首頁  資訊  商機(jī)   下載  拆解   高校  招聘   雜志  會(huì)展  EETV  百科   問答  電路圖  工程師手冊   Datasheet  100例   活動(dòng)中心  E周刊閱讀   樣片申請
EEPW首頁 >> 主題列表 >> nand 

終端需求多元化帶動(dòng)NAND Flash市場穩(wěn)健增長

  •   TrendForce旗下內(nèi)存儲(chǔ)存事業(yè)處DRAMeXchange最新調(diào)查顯示,由于智能手機(jī)、平板電腦等移動(dòng)裝置需求穩(wěn)健增長,固態(tài)硬盤在筆記本電腦以及服務(wù)器與數(shù)據(jù)中心的需求增加,而物聯(lián)網(wǎng)應(yīng)用也將逐漸導(dǎo)入NANDFlash,2015年NANDFlash整體產(chǎn)業(yè)規(guī)模將提升至266億美元,年增長9%。   DRAMeXchange研究協(xié)理?xiàng)钗牡帽硎荆?014年NANDFlash需求位增長率為36%,在更多元化的產(chǎn)品開始導(dǎo)入NANDFlash的挹注下,2015年的需求位增長率將依舊有35%。市場趨勢觀察的重
  • 關(guān)鍵字: NAND Flash  穿戴性裝置  

第二季NAND Flash品牌廠商分析與營收排行

  • 今年第二季NANDFlash品牌供貨商營收達(dá)76.49億美元,季成長5.6%,隨著智能手機(jī)與平板電腦等進(jìn)入出貨旺季,仍可望提升NANDFlash下半年的市場表現(xiàn)。
  • 關(guān)鍵字: Intel  NAND  

三星、東芝競擴(kuò)產(chǎn)NAND Flash報(bào)價(jià)恐跌三成

  •   全球NANDFlash(儲(chǔ)存型快閃記憶體)供給成長持續(xù)大于需求,預(yù)估NANDFlash今年底報(bào)價(jià)將較去年跌掉三成,且跌勢恐將一直延續(xù)至2018年。   市調(diào)機(jī)構(gòu)IHSiSuppli最新報(bào)告預(yù)測,NANDFlash今年底報(bào)價(jià)將跌至0.49美元每GB,遠(yuǎn)低于去年的0.71美元,預(yù)估2018年將進(jìn)一步跌至0.14美元,其間年復(fù)合成長率為負(fù)的28%。   NANDFlash產(chǎn)出過多是導(dǎo)致價(jià)格崩跌的主因,若以1GB等量單位計(jì)算,IHSiSuppl估計(jì),2018年NANDFlash產(chǎn)出將自2013年的
  • 關(guān)鍵字: 東芝  NAND   

Spansion全新閃存設(shè)備不懼熱力來襲

  •   并非所有的嵌入式應(yīng)用都“生而平等”。在設(shè)計(jì)者們繼續(xù)尋求途徑改善用戶體驗(yàn)和性能等方面的過程中,一個(gè)必須考慮的重要因素是嵌入式應(yīng)用的運(yùn)行環(huán)境。從北極地區(qū)冰冷刺骨的戶外天線,到美國德州油氣公司極度炙熱的井下鉆機(jī),嵌入式應(yīng)用所需支持的環(huán)境千差萬別。嵌入式系統(tǒng)及其組件不僅須支持高溫環(huán)境下功能運(yùn)作,還必須保持其交流和直流參數(shù)以及其它規(guī)格要求。如果在極端溫度范圍內(nèi)無法滿足所有規(guī)格要求,必須做出得失權(quán)衡,就必須記錄下這一信息,并在設(shè)計(jì)過程中進(jìn)行共享。在汽車、消費(fèi)、工業(yè)、游戲、網(wǎng)絡(luò)或通信應(yīng)用中,
  • 關(guān)鍵字: Spansion  NAND  FL1-K  

Marvell推出最新一代SATA SSD控制器,憑借開創(chuàng)性LDPC技術(shù)支持TLC NAND閃存

  •   全球整合式芯片解決方案的領(lǐng)導(dǎo)廠商美滿電子科技(Marvell,納斯達(dá)克代碼:MRVL)今日宣布,推出革命性的第五代6Gb/s SATASSD控制器Marvell 88SS1074。這款業(yè)界領(lǐng)先的產(chǎn)品采用了Marvell第三代NANDEdge? 糾錯(cuò)、低密度奇偶校驗(yàn)(LDPC)技術(shù),使消費(fèi)類及企業(yè)級SSD便于采用15nm TLC NAND閃存。先進(jìn)的Marvell 88SS1074 SATA SSD控制器顯著降低了存儲(chǔ)系統(tǒng)的總體成本,功耗更低,并提供無與倫比的性能。  Marvell公司總裁、聯(lián)合創(chuàng)始人
  • 關(guān)鍵字: Marvell  控制器  NAND  

