nand　文章進(jìn)入nand　技術(shù)社區(qū)

東芝四日市新廠動(dòng)土2015年起量產(chǎn)3D NAND

　　核心提示：東芝(Toshiba)在2014年9月9日于日本四日市工廠，主持采用更高精度制程N(yùn)AND Flash廠、第五工廠第二期工程完工典禮，與3D NAND Flash廠、第二工廠新工程動(dòng)土典禮，象征在NAND Flash市場(chǎng)的積極作為。　　東芝(Toshiba)在2014年9月9日于日本四日市工廠，主持采用更高精度制程N(yùn)AND Flash廠、第五工廠第二期工程完工典禮，與3D NAND Flash廠、第二工廠新工程動(dòng)土典禮，象征在NAND Flash市場(chǎng)的積極作為。　　由于智能型手
關(guān)鍵字：東芝 NAND

中芯國(guó)際進(jìn)軍閃存，自主研發(fā)38nm NAND來了

　　雖然規(guī)模和技術(shù)遠(yuǎn)遠(yuǎn)不如TSMC臺(tái)積電、UMC臺(tái)聯(lián)電等代工巨頭，不過中芯國(guó)際(SMIC)這兩年發(fā)展的還不錯(cuò)，28nm工藝年初也正式量產(chǎn)了，還從TSMC手中搶到了部分高通處理器訂單，現(xiàn)在他們準(zhǔn)備進(jìn)軍新的市場(chǎng)領(lǐng)域了——向客戶推出38nm工藝的NAND閃存，而且是中芯國(guó)際自主研發(fā)的技術(shù)。　　NAND閃存的重要性不必說，目前SSD固態(tài)硬盤以及消費(fèi)電子上所用的存儲(chǔ)器多數(shù)都是基于NAND閃存，目前全球主要的NAND產(chǎn)能都掌握在三星電子、東芝/閃迪、SK Hynix及Intel、美光合
關(guān)鍵字：中芯國(guó)際 NAND

東芝在閃存峰會(huì)上展示最新NAND和存儲(chǔ)產(chǎn)品

　　東芝公司今天宣布，該公司在閃存峰會(huì)(Flash Memory Summit)上展示其最新的NAND閃存和存儲(chǔ)產(chǎn)品。閃存峰會(huì)是全球最大的閃存討論會(huì)，于8月5至7日在美國(guó)加州圣塔克拉拉市的圣塔克拉拉會(huì)議中心(Santa Clara Convention Center)舉行。　　閃存峰會(huì)的展覽環(huán)節(jié)在會(huì)議的最后兩天8月6日和7日舉行，東芝在504號(hào)展位布展。　　主要展品 ??? 1、企業(yè)級(jí)固態(tài)硬盤(eSSD)：　　??? 企業(yè)級(jí)讀密集型
關(guān)鍵字：東芝 NAND 固態(tài)硬盤

匯聚中國(guó)移動(dòng)行業(yè)生態(tài)系統(tǒng)領(lǐng)導(dǎo)廠商第二屆閃迪年度客戶研討會(huì)圓滿舉行

　　全球領(lǐng)先的閃存存儲(chǔ)解決方案供應(yīng)商閃迪公司今日宣布，來自移動(dòng)設(shè)備、平板電腦和消費(fèi)類電子產(chǎn)品行業(yè)生態(tài)系統(tǒng)的300多位領(lǐng)導(dǎo)廠商本周齊聚中國(guó)深圳，參加閃迪舉辦的第二屆年度“Future Proof Storage”研討會(huì)。本次活動(dòng)于8月26日舉行，囊括了中國(guó)及世界各地極具影響力的領(lǐng)先移動(dòng)科技公司(包括幾乎所有領(lǐng)先芯片組供應(yīng)商的代表)，共同探討塑造移動(dòng)互聯(lián)市場(chǎng)的新技術(shù)、新應(yīng)用、新趨勢(shì)和閃存技術(shù)演進(jìn)。Future Proof Storage 研討會(huì)邀請(qǐng)了移動(dòng)行業(yè)中的十幾位領(lǐng)導(dǎo)者擔(dān)任演講嘉賓
關(guān)鍵字：閃迪智能手機(jī) NAND

終端需求多元化帶動(dòng)NAND Flash市場(chǎng)穩(wěn)健增長(zhǎng)

