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商刊：三星看中了SanDisk的什么價值

　　北京時間9月8日《商業(yè)周刊》文章指出，領(lǐng)先的閃存卡廠商SanDisk的業(yè)績一直沒什么起色，但是它有很多對三星有用的東西，比如專利權(quán)、鑰匙鏈驅(qū)動和MP3播放器等。　　在過去的一年時間里，閃存芯片價格一直在下跌，加上其數(shù)字媒體設(shè)備的銷售狀況也沒有任何起色，SanDisk也許很快就會被三星集團收購。　　三星公開表示它正在考慮是否收購SanDisk之后，SanDisk股票在9月5日暴漲了31％。 SanDisk發(fā)布了一項聲明，但是沒有證實或否認三星是否提出了收購要約。　　在股價暴漲之前，SanDi
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全球半導體廠商逆勢擴張市場競爭白熱化

　世界經(jīng)濟蕭條和半導體價格下跌讓全球半導體市場陰云密布。世界半導體企業(yè)自去年起在虧損狀態(tài)下進行了一輪意在“置對手于死地”的攻擊性投資。有分析認為，世界排名第5的德國DRAM廠商奇夢達等部分企業(yè)最近面臨嚴重危機，隨著產(chǎn)業(yè)結(jié)構(gòu)進入重新洗牌階段，半導體價格已跌至谷底。　半導體產(chǎn)業(yè)的危機已達到頂點　最近，半導體行業(yè)面臨著前所未有的危機。尤其
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12寸晶圓首超8寸晶圓主導全球半導體產(chǎn)能

　　根據(jù)美國半導體產(chǎn)業(yè)協(xié)會（SemiconductorIndustryAssociation，SIA）的最新統(tǒng)計數(shù)據(jù)，12寸晶圓首度超越8寸晶圓，在全球晶圓制造產(chǎn)能（wafermanufacturingcapacity）以及實際加工晶圓（actualwafersprocessed）中占有最高的比例，分別占總產(chǎn)能的44%以及總加工硅晶圓的47%. 　　此外SIA并指出，整體晶圓產(chǎn)能利用率仍在89%的高水平，其中先進制程的利用率甚至超過95%.SIA總裁GeorgeScalise表示，由于占芯片需求約八成的
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英特爾發(fā)布高性能SATA固態(tài)驅(qū)動器產(chǎn)品規(guī)劃

　　英特爾NAND產(chǎn)品事業(yè)部日前發(fā)布了高性能固態(tài)驅(qū)動器（SSD）的產(chǎn)品線規(guī)劃和發(fā)布時間表。固態(tài)驅(qū)動器適用于移動與臺式機客戶端、企業(yè)級服務(wù)器、存儲設(shè)備和工作站。這一系列產(chǎn)品稱作英特爾高性能SATA固態(tài)驅(qū)動器產(chǎn)品線，是基于固態(tài)閃存的數(shù)據(jù)存儲設(shè)備，用于存儲計算機中的數(shù)據(jù)，可模擬并替代某些計算機中的硬盤驅(qū)動器。　　與傳統(tǒng)的硬盤驅(qū)動器（HDD）和目前市場上的固態(tài)驅(qū)動器相比，英特爾的全新固態(tài)驅(qū)動器具有更重要的優(yōu)勢，包括更快速的整體系統(tǒng)響應(yīng)能力和計算機開/關(guān)啟動時間，卓越的耐用性和可靠性，更長的電池壽命和更低的企業(yè)
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Hynix新NAND快閃記憶體制造廠在清州投產(chǎn)

　　據(jù)國外媒體報道，全球第二大電腦記憶體晶片制造商Hynix周四表示，其在韓國建成的新NAND快閃記憶體制造工廠正式投產(chǎn)。　　據(jù)國外媒體報道，Hynix表示，該新廠位于清州，月產(chǎn)量可達到30萬件，并有望于在數(shù)月后提高到50萬件。　　Hynix在清州還建有另外兩個芯片制造廠，目前正在運作當中。　　Hynix的首席執(zhí)行官Kim Jong-gap表示，公司計劃加強產(chǎn)品在價格方面的競爭力，并在接下來的研發(fā)道路中保持高水準的投資。
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臺灣工研院建固態(tài)硬盤認證平臺