半導(dǎo)體是電子工業(yè)發(fā)展的基石(下)

  •   科研投資   日本資深專業(yè)人士泉谷涉還說:2012年日本國內(nèi)半導(dǎo)體產(chǎn)值約5萬億日元,占GDP的5%,但它對應(yīng)用半導(dǎo)體的服務(wù)業(yè)、硬件業(yè)以及通過IT業(yè)以提高生產(chǎn)力的下游產(chǎn)業(yè)來計(jì)算,半導(dǎo)體產(chǎn)生的經(jīng)濟(jì)效益約為100萬億日元 ,兩者之比達(dá)到1:20,如此給力,誰不動(dòng)心?!但是,半導(dǎo)體業(yè)又一向被稱為“食金蟲”產(chǎn)業(yè),沒有國家的大力支持,沒有生產(chǎn)設(shè)備和科研經(jīng)費(fèi)的巨大投入,那是美夢難圓的。   半導(dǎo)體設(shè)備投資也是引導(dǎo)世界經(jīng)濟(jì)增長的要素之一,它每年投資計(jì)劃的發(fā)表還常關(guān)聯(lián)到生產(chǎn)設(shè)備、材料公司的股
  • 關(guān)鍵字: 半導(dǎo)體  NAND  IC  201405  

半導(dǎo)體是電子工業(yè)發(fā)展的基石(上)

  •   智慧之石  作為電子工業(yè)發(fā)展基礎(chǔ)的電子器件,已經(jīng)歷了三個(gè)巨大變革時(shí)代:1.?電子管時(shí)代――1905~1947(42年);2.?晶體管時(shí)代――1947~1958(11年);3.?集成電路時(shí)代――1958~…(到2014年已有56年)?! ‰娮庸艿陌l(fā)明拉開了電子時(shí)代的序幕,為當(dāng)時(shí)蓬勃發(fā)展的無線電報(bào)事業(yè)提供了核心器件,在它存在的40多年的時(shí)間里,推動(dòng)了收音機(jī)、電視機(jī)、雷達(dá)、計(jì)算機(jī)的發(fā)明和應(yīng)用。美國是電子工業(yè)發(fā)展的代表,1920年即開始廣播,也是30年代最早開始電視廣播的國家之一
  • 關(guān)鍵字: NAND  DRAM  PC  201404  

2013年第四季NAND品牌供應(yīng)商營收下滑4.5%

  •   全球市場研究機(jī)構(gòu)TrendForce 旗下記憶體儲(chǔ)存事業(yè)處DRAMeXchange 表示,在NAND Flash業(yè)者原先對于 2013年第四季終端裝置出貨過于樂觀,導(dǎo)致產(chǎn)出成長高于后續(xù)實(shí)際需求而讓市況呈現(xiàn)供過于求,以及SK海力士(Hynix)火災(zāi)影響 NAND 產(chǎn)能調(diào)配等因素下,2013年第四季 NAND Flash 品牌供應(yīng)商營收較第三季下滑4.5%,來到61億6,800萬美元。   2013年全年整體市況與供需產(chǎn)銷較2012年改善不少,因此第四季營收較 2012年同期增加16%;DRAMeXch
  • 關(guān)鍵字: NAND  DRAM  

布局存儲(chǔ)器封測 臺(tái)廠競爭卡位

  •   存儲(chǔ)器大廠美光擴(kuò)大委外封裝合作,東芝新廠可望今年量產(chǎn)。日月光、力成、南茂、華東等臺(tái)廠積極布局,今年存儲(chǔ)器封測競爭卡位,勢必激烈。   展望今年,國際存儲(chǔ)器大廠集中資源開發(fā)前端制程,包括動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(DRAM)和快閃存儲(chǔ)器(Flash)后段封測可能擴(kuò)大委外,封測臺(tái)廠考量自身發(fā)展,積極與國際大廠洽商合作。   美光(Micron)去年以20億美元買下日本存儲(chǔ)器大廠爾必達(dá)(Elpida),提高美光全球DRAM市占率約1倍。   為進(jìn)一步集成DRAM封測業(yè)務(wù),去年下半年美光著手洽商DRAM后段封測
  • 關(guān)鍵字: 存儲(chǔ)器  NAND  

