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MP3、手機、DSC成NAND Flash應(yīng)用金三角

  • 　　NAND型快閃存儲器(Flash)終端需求快速擴散，從過去由數(shù)碼相機(DSC)獨霸應(yīng)用端型態(tài)，近期已轉(zhuǎn)變成MP3播放器、手機、DSC金三角撐起一片天局面，3者合計占NAND Flash應(yīng)用達80%，隨身碟應(yīng)用則緊追在后；值得注意的是，自2007年第3季起，由于插卡式手機快速普及，使得手機占NAND Flash應(yīng)用比重已正式超過MP3播放器。 　　目前NAND Flash應(yīng)用主要包括DSC、MP3播放器、手機、隨身碟和其它應(yīng)用，其中，DSC、MP3播放器、手機等3項領(lǐng)域共占
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NAND Flash下半年將出現(xiàn)供不應(yīng)求現(xiàn)象

  •  　　根據(jù)內(nèi)存市場研究公司集邦科技(DRAMeXchang)所發(fā)表的最新報告，七月上旬NAND Flash合約價出爐；SLC市場供給吃緊、合約價大漲，平均漲幅約15%~30%。而根據(jù)集邦的研究數(shù)據(jù)來觀察，整體NAND Flash需求將在本季超過供給，下半年NAND Flash產(chǎn)出將供不應(yīng)求。  　　在MLC部分，集邦表示，因供貨商持續(xù)將產(chǎn)能轉(zhuǎn)往8Gb以上的產(chǎn)品，另外加上iPhone題材所帶來的預(yù)期心理，4Gb產(chǎn)出日益降低而大漲30%，高容量MLC也順勢漲了
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Nand Flash合約價大漲 模塊廠樂透

  • 集邦科技最新報告指出，伴隨需求持穩(wěn)放大，加上DRAM、FLASH產(chǎn)能供給調(diào)整趨于平衡，NAND FLASH浮現(xiàn)供給缺口跡象，七月上旬NANDFLASH合約報價，SLC大漲15％至30％之多％。集邦認為，依照當前掌握數(shù)據(jù)觀察，整體NAND Flash需求將在第三季超過供給，下半年NAND Flash將供不應(yīng)求，第三季、第四季供給缺口各約0.3％、1.5％。 模塊廠勁永指出，F(xiàn)lash第二季初仍持續(xù)下跌，因上游國際大廠SLC及MLC制程轉(zhuǎn)換影響，五月份下旬價格才開始緩步
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iPhone銷售將影響NAND Flash市場供需

  • NAND flash方面，由于iPhone內(nèi)部使用的NAND flash顆粒是以三星（Samsung）的產(chǎn)品為主，所以三星的NAND flash營收也將因iPhone的熱賣而直接受益。集邦科技預(yù)估iPhone今年下半年出貨量至少約在400萬支左右，而2008年iPhone的出貨量將占全球手機市場的1%左右，到達1200萬支。倘若iPhone今年下半年4GB和8GB的出貨比重相同，則iPhone耗用NAND flash的數(shù)量為192mn (1Gb的顆粒為單位
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全球NAND Flash供貨將拉警報

  • 　　NAND型閃存(Flash)供應(yīng)端下半年恐將拉警報，造成供貨嚴重不足主因，除英特爾(Intel)為搶進50nm制程，決定既有采用78nm制程所生產(chǎn)NAND Flash將暫不供應(yīng)下游客戶端，還有三星電子(Samsung Electronics)及海力士(Hynix)亦為強化整體競爭力，被迫將產(chǎn)能加速轉(zhuǎn)進至50nm主流制程，加上為供應(yīng)蘋果(Apple)下半年龐大訂單，還必須挪出部分采70nm制程產(chǎn)能，在產(chǎn)能兩頭燒情況下，亦無力滿足下游客戶訂單需求，因此，業(yè)界紛預(yù)期2007年下半全球NA
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美光對NAND Flash發(fā)布警告

