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國(guó)產(chǎn)存儲(chǔ)芯片又取得突破，長(zhǎng)江存儲(chǔ)192層閃存送樣，預(yù)計(jì)年底量產(chǎn)

• 頭一段時(shí)間，有媒體報(bào)道稱，長(zhǎng)江存儲(chǔ)自主研發(fā)的192層3D NAND閃存已經(jīng)送樣，預(yù)計(jì)年底實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)。長(zhǎng)江存儲(chǔ)一直是我們優(yōu)秀的國(guó)產(chǎn)存儲(chǔ)芯片企業(yè)，從成立之初便保持了一個(gè)高速的發(fā)展?fàn)顟B(tài)。2016年成立，2017年便推出了32層NAND閃存。2019年，推出64層堆棧3D NAND閃存，并成功進(jìn)入了華為Mate40手機(jī)的供應(yīng)鏈。為了縮短與三星、SK海力士、鎧俠等行業(yè)大廠的差距，長(zhǎng)江存儲(chǔ)跳過(guò)了96層，直接進(jìn)行了128層3D NAND 閃存的研發(fā)，并在2020年正式宣布研發(fā)成功，它是業(yè)內(nèi)首款128層QLC規(guī)格的3D N
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美光針對(duì)數(shù)據(jù)中心推出業(yè)界首款基于 176 層 NAND 的SATA SSD

• 內(nèi)存和存儲(chǔ)解決方案領(lǐng)先供應(yīng)商 Micron Technology, Inc.（美光科技股份有限公司）近日宣布推出全球首款專為數(shù)據(jù)中心工作負(fù)載設(shè)計(jì)的基于 176 層 NAND 技術(shù)的SATA 固態(tài)硬盤(pán) (SSD)。美光 5400 SATA SSD 是目前最先進(jìn)的數(shù)據(jù)中心 SATA SSD產(chǎn)品，采用久經(jīng)考驗(yàn)的第 11 代 SATA 架構(gòu)，支持廣范的應(yīng)用場(chǎng)景，提供相比傳統(tǒng)機(jī)械硬盤(pán) (HDD) 顯著提升的性能，并延長(zhǎng)了 SATA 平臺(tái)的使用壽命。美光副總裁暨數(shù)據(jù)中心存儲(chǔ)產(chǎn)品總經(jīng)理 Alvaro Toledo 表示
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SK海力士首次公開(kāi)與Solidigm的“合作產(chǎn)品”

• “獨(dú)立子公司成立僅三個(gè)月，兩家公司在事業(yè)上的合作全面開(kāi)始”SK海力士和Solidigm首次公開(kāi)了結(jié)合SK海力士128層NAND閃存與Solidigm的SSD控制器和固件的合作產(chǎn)品。SK海力士和Solidigm將繼續(xù)優(yōu)化兩家公司的運(yùn)營(yíng)，以創(chuàng)造協(xié)同效應(yīng)和合作伙伴關(guān)系。加州圣何塞和南韓首爾2022年4月5日 /美通社/ -- SK海力士和Solidigm（或“公司”， www.skhynix.com）今日首次公開(kāi)了兩家公司共同開(kāi)發(fā)的新企業(yè)級(jí)SSD（eSSD）產(chǎn)品-P5530。Solidigm是SK海力士在去年年
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針對(duì)勒索軟件與網(wǎng)絡(luò)攻擊 IBM打造新一代儲(chǔ)存產(chǎn)品

