nand　文章進(jìn)入nand　技術(shù)社區(qū)

傳三星邀協(xié)力廠研發(fā)EMI遮蔽制程意在瞄準(zhǔn)蘋(píng)果NAND訂單

　　傳聞三星電子(Samsung Electronics)半導(dǎo)體暨裝置解決方案事業(yè)部(DS)正與多家業(yè)者共同進(jìn)行EMI遮蔽制程研發(fā)，有意重啟對(duì)蘋(píng)果(Apple)供應(yīng)NAND Flash存儲(chǔ)器，過(guò)去4年來(lái)三星電子與蘋(píng)果的NAND Flash交易中斷。　　據(jù)韓媒ET News報(bào)導(dǎo)，日前業(yè)界表示，三星電子正與PROTEC、諾信(Nordon Asymtek)、韓松化學(xué)(Hansol Chemical)、Ntrium等多家點(diǎn)膠機(jī)(Dispense)業(yè)者，共同研發(fā)以噴涂(Spray)方式進(jìn)行EMI遮蔽制程。
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三星NAND Flash 傳四年后重返iPhone

　　韓廠積極打進(jìn)蘋(píng)果iPhone供應(yīng)鏈。韓國(guó)媒體報(bào)導(dǎo)，三星電子計(jì)畫(huà)提供NAND型快閃記憶體給iPhone，這將是睽違4年后三星電子NAND型快閃記憶體重返iPhone供應(yīng)鏈。　　韓國(guó)網(wǎng)站媒體ET News報(bào)導(dǎo)，蘋(píng)果從2012年iPhone 5推出開(kāi)始，就沒(méi)有采用三星電子(Samsung Electronics)的NAND型快閃記憶體，在于三星電子并未接受蘋(píng)果要求、在NAND型快閃記憶體封裝技術(shù)上采用電磁干擾屏蔽(EMI shielding;Electro Magnetic Interference s
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武漢新芯發(fā)表240億美元投資計(jì)劃著手3D NAND研發(fā)

　　大陸國(guó)營(yíng)企業(yè)武漢新芯(XMC)最近發(fā)表約240億美元的投資計(jì)劃，將以武漢為基地，興建以生產(chǎn)NAND Flash為主的半導(dǎo)體工廠。依韓國(guó)業(yè)界看法，武漢新芯與三星電子(Samsung Electronics)仍有至少3~4年的技術(shù)差距，但將是大陸市場(chǎng)上的潛在最大對(duì)手。　　據(jù)韓聯(lián)社報(bào)導(dǎo)，大武漢新芯最近發(fā)表27兆韓元(約240億美元)的投資計(jì)劃，將以武漢為基地，興建以生產(chǎn)NAND Flash為主的半導(dǎo)體工廠。地方政府已從投資機(jī)構(gòu)湖北省集成電路產(chǎn)業(yè)投資基金方面取得鉅額資金。　　韓聯(lián)社引述EE Times
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存儲(chǔ)“芯”發(fā)展剖析3D NAND閃存市場(chǎng)現(xiàn)狀

國(guó)內(nèi)大力扶持存儲(chǔ)，各種巨額的投資項(xiàng)目爭(zhēng)議不小，但是為了存儲(chǔ)自主的未來(lái)，也值。
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DRAM及NAND市場(chǎng)價(jià)格下跌美光營(yíng)收下滑

　　不論是NAND閃存還是DRAM內(nèi)存領(lǐng)域，韓國(guó)兩家公司三星、SK Hynix總算還能保住吃香喝辣的日子，但美國(guó)的美光公司這兩年就沒(méi)啥舒服日子了，技術(shù)、產(chǎn)能都落后友商，偏偏現(xiàn)在又遇到了內(nèi)存、閃存降價(jià)，跌跌不休的價(jià)格導(dǎo)致美光營(yíng)收下滑了30%，當(dāng)季凈虧損9700萬(wàn)美元，對(duì)未來(lái)季度的預(yù)測(cè)同樣悲觀。　　美光公司周三發(fā)布了截至今年3月3日的2016財(cái)年Q2財(cái)報(bào)，當(dāng)季營(yíng)收29.3億美元，上季度為33.5億美元，去年同期為41.66億美元，同比下滑了30%。　　美光當(dāng)季毛利只有5.79億美元，遠(yuǎn)遠(yuǎn)低于上季度的8
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4000億能砸出中國(guó)存儲(chǔ)器產(chǎn)業(yè)嗎？