  •  　　全球NAND型閃存(Flash)大廠美光(Micron)近來針對全球NAND Flash市場未來發(fā)展發(fā)出警語表示，目前NAND Flash廠制程技術(shù)發(fā)展相當快速且先進，但微影技術(shù)無法跟上NAND Flash廠發(fā)展，尤其令人感到驚訝的是，微影設(shè)備商技術(shù)竟遠落后NAND Flash大廠數(shù)年，幾家NAND Flash廠商為于未來順利發(fā)展，還必須領(lǐng)先微影設(shè)備商，自行開發(fā)一些相關(guān)技術(shù)。 　　近來全球各大DRAM廠為能有效運用旗下晶圓廠，加上NAND&
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NAND閃存供貨商搶食大餅

  • 根據(jù)國外媒體報導(dǎo)， NAND閃存市場上的競爭業(yè)者，包括Hynix、IM Flash與Toshiba等，最近都悄悄增加產(chǎn)量，并且準備推出45nm以下的產(chǎn)品。這個領(lǐng)域的供貨商不但在程序技術(shù)上激烈競爭，也在準備因應(yīng)市場上新的需求與產(chǎn)品的周期。市面上逐漸出現(xiàn)需要NAND的新應(yīng)用，例如flash BIOS、solid-state storage與具備DVR功能，采用閃存的電視機。NAND業(yè)者最近動作頻仍，市場領(lǐng)導(dǎo)供貨商Samsung Electronics展示了一款30-nm NAND組件，第二大供貨商 Toshi
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SanDisk成為NAND閃存缺貨潮大贏家

  • NAND閃存產(chǎn)業(yè)風水輪流轉(zhuǎn)，變化相當快速，原本第一季度頭號存儲卡廠商SanDisk還被第二名的金士頓（Kingston）苦苦追趕，飽受價格大跌之苦，然經(jīng)過這一波缺貨潮的洗禮之后，SanDisk成為了閃存存儲卡產(chǎn)業(yè)中的最大贏家。從上游NAND閃存晶圓，到終端成品制造一條鞭掌握的模式，在缺貨時期的優(yōu)勢發(fā)揮淋漓盡致。 SanDisk2007年第一季度受到NAND閃存價格大跌、終端需求疲弱不振的影響，財報出現(xiàn)了赤字，SanDisk在2007年第一季度凈虧損57.5萬美元，每股剛好損益平衡，第二季度受到了NAND閃
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NAND市況是“業(yè)內(nèi)有史以來最糟糕的”

  • 根據(jù)iSuppli公司的正式消息，NAND閃存供應(yīng)商所面臨的市況是業(yè)內(nèi)有史以來最惡劣的，并且這種狀況可能進一步惡化。如果不是到了岌岌可危的境地，供應(yīng)商們就不會抱怨NAND閃存業(yè)務(wù)的定價和收益率的悲哀狀況了。 與2006年第四季度17%的降幅相比，今年第一季度每Mb的NAND閃存的平均定價有望下降35%到40%。這種戲劇性的價格下滑意味著NAND閃存業(yè)務(wù)作為一個整體將在今年第一季度遭遇運營損失，該市場有史以來第一次發(fā)生這樣的事情。 經(jīng)濟學101法則 需求對降價呈現(xiàn)彈性的響應(yīng)，市況惡劣的主要原因在于NAND供
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NAND近期市場形勢升級為“中性”

  • 對于受嚴重價格侵蝕打擊近六個月之久的NAND閃存供應(yīng)商來說，現(xiàn)在有好消息但不是最好的消息：iSuppli公司已經(jīng)更新了近期該市場的形勢評級。 目前，iSuppli將2006年10月2日那一周以來一直保持的NAND供應(yīng)商市場形勢評級自“負面”升為“中性”。就在兩周前，iSuppli還認為供應(yīng)商的情況是有史以來最為糟糕的。但是峰回路轉(zhuǎn)—在持續(xù)惡劣條件的情況下，其拐點即將來臨。 iSuppli的NAND動量指標—上周跟蹤各項決定市場狀態(tài)因素的指標向正臨界偏移，該現(xiàn)象是自2006年11月13日那一周后首次出現(xiàn)。
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NAND市場在一季度遭遇最慘痛經(jīng)歷

