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美光3D NAND將殺到!打破三星獨(dú)霸、大戰(zhàn)一觸即發(fā)

  • 目前3D NAND由三星電子獨(dú)家量產(chǎn),但是先有東芝殺入敵營,如今美光也宣布研發(fā)出3D NAND,而且已經(jīng)送樣,三星一家獨(dú)大的情況將畫下句點(diǎn),3D NAND flash大戰(zhàn)即將開打!
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Toppan Photomasks, Inc批準(zhǔn)在中國建設(shè)先進(jìn)光掩模生產(chǎn)線項(xiàng)目

  •   全球業(yè)界首選光掩模合作伙伴Toppan Photomasks, Inc. (TPI)今天宣布批準(zhǔn)對近期擴(kuò)建的中國上海廠的下一階段投資計(jì)劃;該廠由TPI獨(dú)資子公司Toppan Photomasks Company Limited, Shanghai (TPCS) 運(yùn)營。TPI將對此工廠再投資8000萬美元以展現(xiàn)其對中國快速成長的半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)及客戶之長期承諾。TPI先前已投資2000萬美元擴(kuò)建上海二廠(TPCS Shanghai II);該廠現(xiàn)已量產(chǎn)并且為中國唯一提供全方位技術(shù)及產(chǎn)品的商業(yè)光掩模廠。   
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美光科技推出適用于下一代智能手機(jī)的移動(dòng) 3D NAND 解決方案

  •   美光科技有限公司今日推出了首項(xiàng)適用于移動(dòng)設(shè)備的 3D NAND 存儲(chǔ)技術(shù),并推出了基于通用閃存存儲(chǔ) (UFS) 2.1 標(biāo)準(zhǔn)的首批產(chǎn)品。美光的首項(xiàng)移動(dòng) 3D NAND 32GB 解決方案主要面向中高端智能手機(jī)細(xì)分市場,這一細(xì)分市場大約占據(jù)全球智能手機(jī)總量的 50%[1]。隨著移動(dòng)設(shè)備替代個(gè)人電腦成為消費(fèi)者的主要計(jì)算設(shè)備,用戶行為對設(shè)備的移動(dòng)內(nèi)存和存儲(chǔ)要求產(chǎn)生了極大影響。美光的移動(dòng) 3D NAND 解決了這些問題,實(shí)現(xiàn)了無與倫比的用戶體驗(yàn),包括流暢傳輸高分辨率視頻、更高的游戲帶寬、更快的啟動(dòng)時(shí)間、更好的
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鎂光:3D閃存芯片能讓手機(jī)擁有更多內(nèi)存容量

  •   近日在加州圣克拉拉舉行的閃存峰會(huì)(Flash Memory Summit)上,鎂光公布了他們的首款 3D NAND 閃存芯片。這種閃存芯片在不改變尺寸的情況下能提供更多的儲(chǔ)存空間。據(jù) PCWorld 報(bào)道,鎂光這款 3D 閃存芯片的容量為 32GB,其目標(biāo)市場為中高端的智能手機(jī)。該產(chǎn)品基于新的 UFS 2.1 標(biāo)準(zhǔn),市面上的智能手機(jī)均未使用這種理論上更快的儲(chǔ)存協(xié)議。        鎂光認(rèn)為智能手機(jī)對內(nèi)存容量的需求越來越高,虛擬現(xiàn)實(shí)應(yīng)用和流媒體都將占用大量的儲(chǔ)存空間。他們表示,在幾年
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解讀實(shí)現(xiàn)中國存儲(chǔ)器夢的三條路徑

  • 中中國下決心做存儲(chǔ)器芯片,是個(gè)特別重大,而又十分艱難的決定,國存儲(chǔ)器業(yè)要取得成功,總體上產(chǎn)業(yè)發(fā)展有三條路徑,研發(fā),兼并及合資,合作都是十分有效,然而經(jīng)過一段時(shí)間的實(shí)踐,有一定進(jìn)展,但是情況也有些變化,這一切唯有通過研發(fā)的早日成功,才能扭轉(zhuǎn)被動(dòng)的局面。
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面對大陸攻勢 三星海力士強(qiáng)化3D NAND投資

