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需求持續(xù)下修，第一季NAND Flash總營收環(huán)比下跌16.1%

  • 據(jù)TrendForce集邦咨詢研究顯示，第一季NAND Flash買方采購動能保守，供應(yīng)商持續(xù)透過降價(jià)求售，但第一季NAND Flash位元出貨量僅微幅環(huán)比增長2.1%，平均銷售（ASP）單價(jià)季減15%，合計(jì)NAND Flash產(chǎn)業(yè)營收約86.3億美元，環(huán)比減少16.1%。SK集團(tuán)（SK hynix & Solidigm）及西部數(shù)據(jù)（WDC）量價(jià)齊跌，沖擊營收表現(xiàn)，環(huán)比下降均逾兩成。SK集團(tuán)受淡季及削價(jià)競爭影響，第一季NAND Flash營收僅13.2億美元，環(huán)比減少24.8%
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NAND閃存主控芯片供應(yīng)商2023年第1季財(cái)報(bào)出爐

  • 據(jù)中國臺灣《經(jīng)濟(jì)日報(bào)》報(bào)道，全球NAND閃存主控芯片供應(yīng)商慧榮科技（SIMO）公布2023年第1季財(cái)報(bào)，營收1億2407萬美元，季減38%，年減49%，第1季毛利率42.3%，稅后凈利1116萬美元。報(bào)道引述慧榮科技總經(jīng)理茍嘉章表示，包括NAND大廠在內(nèi)的主要客戶，目前一致認(rèn)為市況仍極具挑戰(zhàn)。PC和智能手機(jī)終端市場持續(xù)呈現(xiàn)疲弱，上下游供應(yīng)鏈皆將重心放在去化庫存，包括消費(fèi)級SSD和eMMC/UFS等嵌入式存儲設(shè)備供應(yīng)商，因此影響相關(guān)控制芯片的營收。茍嘉章認(rèn)為，見到一些客戶的下單模式從第2季開始有所改善，再加
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3D NAND 堆疊可超 300 層，鎧俠解讀新技術(shù)

  • 5 月 5 日消息， 鎧俠和西數(shù)展示最新的技術(shù)儲備，雙方正在努力實(shí)現(xiàn) 8 平面 3D NAND 設(shè)備以及具有超過 300 條字線的 3D NAND IC。根據(jù)其公布的技術(shù)論文，鎧俠展示了一種八平面 1Tb 3D TLC NAND 器件，有超過 210 個(gè)有源層和 3.2 GT/s 接口，可提供 205 MB/s 的程序吞吐量，讀取延遲縮小到 40 微秒。此外，鎧俠和西部數(shù)據(jù)還合作開發(fā)具有超過 300 個(gè)有源字層的 3D NAND 器件，這是一個(gè)具有實(shí)驗(yàn)性的 3D NAND IC，通過金屬誘導(dǎo)側(cè)向
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復(fù)旦微電推出NAND Flash及EEPROM存儲器新品

  • 4月27日，上海復(fù)旦微電子集團(tuán)股份有限公司今日舉辦線上發(fā)布會，推出FM25/FM29系列SLC NAND，F(xiàn)M24N/FM24LN/FM25N高可靠、超寬壓系列EEPROM，以及符合AEC-Q100的車規(guī)FM24C/FM25系列EEPROM等非揮發(fā)存儲新產(chǎn)品。FM25/FM29系列產(chǎn)品基于28nm先進(jìn)NAND flash工藝，滿足6萬次擦寫次數(shù)和數(shù)據(jù)保存10年的高可靠性要求，應(yīng)用于工規(guī)、5G通訊、車載等相關(guān)領(lǐng)域。FM24N/FM24LN/FM25N系列產(chǎn)品基于95nm先進(jìn)EEPROM工藝，具備低功耗、
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先進(jìn)封裝推動 NAND 和 DRAM 技術(shù)進(jìn)步

  • 先進(jìn)封裝在內(nèi)存業(yè)務(wù)中變得越來越重要。
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預(yù)估第二季NAND Flash均價(jià)續(xù)跌5~10%，能否止跌端看下半年需求