  • 一季度NAND閃存市場有多糟糕？ 糟糕得驚人！ •        全球NAND市場營收下降了6.84億美元，相比2006年第四季度下降了20.6%！ •        市場如此糟糕以至于一個被公認為該市場領(lǐng)軍供應(yīng)商NAND的營收在此期間下降了10.1%！ •    &nbs
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受三星停電事件影響 NAND價格上漲15-25%

  •     根據(jù)集邦科技資料，8月上旬NAND型閃存價格受韓國三星停電事件影響，平均上漲約15-25%。集邦分析師指出，由于短期內(nèi)旬NAND型閃存市場供貨不足，預(yù)估8月下旬價格將持平或小漲。     據(jù)港臺媒體報道，三星半導(dǎo)體廠區(qū)在8月3日下午發(fā)生停電事件，使得該公司的6、7、8、9以及14廠的生產(chǎn)均受到停電中斷的影響，但三星已宣布于8月4日下午恢復(fù)到正常生產(chǎn)狀況，根據(jù)該公司初步估計損失約4300萬美元。  &
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NAND閃存芯片吃緊 加劇行業(yè)整合態(tài)勢

  •     隨著NAND閃存芯片需求的增加，內(nèi)存廠商已越來越難得到充足的NAND閃存芯片供應(yīng)，NAND閃存芯片吃緊加劇了內(nèi)存產(chǎn)業(yè)整合，業(yè)內(nèi)人士稱現(xiàn)在已有許多小規(guī)模的內(nèi)存廠商從市場中退出。 　　今年前一段時間NAND閃存芯片價格出現(xiàn)了下滑，現(xiàn)在價格又開始了回升，可這并不能讓眾多內(nèi)存廠商高興起來，因為并非所有的內(nèi)存廠商都能得到足夠的NAND閃存芯片供應(yīng)，特別是在蘋果霸占了三星的大量NAND產(chǎn)品的情況下。 　　現(xiàn)在約有一半的二線三線內(nèi)存廠商退出了NAND閃存業(yè)務(wù)，這也是不得已而為之，由
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中芯國際切入NAND閃存市場

  •     在iPhone的帶動下，NAND閃存市場近期一片大好，國內(nèi)的晶元代工大廠中芯國際也抵制不住NAND閃存市場的誘惑，在近期宣布，下半年將開始量產(chǎn)2Gb NAND閃存顆粒并已經(jīng)投入8Gb NAND閃存顆粒的研發(fā)，預(yù)計明年將成為全球重要的NAND閃存顆粒供應(yīng)廠之一。      受到今年Q2內(nèi)存價格崩盤以及0.13微米制程代工競爭激烈影響，國內(nèi)晶元代工大廠中芯國籍Q2營收出現(xiàn)約200萬美元左右的稅后虧損。做為晶元代工
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微軟聯(lián)手英特爾戴爾開發(fā)標準NAND閃存接口

  • 5月31日消息，美國當?shù)貢r間5月30日，微軟公司宣布將與英特爾、戴爾結(jié)成合作伙伴關(guān)系，開發(fā)面向PC的標準NAND閃存接口。 據(jù)techspot網(wǎng)站報道稱，名為“非揮發(fā)性內(nèi)存主機控制器接口組織”的這一組織是由英特爾倡導(dǎo)成立的，旨在利用閃存加速現(xiàn)代操作系統(tǒng)中的功能，例如Windows Vista中的ReadyBoost和ReadyDrive。  該組織希望能夠加速其標準的普及，從而使其優(yōu)勢得到真正的體驗。英特爾或其它廠商是否會將這一接口提供給Windows之外的其它軟件還不得而知，但從該組
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