  •   據(jù)韓國經(jīng)濟(jì)報(bào)導(dǎo),大陸半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)在政府的強(qiáng)力支援下,清華紫光與武漢新芯采行攻擊性投資策略,迫使南韓、日本、美國等主要半導(dǎo)體業(yè)者也紛紛強(qiáng)化投資。   市調(diào)業(yè)者DRAM eXchange表示,全球半導(dǎo)體市場中,NAND Flash事業(yè)從2011~2016年以年均復(fù)合成長率(CARG)47%的速度成長;清華紫光以新成立的長江存儲(chǔ)進(jìn)行武漢新芯的股權(quán)收購,成立長江存儲(chǔ)科技有限責(zé)任公司,未來可能引發(fā)NAND Flash市場版圖變化。   清華紫光擁有清華大學(xué)的人脈,在社會(huì)上擁有一定的影響力,武漢新芯擁有技術(shù)方面
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三星年底前量產(chǎn)64層3D NAND

  •   上周東芝及WD(西部數(shù)據(jù))宣布,已研發(fā)出堆疊64層的3D NAND Flash制程,并將于2017年上半年開始量產(chǎn),不過恐怕仍無法超車NAND Flash市占王三星。外電報(bào)道,三星將搶先于今年底前開始量產(chǎn)64層3D NAND,三星表示,目標(biāo)是今年生產(chǎn)4G V-NAND,可能意即為64層3D NAND。   SSD(固態(tài)硬盤)近年來制程技術(shù)演進(jìn),成本價(jià)格逐漸逼近硬盤(Hard disk),因此滲透率大增,各大廠陸續(xù)將生產(chǎn)DRAM產(chǎn)能逐漸轉(zhuǎn)向NAND Flash(儲(chǔ)存型快閃記憶體),大搶市占率,除了比市
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東芝超車失敗:三星年底前量產(chǎn)64層3D NAND

  •   上周東芝及WD(西部數(shù)據(jù))宣布,已研發(fā)出堆疊64層的3D NAND Flash制程,并將于2017年上半年開始量產(chǎn),不過恐怕仍無法超車NAND Flash市占王三星。外電報(bào)道,三星將搶先于今年底前開始量產(chǎn)64層3D NAND,三星表示,目標(biāo)是今年生產(chǎn)4G V-NAND,可能意即為64層3D NAND。   SSD(固態(tài)硬盤)近年來制程技術(shù)演進(jìn),成本價(jià)格逐漸逼近硬盤(Hard disk),因此滲透率大增,各大廠陸續(xù)將生產(chǎn)DRAM產(chǎn)能逐漸轉(zhuǎn)向NAND Flash(儲(chǔ)存型快閃記憶體),大搶市占率,除了比市
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半導(dǎo)體行業(yè)掀起并購潮 背后的推動(dòng)力是什么?

  • 我們獲取和存儲(chǔ)數(shù)據(jù)的方式發(fā)生了巨大轉(zhuǎn)變,這是近年來半導(dǎo)體行業(yè)出現(xiàn)并購潮的原因所在。
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陶氏發(fā)表OPTIPLANE 先進(jìn)半導(dǎo)體制造化學(xué)機(jī)械研磨液(CMP)平臺(tái)

  •   陶氏電子材料是陶氏化學(xué)公司的一個(gè)事業(yè)部,本日推出 OPTIPLANE™ 化學(xué)機(jī)械研磨液 (CMP) 平臺(tái)。OPTIPLANE 研磨液系列的開發(fā)是為了滿足客戶對先進(jìn)半導(dǎo)體研磨液的需求:能以有競爭力的成本,符合減少缺陷的要求和更嚴(yán)格的規(guī)格,適合用來製造新一代先進(jìn)半導(dǎo)體裝置。   全球 CMP 消耗品市場持續(xù)成長,部分的成長驅(qū)動(dòng)力來自新的 3D 邏輯、NAND 快閃記憶體和封裝應(yīng)用,這些均要求大幅提高的平坦化效果和最低程度的缺陷率,以符合無數(shù)先進(jìn)電子裝置的性能需求。   「生產(chǎn)先進(jìn)半導(dǎo)體晶圓
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英特爾大連55億美元非易失性存儲(chǔ)項(xiàng)目提前投產(chǎn)