• IBM發(fā)布下一代閃存產(chǎn)品，瞄準(zhǔn)日益嚴(yán)峻的勒索軟件和其他網(wǎng)絡(luò)攻擊。 IBM FlashSystem Cyber Vault旨在幫助企業(yè)更快速地檢測(cè)勒索軟件和其他網(wǎng)絡(luò)攻擊并從中恢復(fù)；而建基于 IBM Spectrum Virtualize 的全新 FlashSystem 存儲(chǔ)模型能夠提供單一且一致的操作環(huán)境，旨在提高混合云環(huán)境下的網(wǎng)絡(luò)復(fù)原力和應(yīng)用程序性能。 IBM 推出下一代儲(chǔ)存產(chǎn)品，瞄準(zhǔn)勒索軟件及其他網(wǎng)絡(luò)攻擊根據(jù)IBM網(wǎng)絡(luò)彈性機(jī)構(gòu)的研究，46%的受訪者表示在過(guò)去兩年中經(jīng)歷了勒索軟件攻擊。隨著網(wǎng)絡(luò)攻
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SK海力士與英特爾已完成收購(gòu)交易的第一階段：NAND閃存市場(chǎng)會(huì)有什么變化？

• 據(jù)韓國(guó)媒體消息，中國(guó)監(jiān)管機(jī)構(gòu)審查了SK海力士壟斷的可能，并就該家韓國(guó)芯片制造商從英特爾手中收購(gòu)NAND閃存業(yè)務(wù)進(jìn)行評(píng)估，并決定批準(zhǔn)該收購(gòu)，這為SK海力士掃清了最后一個(gè)障礙。
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TrendForce：三星NAND Flash生產(chǎn)不受西安封城影響

• 中國(guó)西安正受疫情影響而封城，目前尚無(wú)法預(yù)期解封時(shí)間，根據(jù)TrendForce調(diào)查，由于三星（Samsung）在當(dāng)?shù)卦O(shè)有兩座大型工廠，均用以制造3D NAND高層數(shù)產(chǎn)品，投片量占該公司NAND Flash產(chǎn)能達(dá)42.3%，占全球亦達(dá)15.3%，現(xiàn)下封城措施并未影響該工廠的正常營(yíng)運(yùn)。然而，當(dāng)?shù)胤獬谴胧﹪?yán)格管控人流及物流，盡管2021年底至2022年一月中以前的出貨多已經(jīng)安排妥適，但無(wú)法排除接下來(lái)因物流延遲出貨的可能，這將可能對(duì)采購(gòu)端的物料安排造成影響。此外，該公司的原物料進(jìn)貨也有可能受到物流受阻而延遲，但三星
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筆記本電腦與手機(jī)火熱 2021年第一季NAND Flash總營(yíng)收季增5.1%

• 根據(jù)TrendForce表示，2021年第一季NAND Flash產(chǎn)業(yè)總營(yíng)收達(dá)148.2億美元，季增5.1%，其中位出貨量成長(zhǎng)11%，大致抵消平均銷售單價(jià)下跌5%帶來(lái)的影響。在議價(jià)時(shí)，需求端雖受惠于筆電、智能型手機(jī)需求強(qiáng)勁，但數(shù)據(jù)中心市場(chǎng)需求仍屬疲弱，市場(chǎng)尚未脫離供過(guò)于求的狀態(tài)，各類產(chǎn)品合約價(jià)仍呈現(xiàn)明顯下跌。然而，OEM/ODM采購(gòu)開(kāi)始留意到NAND Flash控制器缺貨沖擊中低容量產(chǎn)品供給，自今年一月下旬便開(kāi)始增加訂單，一方面避免陷入缺貨風(fēng)險(xiǎn)，也希望在料況無(wú)虞的情況下，策略性擴(kuò)大市占，使得第一季NAND
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美光專家對(duì)176層NAND的解答

• 2020 年11 月，美光科技宣布出貨全球首款176 層NAND，實(shí)現(xiàn)閃存性能和密度的重大突破（如圖1）。為此，《電子產(chǎn)品世界》采訪了該公司工藝集成技術(shù)開(kāi)發(fā)高級(jí)總監(jiān)Kunal Parekh 和NAND 組件產(chǎn)品線高級(jí)經(jīng)理KevinKilbuck。問(wèn)：176 層產(chǎn)品目前用于哪些應(yīng)用？Kevin Kilbuck：我們Crucial英睿達(dá)品牌的某些消費(fèi)類固態(tài)硬盤(pán)采用了176 層NAND，已經(jīng)開(kāi)始出貨。問(wèn)： 新的176 層NAND 如何解決產(chǎn)量挑戰(zhàn)？如何解決層間干擾？Kunal Parekh： 通過(guò)嚴(yán)格的試驗(yàn)和測(cè)
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2021年DRAM與NAND增長(zhǎng)快，美光領(lǐng)跑研發(fā)與新技術(shù)