　　固態(tài)硬盤(SSD)借低價電腦熱潮迅速興起，英特爾、三星等國際大廠結(jié)合NAND閃存芯片制造和技術(shù)優(yōu)勢走在前列，臺系陣營為了急起直追，由當?shù)毓I(yè)情報機構(gòu)工研院、測試廠百佳泰和臺廠合力發(fā)起的“SSD聯(lián)盟”(SSD Alliance)合作建立了一套測試認證平臺，希望藉此機會把SSD硬件測試平臺建立起來，為臺灣廠商臺廠搶占固態(tài)硬盤市場先機。　　工研院電光所詹益仁表示，英特爾將推出容量高達80GB的SSD產(chǎn)品，2009年還將推出100GB產(chǎn)品，其他包括三星電子、東芝等廠商也都在積極介入
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英特爾筆記本專用SSD硬盤30天內(nèi)上市

　　英特爾NAND產(chǎn)品事業(yè)部今天發(fā)布了高性能固態(tài)驅(qū)動器(SSD)的產(chǎn)品線規(guī)劃和發(fā)布時間表。固態(tài)驅(qū)動器適用于移動與臺式機客戶端、企業(yè)級服務(wù)器、存儲設(shè)備和工作站。這一系列產(chǎn)品稱作英特爾高性能SATA固態(tài)驅(qū)動器產(chǎn)品線，是基于固態(tài)閃存的數(shù)據(jù)存儲設(shè)備，用于存儲計算機中的數(shù)據(jù)，可模擬并替代某些計算機中的硬盤驅(qū)動器。　　與傳統(tǒng)的硬盤驅(qū)動器(HDD)和目前市場上的固態(tài)驅(qū)動器相比，英特爾的全新固態(tài)驅(qū)動器具有更重要的優(yōu)勢，包括更快速的整體系統(tǒng)響應(yīng)能力和計算機開/關(guān)啟動時間，卓越的耐用性和可靠性，更長的電池壽命和更低的企業(yè)
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NAND閃存市場價格一路下滑降幅超10%

　　來自閃存制造業(yè)界的消息稱，預計在八月份晚期，當前閃存芯片市場上的主流產(chǎn)品——8GB和16GB NAND閃存芯片的合同價格將雙雙下滑10%. 　　NAND閃存芯片多用于當前的消費類產(chǎn)品上，包括蘋果的iPhone手機、iPod音樂播放器以及數(shù)碼相機等產(chǎn)品上。盡管每年第三季度為消費類產(chǎn)品的傳統(tǒng)銷售旺季，但今年卻無法止住NAND閃存芯片價格下滑步伐。　　三星電子以及SanDisk都對未來的NAND閃存市場持悲觀態(tài)度，由于NAND閃存價格一路下滑，從而引發(fā)他們失去對該市場信心。與此
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NAND閃存的下一個熱點：性能

　　利用50-40nm的工藝制程節(jié)點，NAND閃存密度已達到16 GB/D及超過2B/C多級單元（MLC）技術(shù)。盡管位元密度強勁增長，但是NAND閃存的編譯能力一直停留在10MB/S范圍內(nèi)。由于數(shù)字內(nèi)容需要的增長，公司更加重視改進NAND閃存裝置的編譯和讀取性能，使其比特更高和性能更快，以滿足消費者的需要。再加上存儲產(chǎn)品價格急劇下降，高比特高性能已成為各個公司努力追求的方向。 2008年國際固態(tài)電路會議的論文和2007
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三星上半年閃存產(chǎn)品銷量居全球第一

　　新華網(wǎng)首爾8月20日電韓國三星電子公司19日宣布，公司上半年閃存產(chǎn)品銷量位列全球第一。　　三星公司援引市場研究公司iSuppli日前發(fā)表的一份報告稱，今年1至6月份，三星閃存產(chǎn)品銷售額達75.1億美元，占全球閃存市場的30%。　　韓國海力士半導體公司位列第二，全球市場份額為13%，美國米克倫技術(shù)公司和日本的爾必達內(nèi)存公司分列第三、第四位，市場份額分別為8%和7%。　　三星的成功主要源自NAND閃存產(chǎn)品的暢銷，第二季度該類產(chǎn)品銷售額達14.2億美元，占當季全球NAND閃存銷售的42.3%，
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三星上半年閃存產(chǎn)品銷量居全球第一