　　TrendForce旗下內(nèi)存儲(chǔ)存事業(yè)處DRAMeXchange最新調(diào)查顯示，由于智能手機(jī)、平板電腦等移動(dòng)裝置需求穩(wěn)健增長(zhǎng)，固態(tài)硬盤在筆記本電腦以及服務(wù)器與數(shù)據(jù)中心的需求增加，而物聯(lián)網(wǎng)應(yīng)用也將逐漸導(dǎo)入NANDFlash，2015年NANDFlash整體產(chǎn)業(yè)規(guī)模將提升至266億美元，年增長(zhǎng)9%。　　DRAMeXchange研究協(xié)理?xiàng)钗牡帽硎荆?014年NANDFlash需求位增長(zhǎng)率為36%，在更多元化的產(chǎn)品開始導(dǎo)入NANDFlash的挹注下，2015年的需求位增長(zhǎng)率將依舊有35%。市場(chǎng)趨勢(shì)觀察的重
關(guān)鍵字： NAND Flash 穿戴性裝置

第二季NAND Flash品牌廠商分析與營(yíng)收排行

今年第二季NANDFlash品牌供貨商營(yíng)收達(dá)76.49億美元，季成長(zhǎng)5.6%，隨著智能手機(jī)與平板電腦等進(jìn)入出貨旺季，仍可望提升NANDFlash下半年的市場(chǎng)表現(xiàn)。
關(guān)鍵字： Intel NAND

三星、東芝競(jìng)擴(kuò)產(chǎn)NAND Flash報(bào)價(jià)恐跌三成

　　全球NANDFlash(儲(chǔ)存型快閃記憶體)供給成長(zhǎng)持續(xù)大于需求，預(yù)估NANDFlash今年底報(bào)價(jià)將較去年跌掉三成，且跌勢(shì)恐將一直延續(xù)至2018年。　　市調(diào)機(jī)構(gòu)IHSiSuppli最新報(bào)告預(yù)測(cè)，NANDFlash今年底報(bào)價(jià)將跌至0.49美元每GB，遠(yuǎn)低于去年的0.71美元，預(yù)估2018年將進(jìn)一步跌至0.14美元，其間年復(fù)合成長(zhǎng)率為負(fù)的28%。　　NANDFlash產(chǎn)出過多是導(dǎo)致價(jià)格崩跌的主因，若以1GB等量單位計(jì)算，IHSiSuppl估計(jì)，2018年NANDFlash產(chǎn)出將自2013年的
關(guān)鍵字：東芝 NAND

Spansion全新閃存設(shè)備不懼熱力來襲

　　并非所有的嵌入式應(yīng)用都“生而平等”。在設(shè)計(jì)者們繼續(xù)尋求途徑改善用戶體驗(yàn)和性能等方面的過程中，一個(gè)必須考慮的重要因素是嵌入式應(yīng)用的運(yùn)行環(huán)境。從北極地區(qū)冰冷刺骨的戶外天線，到美國(guó)德州油氣公司極度炙熱的井下鉆機(jī)，嵌入式應(yīng)用所需支持的環(huán)境千差萬別。嵌入式系統(tǒng)及其組件不僅須支持高溫環(huán)境下功能運(yùn)作，還必須保持其交流和直流參數(shù)以及其它規(guī)格要求。如果在極端溫度范圍內(nèi)無法滿足所有規(guī)格要求，必須做出得失權(quán)衡，就必須記錄下這一信息，并在設(shè)計(jì)過程中進(jìn)行共享。在汽車、消費(fèi)、工業(yè)、游戲、網(wǎng)絡(luò)或通信應(yīng)用中，
關(guān)鍵字： Spansion NAND FL1-K

Marvell推出最新一代SATA SSD控制器，憑借開創(chuàng)性LDPC技術(shù)支持TLC NAND閃存

　　全球整合式芯片解決方案的領(lǐng)導(dǎo)廠商美滿電子科技(Marvell，納斯達(dá)克代碼：MRVL)今日宣布，推出革命性的第五代6Gb/s SATASSD控制器Marvell 88SS1074。這款業(yè)界領(lǐng)先的產(chǎn)品采用了Marvell第三代NANDEdge? 糾錯(cuò)、低密度奇偶校驗(yàn)(LDPC)技術(shù)，使消費(fèi)類及企業(yè)級(jí)SSD便于采用15nm TLC NAND閃存。先進(jìn)的Marvell 88SS1074 SATA SSD控制器顯著降低了存儲(chǔ)系統(tǒng)的總體成本，功耗更低，并提供無與倫比的性能?！　arvell公司總裁、聯(lián)合創(chuàng)始人
關(guān)鍵字： Marvell 控制器 NAND

半導(dǎo)體是電子工業(yè)發(fā)展的基石(下)