• 近日，美光在業(yè)界率先推出 1α DRAM 制程技術(shù)。值此機(jī)會(huì)，該公司舉辦了線上媒體溝通會(huì)，執(zhí)行副總裁兼首席商務(wù)官Sumit Sadana 先生介紹了對(duì)DRAM、NAND的市場(chǎng)預(yù)測(cè)，以及美光的研發(fā)、資本支出、產(chǎn)品布局等。執(zhí)行副總裁兼首席商務(wù)官Sumit Sadana1? ?2021年DRAM和NAND將增長(zhǎng)19%展望2021年，全球GDP增長(zhǎng)約5%。而根據(jù)不同分析師的預(yù)測(cè)，半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)預(yù)計(jì)增長(zhǎng)可達(dá)12%，整個(gè)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的產(chǎn)值將達(dá)5020億美元。其中，內(nèi)存與存儲(chǔ)預(yù)計(jì)增長(zhǎng)可達(dá)19%，增度遠(yuǎn)超整
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美光科技：DRAM芯片供應(yīng)緊張將持續(xù)數(shù)年，NAND產(chǎn)能今年保持穩(wěn)定

• 存儲(chǔ)芯片大廠美光（Micron）執(zhí)行副總裁兼事業(yè)長(zhǎng)Sumit Sadana近日接受采訪表示，2020年汽車電子和智能型手機(jī)需求因新冠肺炎疫情而衰退，今年顯現(xiàn)明顯復(fù)蘇，并帶動(dòng)存儲(chǔ)器需求增長(zhǎng)。目前主要有兩種存儲(chǔ)器產(chǎn)品，一種是DRAM（動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器），用于緩存，另一種是NAND Flash（閃存），用于數(shù)據(jù)的存儲(chǔ)。在DRAM領(lǐng)域，韓國(guó)三星、海力士、美國(guó)美光三家企業(yè)把控了全球主要市場(chǎng)份額。NAND Flash市場(chǎng)則由三星、凱俠、西部數(shù)據(jù)、美光和NAND Flash瓜分。Sumit Sadana稱，預(yù)期今
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TDK推出使用3D NAND閃存的高可靠性SSD

•  ·    SSD使用了支持串行ATA的TDK自有控制器 GBDriver GS2·    配置了3D NAND（TLC或pSLC）閃存·    新一代產(chǎn)品包括5個(gè)系列共計(jì)6個(gè)尺寸TDK株式會(huì)社（TSE:6762）將于2020年12月推出新一代閃存產(chǎn)品，該產(chǎn)品擁有5個(gè)系列，并針對(duì)工業(yè)、醫(yī)療、智能電網(wǎng)、交通和安全等應(yīng)用進(jìn)行了優(yōu)化。5個(gè)系列全部采用了支持串行ATA的TDK自有NAND閃存控制IC“GBDrive
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美光推出 176 層 3D NAND

IT之家了解到，美光表示其 176 層 3D NAND 已開(kāi)始批量生產(chǎn)，并已在某些英睿達(dá)的消費(fèi)級(jí) SSD 產(chǎn)品中出貨。