　　新華網(wǎng)首爾8月20日電韓國三星電子公司19日宣布，公司上半年閃存產(chǎn)品銷量位列全球第一。　　三星公司援引市場研究公司iSuppli日前發(fā)表的一份報告稱，今年1至6月份，三星閃存產(chǎn)品銷售額達75.1億美元，占全球閃存市場的30%。　　韓國海力士半導體公司位列第二，全球市場份額為13%，美國米克倫技術(shù)公司和日本的爾必達內(nèi)存公司分列第三、第四位，市場份額分別為8%和7%。　　三星的成功主要源自NAND閃存產(chǎn)品的暢銷，第二季度該類產(chǎn)品銷售額達14.2億美元，占當季全球NAND閃存銷售的42.3%，
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東芝發(fā)布最大容量嵌入式NAND閃存

　　東芝近日宣布推出多款最大容量為 32GB的嵌入式NAND閃存模塊，這些嵌入式產(chǎn)品應(yīng)用于移動數(shù)碼消費產(chǎn)品，包括手機和數(shù)碼相機，樣品將于2008年9月出廠，從第四季度開始量產(chǎn)。隨著帶有控制器功能的存儲器需求不斷擴大，東芝已經(jīng)采取行動使其在這個不斷擴大的市場上占領(lǐng)領(lǐng)先地位，東芝還加入更大容量的模塊以鞏固公司的地位。
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TDK推出兼容U.DMA6的GBDriver RA8系列NAND閃存控制器LSI　

　　TDK 公司日前宣布開發(fā)出GBDriver RA8系列NAND閃存控制器LSI，該產(chǎn)品計劃于九月份開始銷售。　　GBDriver RA8系列是用于U.DMA6的高速NAND控制器IC，與2K字節(jié)/頁和4K字節(jié)/頁的NAND閃存兼容。該控制器支持單級單元（SLC）和多級單元（MLC） NAND 閃存，實現(xiàn)了從128M字節(jié)到1 G字節(jié)（SLC）和256M字節(jié)到32G字節(jié)（MLC）的高速閃存存儲容量，因而該控制器適用的應(yīng)用領(lǐng)域非常廣泛。此外，該控制器具有128 針TQPF 封裝方式和121 針VF
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Hynix與Numonyx簽5年協(xié)議共同開發(fā)NAND技術(shù)

　　據(jù)國外媒體報道，近日，全球第二大電腦記憶體晶片制造商Hynix表示，已與意法半導體(STMicroelectronics NV)和英特爾的合資公司Numonyx BV簽署了一項為期五年的協(xié)議，拓展其在快速增長的NAND閃存領(lǐng)域的共同開發(fā)項目。　　據(jù)國外媒體報道，根據(jù)協(xié)議內(nèi)容，兩家公司將合作擴大NAND產(chǎn)品線，推出新產(chǎn)品和實現(xiàn)技術(shù)創(chuàng)新，從而應(yīng)對未來五年NAND技術(shù)所面臨的挑戰(zhàn)。　　根據(jù)協(xié)議內(nèi)容，Hynix和Numonyx將共同開發(fā)技術(shù)項目，聯(lián)合提供領(lǐng)先的NAND存儲技術(shù)和產(chǎn)品，并進行資源整合以促
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恒憶與海力士擴大合作共同推廣創(chuàng)新的NAND閃存技術(shù)與產(chǎn)品

　　恒憶（Numonyx）今天宣布與海力士半導體公司達成為期五年的協(xié)議，在飛速增長的NAND閃存領(lǐng)域擴展聯(lián)合開發(fā)計劃。針對NAND技術(shù)在未來五年面臨的挑戰(zhàn)，兩家公司將擴大NAND產(chǎn)品線并共同研發(fā)未來產(chǎn)品，進行技術(shù)創(chuàng)新。　　根據(jù)新協(xié)議，恒憶和海力士將擴大聯(lián)合開發(fā)的范圍，共同提供領(lǐng)先的NAND存儲器技術(shù)和產(chǎn)品，并且整合資源以加快未來NAND技術(shù)及解決方案的開發(fā)。在應(yīng)用于手機多芯片封裝的移動DRAM領(lǐng)域，雙方也將進行合作。　　恒憶總裁兼首席執(zhí)行官Brian Harrison表示："未來五年，在
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