下依舊可以保存已經(jīng)寫入的數(shù)據(jù),而且是以固定的區(qū)塊為單
- 關(guān)鍵字: NAND 存儲(chǔ)器
2017年中國(guó)將推自主生產(chǎn)3D NAND閃存,32層堆棧
- 摘要:由于智能手機(jī)、SSD市場(chǎng)需求強(qiáng)烈,閃存、內(nèi)存等存儲(chǔ)芯片最近都在漲價(jià),這也給了中國(guó)公司介入存儲(chǔ)芯片市場(chǎng)的機(jī)遇。在中國(guó)發(fā)展半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的規(guī)劃中,存儲(chǔ)芯片是最優(yōu)先的,也是全國(guó)各地都爭(zhēng)著上馬的項(xiàng)目,其中國(guó)家級(jí)的存儲(chǔ)芯片基地在武漢,投資超過240億美元,之前是新芯科技主導(dǎo),現(xiàn)在已經(jīng)變成了紫光公司主導(dǎo),預(yù)計(jì)2017年正式推出自主生產(chǎn)的3D NAND閃存,而且是32層堆棧的,起點(diǎn)不算低。 2015年中,國(guó)家級(jí)存儲(chǔ)芯片基地確定落戶武漢市,由武漢新芯科技公司負(fù)責(zé)建設(shè),今年3月份12寸晶圓廠正式動(dòng)工,整個(gè)項(xiàng)目預(yù)
- 關(guān)鍵字: SSD 3D NAND
如何將“壞塊”進(jìn)行有效利用
- 被廣泛應(yīng)用于手機(jī)、平板等數(shù)碼設(shè)備中的Nand Flash由于工藝原因無(wú)法避免壞塊的存在,但是我們可以憑借高科技變廢為寶,將“壞塊”進(jìn)行有效的利用,從而滿足我們的應(yīng)用需求,讓壞塊不“壞”。 要想變廢為寶,有效利用壞塊。我們首先要弄明白什么是“壞塊”,做到知己知彼,才能為我所用。壞塊的特點(diǎn)是當(dāng)編程或者擦除這個(gè)塊時(shí),不能將某些位拉高,從而造成編程和塊擦除操作時(shí)的錯(cuò)誤,這種錯(cuò)誤可以通過狀態(tài)寄存器的值反映出來(lái)。這些無(wú)效塊無(wú)法確定編程時(shí)
- 關(guān)鍵字: Nand Flash 寄存器
2017年中國(guó)將推自主生產(chǎn)32層堆棧3D NAND閃存
- 由于智能手機(jī)、SSD市場(chǎng)需求強(qiáng)烈,閃存、內(nèi)存等存儲(chǔ)芯片最近都在漲價(jià),這也給了中國(guó)公司介入存儲(chǔ)芯片市場(chǎng)的機(jī)遇。在中國(guó)發(fā)展半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的規(guī)劃中,存儲(chǔ)芯片是最優(yōu)先的,也是全國(guó)各地都爭(zhēng)著上馬的項(xiàng)目,其中國(guó)家級(jí)的存儲(chǔ)芯片基地在武漢,投資超過240億美元,之前是新芯科技主導(dǎo),現(xiàn)在已經(jīng)變成了紫光公司主導(dǎo),預(yù)計(jì)2017年正式推出自主生產(chǎn)的3D NAND閃存,而且是32層堆棧的,起點(diǎn)不算低。 2015年中,國(guó)家級(jí)存儲(chǔ)芯片基地確定落戶武漢市,由武漢新芯科技公司負(fù)責(zé)建設(shè),今年3月份12寸晶圓
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大陸發(fā)展存儲(chǔ)器大計(jì)三箭齊發(fā) 明年推首顆自制3D NAND芯片
- 大陸發(fā)展3D NAND、DRAM、NOR Flash存儲(chǔ)器大計(jì)正如火如荼地展開,初步分工將由長(zhǎng)江存儲(chǔ)負(fù)責(zé)3D NAND及DRAM生產(chǎn),武漢新芯則專職NOR Flash和邏輯代工。2016年底長(zhǎng)江存儲(chǔ)將興建首座12吋廠,最快2017年底生產(chǎn)自制32層堆疊3D NAND芯片,盡管落后目前三星電子(Samsung Electronics)、東芝(Toshiba)技術(shù)約2個(gè)世代,然大陸終于將全面進(jìn)軍NAND Flash領(lǐng)域。 盡管大陸并未趕上NAND Flash存儲(chǔ)器世代,但在存儲(chǔ)器技術(shù)改朝換代之際,大
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西數(shù)超車三星電子或點(diǎn)燃NAND價(jià)格戰(zhàn)
- 全球硬盤機(jī)大廠Western Digital(WD)和日廠東芝(Toshiba)合作,打算超車三星電子,搶先生產(chǎn)64層3D NAND Flash。不過外資警告,要是WD和東芝真的追上三星,三星可能會(huì)擴(kuò)產(chǎn)淹沒市場(chǎng),重創(chuàng)NAND價(jià)格。 巴倫(Barronˋs)11日?qǐng)?bào)道,Jefferies & Co.的James Kisner表示,WD和東芝計(jì)劃搶在三星之前,生產(chǎn)64層3D NAND flash,此舉可能導(dǎo)致三星擴(kuò)產(chǎn)還擊。報(bào)告稱,當(dāng)前三星在業(yè)界握有主導(dǎo)權(quán),將密切關(guān)注WD/閃迪(WD去年收購(gòu)了
- 關(guān)鍵字: 西數(shù) NAND
nand 介紹
您好,目前還沒有人創(chuàng)建詞條nand !
歡迎您創(chuàng)建該詞條,闡述對(duì)nand 的理解,并與今后在此搜索nand 的朋友們分享。 創(chuàng)建詞條
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