  • 即便原廠持續(xù)進(jìn)行減產(chǎn)，然需求端如服務(wù)器、智能手機(jī)、筆電等需求仍未見起色，NAND Flash市場仍處在供給過剩狀態(tài)，故TrendForce集邦咨詢預(yù)估，第二季NAND Flash均價(jià)仍將持續(xù)下跌，環(huán)比下跌幅度收斂至5~10%。而后續(xù)恢復(fù)供需平衡的關(guān)鍵在于原廠是否有更大規(guī)模的減產(chǎn)，TrendForce集邦咨詢認(rèn)為若目前需求端未再持續(xù)下修，NAND Flash均價(jià)有機(jī)會在第四季止跌反彈，反之，若旺季需求端持續(xù)疲弱，均價(jià)反彈時(shí)間恐再延后。Client SSD方面，目前PC OEM零部件庫存去化已見成
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2023年內(nèi)存芯片趨勢

  • 2023 年，存儲芯片的跌勢仍在延續(xù)，何時(shí)止跌還是未知數(shù)。
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NAND Flash 大降價(jià)，固態(tài)硬盤取代機(jī)械硬盤指日可待

  • 相信有很多小伙伴已經(jīng)注意到了，目前市場上很多固態(tài)硬盤的價(jià)格相比去年又降低了不少。這是由于制造固態(tài)硬盤所需的 NAND 芯片降價(jià)導(dǎo)致的。根據(jù)集邦咨詢的數(shù)據(jù)顯示，NAND Flash 市場自 2022 年下半年以來面臨需求逆風(fēng)，供應(yīng)鏈積極去化庫存加以應(yīng)對，此情況導(dǎo)致第四季 NAND Flash 合約價(jià)格下跌 20-25%，其中 Enterprise SSD（企業(yè)級固態(tài)硬盤）是下跌最劇烈的產(chǎn)品，跌幅約 23-28%。這對于 NAND 芯片廠商來說并不是什么好消息，但對于普通消費(fèi)者來說，我們確實(shí)能買到更便宜的固態(tài)
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內(nèi)存雙雄：市況否極泰來

  • 華邦消費(fèi)性電子應(yīng)用需求回溫本季是谷底；南亞科上半年跌幅收斂。
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(2023.3.20)半導(dǎo)體周要聞－莫大康

  • 半導(dǎo)體周要聞2023.3.13-2023.3.171. 任正非：華為三年完成了13000型號器件的替代開發(fā)近日，華為公司在深圳坂田總部舉辦“難題揭榜”火花獎頒獎典禮，為在解題揭榜中做出突出貢獻(xiàn)的獲獎人員代表頒獎，華為總裁任正非發(fā)表了講話，部分參與座談的大學(xué)發(fā)布了座談紀(jì)要。任正非表示，在美國制裁華為這三年期間，華為完成 13000 + 型號器件的替代開發(fā)、4000 + 電路板的反復(fù)換板開發(fā)等，直到現(xiàn)在電路板才穩(wěn)定下來，因?yàn)橛辛藝a(chǎn)的零部件供應(yīng)。任正非表示，華為現(xiàn)在還屬于困難時(shí)期，但在前進(jìn)的道路上并沒有停步。
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存儲器廠商Q1虧損恐難逃

  • 由于DRAM及NAND Flash第一季價(jià)格續(xù)跌，加上庫存水位過高，終端消費(fèi)支出持續(xù)放緩，據(jù)外電消息，韓國三星電子及SK海力士本季度的芯片業(yè)務(wù)恐因提列庫存損失而面臨數(shù)十億美元虧損。法人指出，南亞科（2408）及華邦電（2344）因減產(chǎn)及跌價(jià)導(dǎo)致營收及毛利率持續(xù)下滑，第一季本業(yè)虧損恐將在所難免。據(jù)外電報(bào)導(dǎo)，三星電子3月19日提交給韓國金融監(jiān)督院的申報(bào)文件中指出，截至去年第四季，整體庫存資產(chǎn)達(dá)到52.2兆韓元（約折合399億美元），遠(yuǎn)高于2021年的41.4兆韓元并創(chuàng)下歷史新高。其中，占三星營收比重最高的半導(dǎo)
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存儲大廠展示300層NAND Flash，預(yù)計(jì)最快2024年問世