在國(guó)家意志的推動(dòng)下，中國(guó)存儲(chǔ)企業(yè)大多是不差錢的主，完全可以在沒(méi)有后顧之憂的情況下，砸出工藝，暴出產(chǎn)能，在如此力度的政策、資金扶持下，武漢新芯、紫光等中國(guó)企業(yè)能重演京東方在面板產(chǎn)業(yè)的逆襲么？
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中國(guó)NAND快閃存儲(chǔ)器產(chǎn)業(yè)邁入新紀(jì)元

　　TrendForce旗下記憶體儲(chǔ)存事業(yè)處DRAMeXchange表示，中國(guó)記憶體大廠武漢新芯新建記憶體晶圓廠將從本月底開(kāi)始進(jìn)行建廠工程，目標(biāo)最快在2018年年初開(kāi)始生記憶體晶片，初期規(guī)劃將以目前最先進(jìn)的3D-NAND Flash為主要策略產(chǎn)品，代表了近兩年來(lái)中國(guó)極力發(fā)展記憶體產(chǎn)業(yè)的態(tài)勢(shì)下，將開(kāi)始進(jìn)入新的里程碑。　　DRAMeXchange研究協(xié)理?xiàng)钗牡弥赋?，現(xiàn)階段武漢新芯主要以生產(chǎn)NOR Flash為主，月產(chǎn)能約為2萬(wàn)片左右，在NAND Flash產(chǎn)業(yè)也展現(xiàn)強(qiáng)大的企圖心。不同于國(guó)際NAND Fla
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投資10nm/3D NAND　晶圓廠設(shè)備支出今年增3.7%

　　國(guó)際半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)協(xié)會(huì)(SEMI)最新報(bào)告指出，3D NAND、DRAM與10奈米制程等技術(shù)投資，將驅(qū)動(dòng)2016年晶圓廠設(shè)備支出攀升，預(yù)估2016年包括新設(shè)備、二手或?qū)?In-house)設(shè)備在內(nèi)的前段晶圓廠設(shè)備支出將增長(zhǎng)3.7%，達(dá)372億美元;而2017年則可望再成長(zhǎng)13%，達(dá)421億美元。　　SEMI指出，2015年晶圓廠設(shè)備支出為359億美元，較前一年微幅減少0.4%;預(yù)測(cè)2016年上半年晶圓廠設(shè)備支出可望緩慢提升，下半年則將開(kāi)始加速，為2017年儲(chǔ)備動(dòng)能。2017年相關(guān)支出可望回復(fù)兩位數(shù)成
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中國(guó)砸240億美元躍進(jìn)3D NAND閃存時(shí)代

國(guó)內(nèi)終于要有了存儲(chǔ)，剩下的問(wèn)題就是國(guó)產(chǎn)閃存應(yīng)該如何與三星、Intel、東芝們競(jìng)爭(zhēng)呢？初期的價(jià)格戰(zhàn)是不可避免的，但長(zhǎng)久來(lái)看還得是技術(shù)立足。
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東芝將向NAND投資8600億日元，預(yù)計(jì)2016財(cái)年銷售不到5萬(wàn)億日元

　　“失去的信任不是一朝一夕可以挽回的。雖然無(wú)法預(yù)測(cè)需要多長(zhǎng)時(shí)間，但希望能獲得新生，成為一家能永久發(fā)展下去的企業(yè)”。東芝于2016年3月18日在東京召開(kāi)了2016年度業(yè)務(wù)計(jì)劃說(shuō)明會(huì)，代表執(zhí)行董事社長(zhǎng)室町正志在會(huì)上這樣說(shuō)道。　　東芝的一系列結(jié)構(gòu)改革都已有了目標(biāo)。在說(shuō)明會(huì)前一天，東芝宣布將把醫(yī)療器械子公司——東芝醫(yī)療系統(tǒng)出售給佳能，將把白色家電業(yè)務(wù)出售給美的集團(tuán)(參閱本站報(bào)道1)。關(guān)于個(gè)人電腦業(yè)務(wù)與其他公司進(jìn)行業(yè)務(wù)合并一事，室町表示“希望在201
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2016年迎3D NAND技術(shù)拐點(diǎn)，誰(shuí)輸在起跑線？