武漢新芯:定位存儲(chǔ)器制造,兩年后或推3D NAND

  • 武漢新芯集成電路制造公司(XMC)2006成立,2012年底起獨(dú)立經(jīng)營,是國有制企業(yè)。為了區(qū)別于本土的制造巨頭SMIC(中芯國際)和華力微電子(HLMC)等,XMC將立足存儲(chǔ)器制造。近日,武漢新芯董事長王繼增告訴筆者。
  • 關(guān)鍵字: XMC  存儲(chǔ)器  NOR  NAND  201401  

ARM11 S3C6410系列教程之四:NANDflash操作

  • 在本章開始之前,我們先來看下ARM11S3C6410內(nèi)部結(jié)構(gòu):
  • 關(guān)鍵字: ARM11  DDR  NAND  flash  寄存器  

武漢新芯:已建成IP體系,欲以存儲(chǔ)器為特色

  • 武漢新芯集成電路制造公司(XMC)是地方政府投資的半導(dǎo)體企業(yè),2006年由湖北省、武漢市、武漢市東湖高新區(qū)投資,并由東湖高新區(qū)管理的全資國有企業(yè),前幾年委托SMIC(中芯國際)經(jīng)營管理,從2012年底起獨(dú)立經(jīng)營。
  • 關(guān)鍵字: XMC  存儲(chǔ)器  NAND  

東芝推出采用19納米第二代工藝技術(shù)的新型嵌入式NAND閃存模塊

  • 東京—東芝公司(TOKYO:6502)日前宣布推出新型嵌入式NAND閃存模塊(e·MMC),該模塊整合了采用19納米第二代工藝技術(shù)制造的NAND芯片。同時(shí)該模塊符合最新的e·MMC?[1]標(biāo)準(zhǔn),旨在應(yīng)用于智能手機(jī)、平板電腦和數(shù)字?jǐn)z像機(jī)等廣泛的數(shù)字消費(fèi)品。批量生產(chǎn)將從11月底開始。
  • 關(guān)鍵字: 東芝  嵌入式  NAND  

基于NAND Flash的大容量立體封裝芯片在嵌入式系統(tǒng)中的應(yīng)用

  • 摘要: NAND Flash應(yīng)用的困難在于管理和需要特殊的系統(tǒng)接口。本文介紹了一種利用MCU存儲(chǔ)器管理接口結(jié)合I/O口來實(shí)現(xiàn)NAND Flash存儲(chǔ)結(jié)構(gòu)的搭建和管理的方法,并介紹底層的驅(qū)動(dòng)程序。
  • 關(guān)鍵字: Flash  嵌入式  MCU  存儲(chǔ)器  NAND  寄存器  201312  

Marvell擴(kuò)大固態(tài)硬盤控制器在全球領(lǐng)先OEM中的市場份額

  • 全球整合式芯片解決方案的領(lǐng)導(dǎo)廠商美滿電子科技(Marvell,納斯達(dá)克代碼:MRVL)日前宣布,其完備的整合式芯片與軟件定義解決方案組合將繼續(xù)加速實(shí)現(xiàn)全球消費(fèi)者和企業(yè)的“美滿互聯(lián)生活(Connected Lifestyle)”。當(dāng)前,Marvell擁有豐富的端到端存儲(chǔ)、網(wǎng)絡(luò)、計(jì)算、移動(dòng)和聯(lián)網(wǎng)解決方案,在行業(yè)中占據(jù)著獨(dú)一無二的領(lǐng)導(dǎo)地位。
  • 關(guān)鍵字: Marvell  固態(tài)硬盤  NAND  
共1109條 38/74 |‹ « 36 37 38 39 40 41 42 43 44 45 » ›|

nand 介紹

您好,目前還沒有人創(chuàng)建詞條nand !
歡迎您創(chuàng)建該詞條,闡述對nand 的理解,并與今后在此搜索nand 的朋友們分享。    創(chuàng)建詞條

熱門主題

樹莓派    linux   
關(guān)于我們 - 廣告服務(wù) - 企業(yè)會(huì)員服務(wù) - 網(wǎng)站地圖 - 聯(lián)系我們 - 征稿 - 友情鏈接 - 手機(jī)EEPW
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產(chǎn)品世界》雜志社 版權(quán)所有 北京東曉國際技術(shù)信息咨詢有限公司
備案 京ICP備12027778號(hào)-2 北京市公安局備案:1101082052    京公網(wǎng)安備11010802012473