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內(nèi)存行業(yè)或已觸底 現(xiàn)貨漲價但復(fù)蘇道路漫長

  •   《華爾街日報》撰文稱,從上周末三星和海力士發(fā)布的財報可以看出,內(nèi)存芯片行業(yè)似乎已經(jīng)觸底,這對整個半導(dǎo)體行業(yè)來說是一個積極的信號。   雖然內(nèi)存芯片行業(yè)收入只占全球半導(dǎo)體行業(yè)2600億美元總收入的14%,但作為使用廣泛的芯片,其地位類似芯片行業(yè)中的日用商品,很難與其他芯片部門區(qū)分開來,因此是芯片行業(yè)整體表現(xiàn)的主要指標。內(nèi)存行業(yè)下滑開始于2007年初,隨后芯片行業(yè)在2008年就開始了全面衰退。   上周五,兩家全球最大的內(nèi)存芯片商三星電子和海力士都在發(fā)布第一季度報告時稱,與芯片有關(guān)的虧損低于上年同期。
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iSuppli:存儲芯片市場恢復(fù)盈利還為時過早

  •   在面臨破產(chǎn)威脅之際,許多內(nèi)存供應(yīng)商為了維護自己的形象,紛紛強調(diào)潛在的市場復(fù)蘇,試圖向外界描繪出一幅比較樂觀的圖景。但是,雖然預(yù)計總體內(nèi)存芯片價格將在2009年剩余時間內(nèi)趨于穩(wěn)定,但iSuppli公司認為,這些廠商不會在近期真正恢復(fù)需求與獲利能力。 繼   在面臨破產(chǎn)威脅之際,許多內(nèi)存供應(yīng)商為了維護自己的形象,紛紛強調(diào)潛在的市場復(fù)蘇,試圖向外界描繪出一幅比較樂觀的圖景。但是,雖然預(yù)計總體內(nèi)存芯片價格將在2009年剩余時間內(nèi)趨于穩(wěn)定,但iSuppli公司認為,這些廠商不會在近期真正恢復(fù)需求與獲利能力。
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TDK推出兼容串行ATA II的GBDriver RS2系列NAND閃存控制器

  •   TDK公司日前宣布開發(fā)出兼容串行ATA (SATA) II的NAND閃存控制器芯片GBDriver RS2 系列,并計劃于五月份開始銷售。   TDK新型GBDriver RS2是一款高速SATA控制器芯片,支持有效速率達95MB/S的高速訪問。該產(chǎn)品支持2KB/頁和4KB/頁結(jié)構(gòu)的SLC(單層單元)內(nèi)存以及MLC(多層單元)NAND閃存,可用于制造容量為128MB至64GB的高速SATA存儲。因而,GBDriver RS2可廣泛用于各種應(yīng)用領(lǐng)域,從SATADOM1及其他的嵌入式存儲器,到視聽設(shè)
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內(nèi)存晴雨表:聲稱內(nèi)存市場復(fù)蘇的報告過于夸張

  •   在面臨破產(chǎn)威脅之際,許多內(nèi)存供應(yīng)商為了維護自己的形象,紛紛強調(diào)潛在的市場復(fù)蘇,試圖向外界描繪出一幅比較樂觀的圖景。但是,雖然預(yù)計總體內(nèi)存芯片價格將在2009年剩余時間內(nèi)趨于穩(wěn)定,但iSuppli公司認為,這些廠商不會在近期真正恢復(fù)需求與獲利能力。   繼第一季度全球DRAM與NAND閃存營業(yè)收入比去年第四季度下降14.3%之后,這些產(chǎn)品市場將在今年剩余時間內(nèi)增長。第二季度DRAM與NAND閃存營業(yè)收入合計將增長3.6%,第三和第四季度分別增長21.9%和17.5%。   圖4所示為iSuppli公
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集邦:海力士大幅減產(chǎn)NAND 將由第三位滑落至第五位