  •   經(jīng)過8個(gè)多月的努力,英特爾大連非易失性存儲(chǔ)制造新項(xiàng)目7月初實(shí)現(xiàn)提前投產(chǎn)。7月25日,記者在英特爾半導(dǎo)體(大連)有限公司廠區(qū)內(nèi)看到,1000多名英特爾員工和來自全世界的數(shù)千名項(xiàng)目建設(shè)供應(yīng)商員工,正井然有序地忙碌著,他們的共同目標(biāo)只有一個(gè):全力加速非易失性存儲(chǔ)制造新項(xiàng)目的量產(chǎn)步伐。   去年10月,英特爾公司宣布投資55億美元將大連工廠建設(shè)為世界上最先進(jìn)的非易失性存儲(chǔ)器制造工廠。該項(xiàng)目是迄今為止英特爾在中國的最大一筆投資,也是大連市乃至遼寧省改革開放以來最大的外資項(xiàng)目。此前的2010年,作為英特爾在亞洲
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NAND快閃記憶體價(jià)格上漲 創(chuàng)見威剛笑開懷

  •   NAND快閃記憶體受惠固態(tài)硬盤(SSD)銷售熱絡(luò),加上智能手機(jī)搭載容量提高,帶動(dòng)近月價(jià)格持續(xù)上漲,創(chuàng)見、威剛等模組廠營運(yùn)受惠,市場預(yù)期蘋果將推出的iPhone 7拉貨動(dòng)能如何,將攸關(guān)NAND快閃記憶體價(jià)格續(xù)漲力道。   市場指出,上半年非蘋陣營智能手機(jī)產(chǎn)品銷售強(qiáng)勁,產(chǎn)品功能提升帶動(dòng)記憶體需求大增,加上6月三星西安廠因變電廠爆炸導(dǎo)致停工,帶動(dòng)NAND快閃記憶體價(jià)格上漲,主流產(chǎn)品在1個(gè)月內(nèi)漲幅超過2成。   市況變化帶動(dòng)記憶體模組廠營運(yùn)增溫,創(chuàng)見表示,在漲價(jià)預(yù)期心理帶動(dòng)下,通路拉貨力道明顯回升,DRA
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三星西安廠事故導(dǎo)致NAND價(jià)格爆沖22%

  •   因中國大陸、中國臺(tái)灣智能手機(jī)廠商紛紛強(qiáng)化產(chǎn)品功能、帶動(dòng)記憶體需求大增,加上三星電子西安工廠6月因附近變電廠爆炸而一度停工,帶動(dòng)使用于智能手機(jī)、記憶卡的NAND型快閃記憶體(Flash Memory)交易價(jià)格轉(zhuǎn)趨走揚(yáng),指標(biāo)性產(chǎn)品6月份批發(fā)價(jià)在1個(gè)月期間內(nèi)飆漲22%。   報(bào)道指出,6月份MLC(Multi-Level Cell)類型64Gb NAND價(jià)格揚(yáng)升至每個(gè)2.75美元、為2年9個(gè)月以來首度走升,其中也有部分交易價(jià)格超過3美元,且進(jìn)入7月以來價(jià)格仍持續(xù)走揚(yáng)。據(jù)英國調(diào)查公司指出,2016年全球NA
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東芝將領(lǐng)先三星推出64層3D NAND Flash

  •   據(jù)海外媒體報(bào)道,東芝(Toshiba)計(jì)劃領(lǐng)先三星電子(Samsung Electronics)于2016財(cái)年開始量產(chǎn)64層3D NAND Flash存儲(chǔ)器芯片。日經(jīng)亞洲評論(Nikkei Asian Review)報(bào)導(dǎo),東芝于7月15日舉辦日本三重縣四日市(Yokkaichi)半導(dǎo)體二廠啟用儀式,未來將在此工廠生產(chǎn)64層NAND Flash。   64層NAND Flash較東芝和三星目前生產(chǎn)的48層NAND Flash容量高30%,雖然價(jià)格較高,但每單位容量會(huì)比48層版的便宜。若應(yīng)用于智能型手機(jī)
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中國半導(dǎo)體業(yè)崛起策略:三駕馬車并用

  • 有關(guān)中國半導(dǎo)體業(yè)發(fā)展的討論已經(jīng)很久了,似乎路徑已經(jīng)清晰,關(guān)鍵在于執(zhí)行,以及達(dá)成何種效果。受現(xiàn)階段產(chǎn)業(yè)大環(huán)境的影響,仍由政府資金主導(dǎo),因此非市場化的因素尚在,產(chǎn)業(yè)的波浪式前進(jìn)似乎不可避免,中國半導(dǎo)體業(yè)發(fā)展需要采用研發(fā)、兼并及合資與合作的三駕馬車,這三者都十分重要,需要齊頭并進(jìn)。
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