  • 近日，在第70屆IEEE國際固態(tài)電路會議（ISSCC）上，韓國存儲器大廠SK海力士展示了最新300層堆疊第八代3D NAND Flash快閃存儲器原型。SK海力士表示，新3D NAND Flash快閃存儲器預(yù)定兩年內(nèi)上市，有望打破紀(jì)錄。外媒報(bào)導(dǎo)，SK海力士揭示有更快資料傳輸量和更高儲存等級的第八代3D NAND Flash開發(fā)，提供1TB（128GB）容量，20Gb/mm2單位容量、16KB單頁容量、四個(gè)平面和2,400MT/s的介面。最大資料傳輸量達(dá)194MB/s，較上一代238層堆疊和164MB/
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(2023.3.20)半導(dǎo)體周要聞-莫大康

  • 半導(dǎo)體一周要聞2023.3.13-2023.3.171. 任正非：華為三年完成了13000型號器件的替代開發(fā)近日，華為公司在深圳坂田總部舉辦“難題揭榜”火花獎頒獎典禮，為在解題揭榜中做出突出貢獻(xiàn)的獲獎人員代表頒獎，華為總裁任正非發(fā)表了講話，部分參與座談的大學(xué)發(fā)布了座談紀(jì)要。任正非表示，在美國制裁華為這三年期間，華為完成 13000 + 型號器件的替代開發(fā)、4000 + 電路板的反復(fù)換板開發(fā)等，直到現(xiàn)在電路板才穩(wěn)定下來，因?yàn)橛辛藝a(chǎn)的零部件供應(yīng)。任正非表示，華為現(xiàn)在還屬于困難時(shí)期，但在前進(jìn)的道路上并沒有停步
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均價(jià)跌幅擴(kuò)大，2022年第四季NAND Flash總營收環(huán)比下跌25%

  • TrendForce集邦咨詢最新調(diào)查顯示，NAND Flash市場自2022年下半年以來面臨需求逆風(fēng)，供應(yīng)鏈積極去化庫存加以應(yīng)對，此情況導(dǎo)致第四季NAND Flash合約價(jià)格下跌20~25%，其中Enterprise SSD是下跌最劇烈的產(chǎn)品，跌幅約23~28%。在原廠積極降價(jià)求量的同時(shí)，客戶為避免零部件庫存再攀高，備貨態(tài)度消極，使得第四季NAND Flash位元出貨量環(huán)比增長僅5.3%，平均銷售單價(jià)環(huán)比減少22.8%，2022年第四季NAND Flash產(chǎn)業(yè)營收環(huán)比下跌25.0%，達(dá)
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支持下一代 SoC 和存儲器的工藝創(chuàng)新

  • 本文將解析使 3D NAND、高級 DRAM 和 5nm SoC 成為可能的架構(gòu)、工具和材料。要提高高級 SoC 和封裝（用于移動應(yīng)用程序、數(shù)據(jù)中心和人工智能）的性能，就需要對架構(gòu)、材料和核心制造流程進(jìn)行復(fù)雜且代價(jià)高昂的更改。正在考慮的選項(xiàng)包括新的計(jì)算架構(gòu)、不同的材料，包括更薄的勢壘層和熱預(yù)算更高的材料，以及更高縱橫比的蝕刻和更快的外延層生長。挑戰(zhàn)在于如何以不偏離功率、性能和面積/成本 (PPAC) 曲線太遠(yuǎn)的方式組合這些。當(dāng)今的頂級智能手機(jī)使用集成多種低功耗、高性能功能的移動 SoC 平臺，包括一個(gè)或多
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