  •   針對NAND閃存產(chǎn)業(yè),研究機構(gòu)集邦科技最新研究報告指出,三星可望穩(wěn)居今年全球市占率龍頭寶座,而海力士則因大幅減產(chǎn),市場占有率恐將下滑剩下10%,落居第5名。   集邦科技根據(jù)各NAND Flash供貨商目前的制程技術(shù)、產(chǎn)能、營運狀況分析指出,三星因擁有較大產(chǎn)能,同時制程持續(xù)轉(zhuǎn)往42納米及3x納米,預(yù)期今年市占率 40%以上居冠,日本東芝與美商SanDisk聯(lián)盟的產(chǎn)能利用率略降,但制程技術(shù)也將轉(zhuǎn)往 43納米及32納米,預(yù)期東芝今年的市場占有率約在30%以上居次。   集邦科技表示,市場占有率第三和第
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三星和海力士獲得蘋果7000萬NAND大單

  •   4月15日消息 據(jù)韓國媒體報道 蘋果最近向韓國三星電子與海力士兩家公司下單,要求供應(yīng)7000萬顆NAND型閃存芯片,用于生產(chǎn)iPhone和iPod。此次訂單較去年大漲了八成,引發(fā)蘋果可能推出新一代iPhone的聯(lián)想   韓國時報指出,有可靠的消息來源透露“三星電子被要求供應(yīng)5000萬顆8Gb的NAND型閃存芯片給蘋果,而海力士也將供應(yīng)2000萬顆。”   部分分析師認為,蘋果這次大規(guī)模訂單,將刺激韓國芯片廠商業(yè)績,同時,也有助于全球芯片產(chǎn)業(yè)早日復(fù)蘇。   分析師還指出,N
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三維NAND內(nèi)存技術(shù)將讓固態(tài)存儲看到希望

  •   IBM的技術(shù)專家Geoff Burr曾說過,如果數(shù)據(jù)中心的占地空間象足球場那么大,而且還要配備自己的發(fā)電廠的話,那將是每一位首席信息官最害怕的噩夢。然而,如果首席信息官們現(xiàn)在不定好計劃將他們的數(shù)據(jù)中心遷移到固態(tài)技術(shù)平臺的話,那么10年以后他們就會陷入那樣的噩夢之中。   這并非危言聳聽,過去的解決方案現(xiàn)在已經(jīng)顯露出存儲性能和容量不足的現(xiàn)象,這就是最好的證明。以前,如果需要更多的性能或容量,企業(yè)只需在數(shù)據(jù)中心添加更多的傳統(tǒng)硬盤就可以了,而且那樣做也很方便。現(xiàn)在,Geoff Burr在2008年發(fā)表的一
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FSI國際宣布將ViPR?全濕法去除技術(shù)擴展到NAND存儲器制造

  •   美國明尼阿波利斯(2009年3月24日)——全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體制造晶圓加工、清洗和表面處理設(shè)備供應(yīng)商FSI國際有限公司(納斯達克:FSII)今日宣布:一家主要的存儲器制造商將FSI 帶有獨特ViPR?全濕法無灰化清洗技術(shù)的ZETA?清洗系統(tǒng)擴展到NAND閃存生產(chǎn)中。許多器件制造商對采用FSI的ZETA ViPR技術(shù)在自對準多晶硅化物形成過程所帶來的益處非常了解。該IC制造商就這一機臺在先進的NAND制造中可免除灰化引發(fā)損害的全濕法光刻膠去除能力進行了評估??蛻?/li>
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FSI國際宣布將ViPR全濕法去除技術(shù)擴展到NAND存儲器制造

  •   全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體制造晶圓加工、清洗和表面處理設(shè)備供應(yīng)商FSI國際有限公司(納斯達克:FSII)日前宣布:一家主要的存儲器制造商將FSI 帶有獨特ViPR全濕法無灰化清洗技術(shù)的ZETA清洗系統(tǒng)擴展到NAND閃存生產(chǎn)中。許多器件制造商對采用FSI的ZETA ViPR技術(shù)在自對準多晶硅化物形成過程所帶來的益處非常了解。該IC制造商就這一機臺在先進的NAND制造中可免除灰化引發(fā)損害的全濕法光刻膠去除能力進行了評估??蛻魧χ圃爝^程中無灰化光刻膠剝離法、實現(xiàn)用一步工藝替代灰化-清洗兩步工藝的機臺能力給予肯定。除了
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業(yè)界稱Windows 7將推動NAND閃存芯片需求