　　為了進(jìn)一步提高NAND Flash生產(chǎn)效益，2016年Flash原廠將切入1znm(12nm-15nm)投產(chǎn)，但隨著逼近2D NAND工藝可量產(chǎn)的極限，加快向3D技術(shù)導(dǎo)入已迫在眉睫，2016年將真正迎來(lái)NAND Flash技術(shù)拐點(diǎn)。　　1、積極導(dǎo)入48層3D技術(shù)量產(chǎn)，提高成本競(jìng)爭(zhēng)力　　與2D工藝相比，3D技術(shù)的NAND Flash具有更高的性能和更大的存儲(chǔ)容量。3D技術(shù)若采用32層堆疊NAND Flash Die容量達(dá)128Gb，與主流2D 1y/1znm 128Gb相比缺乏成本競(jìng)爭(zhēng)力。　
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主流NAND Flash制程轉(zhuǎn)進(jìn)遇瓶頸閃迪/美光/Intel怎么樣了？

除供過(guò)于求價(jià)格下滑幅度加劇，現(xiàn)階段主流NANDFlash制程轉(zhuǎn)進(jìn)已遇到瓶頸，另外開(kāi)發(fā)與生產(chǎn)過(guò)程良率不佳的問(wèn)題，制程轉(zhuǎn)進(jìn)所帶來(lái)的成本下滑效益逐漸縮減。
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2015年第四季NAND品牌商營(yíng)收/利潤(rùn)衰退

　　2015年第四季整體 NAND Flash 市況持續(xù)供過(guò)于求，除通路顆粒合約價(jià)下滑9~10%外，智慧型手機(jī)、平板電腦與筆記型電腦等OEM裝置出貨不如預(yù)期，也讓eMMC與SSD價(jià)格單季下滑幅度擴(kuò)大至10~11%。　　TrendForce旗下記憶體儲(chǔ)存事業(yè)處DRAMeXchange最新報(bào)告顯示，在價(jià)格下滑幅度明顯高于位元銷售的情況下，第四季NAND Flash品牌商的營(yíng)收較第三季衰退2.3%。該機(jī)構(gòu)研究協(xié)理?xiàng)钗牡帽硎?，除價(jià)格下滑幅度加劇外，現(xiàn)階段主流NAND Flash製程轉(zhuǎn)進(jìn)已遇到瓶頸，三星(Sam
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2015年第四季NAND廠商營(yíng)收排行

　　2015年第四季整體 NAND Flash 市況持續(xù)供過(guò)于求，除通路顆粒合約價(jià)下滑9~10%外，智慧型手機(jī)、平板電腦與筆記型電腦等OEM裝置出貨不如預(yù)期，也讓eMMC與SSD價(jià)格單季下滑幅度擴(kuò)大至10~11%。　　TrendForce旗下記憶體儲(chǔ)存事業(yè)處DRAMeXchange最新報(bào)告顯示，在價(jià)格下滑幅度明顯高于位元銷售的情況下，第四季NAND Flash品牌商的營(yíng)收較第三季衰退2.3%。該機(jī)構(gòu)研究協(xié)理?xiàng)钗牡帽硎?，除價(jià)格下滑幅度加劇外，現(xiàn)階段主流NAND Flash制程轉(zhuǎn)進(jìn)已遇到瓶頸，三星(Sam
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運(yùn)用材料工程解決半導(dǎo)體行業(yè)技術(shù)拐點(diǎn)的挑戰(zhàn)

　　今年，半導(dǎo)體行業(yè)將迎來(lái)幾大重要的技術(shù)拐點(diǎn)。存儲(chǔ)器制造商正逐步轉(zhuǎn)向3D NAND技術(shù)，從而以更低的單位成本打造性能更出眾、密度更高的存儲(chǔ)設(shè)備。我們預(yù)計(jì)2016年所有主要存儲(chǔ)器制造商都將實(shí)現(xiàn)3D NAND器件的批量生產(chǎn)。　　由平面結(jié)構(gòu)向3D NAND器件的過(guò)渡將帶來(lái)一系列生產(chǎn)工藝上的新要求，促進(jìn)了由材料所推動(dòng)的芯片尺寸縮微，推升了對(duì)新材料、新工藝技術(shù)的需求。在這個(gè)背景下，對(duì)厚度和一致性能夠進(jìn)行精確的、原子級(jí)層到層控制的新型沉積和蝕刻設(shè)備，對(duì)于制造多層堆疊存儲(chǔ)單元來(lái)說(shuō)至關(guān)重要。此外，隨著越來(lái)越多支持圖案
關(guān)鍵字：半導(dǎo)體 NAND