　　科研投資　　日本資深專業(yè)人士泉谷涉還說：2012年日本國(guó)內(nèi)半導(dǎo)體產(chǎn)值約5萬億日元，占GDP的5%，但它對(duì)應(yīng)用半導(dǎo)體的服務(wù)業(yè)、硬件業(yè)以及通過IT業(yè)以提高生產(chǎn)力的下游產(chǎn)業(yè)來計(jì)算，半導(dǎo)體產(chǎn)生的經(jīng)濟(jì)效益約為100萬億日元，兩者之比達(dá)到1：20，如此給力，誰不動(dòng)心?!但是，半導(dǎo)體業(yè)又一向被稱為“食金蟲”產(chǎn)業(yè)，沒有國(guó)家的大力支持，沒有生產(chǎn)設(shè)備和科研經(jīng)費(fèi)的巨大投入，那是美夢(mèng)難圓的。　　半導(dǎo)體設(shè)備投資也是引導(dǎo)世界經(jīng)濟(jì)增長(zhǎng)的要素之一，它每年投資計(jì)劃的發(fā)表還常關(guān)聯(lián)到生產(chǎn)設(shè)備、材料公司的股
關(guān)鍵字：半導(dǎo)體 NAND IC 201405

半導(dǎo)體是電子工業(yè)發(fā)展的基石(上)

　　智慧之石　　作為電子工業(yè)發(fā)展基礎(chǔ)的電子器件，已經(jīng)歷了三個(gè)巨大變革時(shí)代：1.?電子管時(shí)代――1905～1947(42年);2.?晶體管時(shí)代――1947～1958(11年);3.?集成電路時(shí)代――1958～…(到2014年已有56年)?！　‰娮庸艿陌l(fā)明拉開了電子時(shí)代的序幕，為當(dāng)時(shí)蓬勃發(fā)展的無線電報(bào)事業(yè)提供了核心器件，在它存在的40多年的時(shí)間里，推動(dòng)了收音機(jī)、電視機(jī)、雷達(dá)、計(jì)算機(jī)的發(fā)明和應(yīng)用。美國(guó)是電子工業(yè)發(fā)展的代表，1920年即開始廣播，也是30年代最早開始電視廣播的國(guó)家之一
關(guān)鍵字： NAND DRAM PC 201404

2013年第四季NAND品牌供應(yīng)商營(yíng)收下滑4.5%

　　全球市場(chǎng)研究機(jī)構(gòu)TrendForce 旗下記憶體儲(chǔ)存事業(yè)處DRAMeXchange 表示，在NAND Flash業(yè)者原先對(duì)于 2013年第四季終端裝置出貨過于樂觀，導(dǎo)致產(chǎn)出成長(zhǎng)高于后續(xù)實(shí)際需求而讓市況呈現(xiàn)供過于求，以及SK海力士(Hynix)火災(zāi)影響 NAND 產(chǎn)能調(diào)配等因素下，2013年第四季 NAND Flash 品牌供應(yīng)商營(yíng)收較第三季下滑4.5%，來到61億6,800萬美元。　　2013年全年整體市況與供需產(chǎn)銷較2012年改善不少，因此第四季營(yíng)收較 2012年同期增加16%;DRAMeXch
關(guān)鍵字： NAND DRAM

布局存儲(chǔ)器封測(cè) 臺(tái)廠競(jìng)爭(zhēng)卡位

　　存儲(chǔ)器大廠美光擴(kuò)大委外封裝合作，東芝新廠可望今年量產(chǎn)。日月光、力成、南茂、華東等臺(tái)廠積極布局，今年存儲(chǔ)器封測(cè)競(jìng)爭(zhēng)卡位，勢(shì)必激烈。　　展望今年，國(guó)際存儲(chǔ)器大廠集中資源開發(fā)前端制程，包括動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(DRAM)和快閃存儲(chǔ)器(Flash)后段封測(cè)可能擴(kuò)大委外，封測(cè)臺(tái)廠考量自身發(fā)展，積極與國(guó)際大廠洽商合作。　　美光(Micron)去年以20億美元買下日本存儲(chǔ)器大廠爾必達(dá)(Elpida)，提高美光全球DRAM市占率約1倍。　　為進(jìn)一步集成DRAM封測(cè)業(yè)務(wù)，去年下半年美光著手洽商DRAM后段封測(cè)
關(guān)鍵字：存儲(chǔ)器 NAND

武漢新芯：定位存儲(chǔ)器制造，兩年后或推3D NAND

武漢新芯集成電路制造公司(XMC)2006成立，2012年底起獨(dú)立經(jīng)營(yíng)，是國(guó)有制企業(yè)。為了區(qū)別于本土的制造巨頭SMIC(中芯國(guó)際)和華力微電子(HLMC)等，XMC將立足存儲(chǔ)器制造。近日，武漢新芯董事長(zhǎng)王繼增告訴筆者。
關(guān)鍵字： XMC 存儲(chǔ)器 NOR NAND 201401