  • 3月21日消息,內(nèi)存廠商預(yù)計Windows 7的將推動NAND閃存芯片的需求,因為這種新的操作系統(tǒng)為利用固態(tài)硬盤進行了優(yōu)化。在當(dāng)前的市場不確定的情況下,優(yōu)化固態(tài)硬盤以便適應(yīng)Windows 7已經(jīng)成為固態(tài)硬盤廠商和筆記本電腦廠商的重點。
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NAND多空未明 市場仍在觀望

  •         集邦科技(DRAMeXchange)表示,2月下旬NAND Flash(閃存)合約價格呈現(xiàn)上揚,現(xiàn)貨價格方面卻已經(jīng)開始下跌;然而,目前現(xiàn)貨市場仍處于多空未明狀態(tài),觀望氣氛濃厚,買家不敢貿(mào)然搶進。         集邦表示,2月下旬主流MLC NAND Flash合約均價約上漲8%到36%,SLC合約價則維持平盤,價格上漲的主要原因是今年首季國際大
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三星NAND產(chǎn)業(yè)市場占有率40%

  •    市調(diào)機構(gòu)DRAMeXchange指出,2008年NAND Flash品牌廠商公布去年第四季暨全年營收排名出爐,SAMSUNG以46億1千4百萬美元,市占率為40.4%,蟬聯(lián)第一寶座 觀察2007年與2008年NAND Flash品牌市場變化,2007年品牌廠商全年營收約為133億6千8百萬美元,2008年則為114億1千8百萬美元,年營收下跌14.6%,2008年平均銷售價格較2007年下跌63%。   Toshiba以全年營收為32億5百萬美元,市占率28.1%排名居次,比2007年的
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解密16G MLC NAND閃存表象下的技術(shù)細節(jié)

受益東芝海力士減產(chǎn) NAND閃存價格回穩(wěn)

  •   12月25日消息,據(jù)臺灣媒體報道,NAND Flash12月下旬合約價出爐,終止先前下跌趨勢,至少都以平盤以上開出,主流規(guī)格晶片漲幅更在16%以上,隨價格回穩(wěn)走揚,將有助創(chuàng)見、威剛、群聯(lián)等模組業(yè)者降低庫存跌價損失壓力。   業(yè)者指出,這次NAND Flash價格止跌回穩(wěn),主要是反應(yīng)日本東芝與韓國海力士減產(chǎn)效益,隨晶片廠對力保價格不跌有了堅定共識,也意味NAND Flash回穩(wěn)態(tài)勢已逐步確立。   根據(jù)集邦科技昨日最新報價,NAND Flash12月下旬合約價都以平盤以上開出,其中以16Gb主流規(guī)格
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東芝削減NAND閃存芯片30%產(chǎn)量

  •   東芝宣布,削減30%的閃存芯片產(chǎn)量,以應(yīng)對需求降低,庫存增加的考驗。   東芝還說,位于日本四日市的四家工廠本月將停工17天,以降低內(nèi)存卡與MP3播放器的產(chǎn)量。   東芝在一份聲明中說:“全球經(jīng)濟不景氣以及消費低迷正在對半導(dǎo)體需求產(chǎn)生嚴重沖擊。尤其是NAND閃存芯片,由于使用這種芯片的MP3播放器供應(yīng)過剩,其需求大幅下降。東芝慎重考慮了這種情形,決   定降低四日市工廠的產(chǎn)量。”   東芝在四日市有兩家300毫米晶圓工廠以及兩家200毫米晶圓工廠。300毫米晶圓廠將停工
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