• 11 月 10 日消息 全球頂級(jí)半導(dǎo)體峰會(huì)之一的 Flash Memory 峰會(huì)將于 2020 年 11 月 10 日在美國(guó)加州圣克拉拉會(huì)議中心舉行。而在 11 月 9 日晚，美光宣告了自己最新的第五代 3D NAND 閃存技術(shù)，該技術(shù)具有 176 層存儲(chǔ)單元堆疊。新的 176 層閃存是美光與英特爾分手以來(lái)所研發(fā)的第二代產(chǎn)品，上一代 3D NAND 則是 128 層設(shè)計(jì)，算是美光的過(guò)渡節(jié)點(diǎn)。而目前在三星的存儲(chǔ)技術(shù)大幅度領(lǐng)先之下，美光 128 層 3D NAND 并沒(méi)有特
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SK海力士90億美元接盤(pán)英特爾NAND業(yè)務(wù)，存儲(chǔ)芯片格局或生變

• 半導(dǎo)體并購(gòu)再起。2020年以來(lái)，半導(dǎo)體的重磅收購(gòu)不斷。英偉達(dá)擬收購(gòu)ARM，AMD洽談收購(gòu)賽靈思，半導(dǎo)體領(lǐng)域接連出現(xiàn)重大變數(shù)，金額屢創(chuàng)新高。今天新的主角又登場(chǎng)了 —— SK海力士與英特爾。SK海力士于20日發(fā)布公示官宣將以90億美元收購(gòu)英特爾NAND閃存業(yè)務(wù)。本次收購(gòu)范圍包括英特爾的固態(tài)硬盤(pán) (SSD) 業(yè)務(wù)、NAND閃存和晶元業(yè)務(wù)，以及位于大連專門(mén)制造3D NAND Flash的Fab68廠房。不過(guò)，英特爾將保留傲騰 (Optane) 的存儲(chǔ)業(yè)務(wù)。這是韓國(guó)公司有史以來(lái)最大規(guī)模的海外收購(gòu)交易，超過(guò)三星在20
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研究機(jī)構(gòu)預(yù)計(jì)全球NAND閃存銷售額今年增至560億美元 同比大增27%

• 據(jù)國(guó)外媒體報(bào)道，研究機(jī)構(gòu)預(yù)計(jì)，銷售額在去年大幅下滑的NAND閃存，在今年將大幅增長(zhǎng)，同比增長(zhǎng)率將達(dá)到27.2%，銷售額將達(dá)到560.07億美元。從研究機(jī)構(gòu)的預(yù)計(jì)來(lái)看，在集成電路的33個(gè)產(chǎn)品類別中，NAND閃存今年銷售額的同比增長(zhǎng)率，將是最高的，是增長(zhǎng)最明顯的一類。就預(yù)期的銷售金額而言，NAND閃存依舊會(huì)是集成電路中的第二大細(xì)分市場(chǎng)，僅次于DRAM，后者的銷售額預(yù)計(jì)為645.55億美元，較NAND閃存高85.48億美元。在研究機(jī)構(gòu)的預(yù)計(jì)中，在全球集成電路市場(chǎng)，NAND閃存今年的銷售額將占到15.2%，僅次于
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KLA推出全新突破性的電子束缺陷檢測(cè)系統(tǒng)

• 近日?KLA公司?宣布推出革命性的eSL10?電子束圖案化晶圓缺陷檢查系統(tǒng)。該系統(tǒng)具有獨(dú)特的檢測(cè)能力，能夠檢測(cè)出常規(guī)光學(xué)或其他電子束檢測(cè)平臺(tái)無(wú)法捕獲的缺陷，從而加速了高性能邏輯和存儲(chǔ)芯片的上市時(shí)間（包括那些依賴于極端紫外線（EUV）光刻技術(shù)的芯片）。eSL10的研發(fā)是始于最基本的構(gòu)架，針對(duì)研發(fā)生產(chǎn)存在多年的問(wèn)題而開(kāi)發(fā)出了多項(xiàng)突破性技術(shù)，可提供高分辨率，高速檢測(cè)功能，這是市場(chǎng)上任何其他電子束系統(tǒng)都難以比擬的。KLA電子束部門(mén)總經(jīng)理Amir Azordegan 表示：“利用單一的高能量電子
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