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基于ARM9內(nèi)核Processor對(duì)外部NAND FLASH的控制實(shí)現(xiàn)

目前流行的ARM9 CPU中,沒(méi)有集成NAND FLASH的控制器,可以通過(guò)使用NOR FLASH的控制器或者VLIO的控制器,實(shí)現(xiàn)對(duì)外部NAND FLASH的控制.實(shí)測(cè)結(jié)果顯示,用8 b I/O的NAND FLASH,在文件系統(tǒng)下讀/寫的速度為3 MB/s,擦除的速度為65 MB/s,滿足現(xiàn)在流行手持設(shè)備對(duì)Memory的要求.
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NAND Flash毛利率不復(fù)當(dāng)年新帝全球裁員

　　受到NAND Flash價(jià)格直落影響，原本在快閃記憶卡產(chǎn)業(yè)執(zhí)牛耳地位的新帝(SanDisk)，日前無(wú)預(yù)警全球大裁員，這次裁員幅度約10分之1。目前以美國(guó)總部作為初步的縮減人力計(jì)劃區(qū)域，但其它地區(qū)包括亞洲在內(nèi)，不排除有進(jìn)一步縮減人力的計(jì)劃。　　事實(shí)上，新帝在2年前合并以色列儲(chǔ)存廠商msystems和近幾年面臨幾波NAND Flash大崩盤之后，新帝的營(yíng)運(yùn)組織就一直在改組，但這次是首度大規(guī)模裁員，也使得內(nèi)部員工人心惶惶。　　新帝的營(yíng)運(yùn)業(yè)務(wù)涵蓋上游NAND Flash生產(chǎn)制造、NAND Flash控
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可管理NAND：適用于移動(dòng)設(shè)備的嵌入式大容量存儲(chǔ)革

與多年前相比，現(xiàn)在的移動(dòng)消費(fèi)電子裝置結(jié)構(gòu)復(fù)雜，功能豐富，能夠存儲(chǔ)大量音樂(lè)、照片和視頻內(nèi)容。讓人欣慰的是，存儲(chǔ)系統(tǒng)的體系結(jié)構(gòu)能夠適應(yīng)這些新的數(shù)據(jù)密集型應(yīng)用。例如，適用于大容量存儲(chǔ)的高性價(jià)比緊湊型 NAND 閃存就替代了手機(jī)、MP3 播放器和數(shù)碼相機(jī)中使用的 NOR 閃存和其它非易失性存儲(chǔ)裝置。
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存儲(chǔ)技術(shù)領(lǐng)域的領(lǐng)先公司協(xié)作創(chuàng)建 NAND 閃存標(biāo)準(zhǔn)接口

　　2008 年 4 月 24 日，北京訊日前，LSI 公司 (NYSE: LSI) 宣布加盟開(kāi)放式 NAND 閃存接口 (ONFi) 工作組。該工作組由業(yè)界領(lǐng)先公司組成，致力于簡(jiǎn)化 NAND 閃存在消費(fèi)類電子產(chǎn)品、計(jì)算平臺(tái)以及工業(yè)系統(tǒng)中的集成。　　LSI 負(fù)責(zé)公司策劃與市場(chǎng)營(yíng)銷的高級(jí)副總裁 Phil Brace 表示：“作為業(yè)界領(lǐng)先的供應(yīng)商，LSI不僅能為硬盤驅(qū)動(dòng)器制造商提供集成電路，同時(shí)還可以面向全球領(lǐng)先服務(wù)器 OEM 廠商提供磁盤存儲(chǔ)系統(tǒng)與軟件，因此，完全能夠?yàn)?ONFi 計(jì)劃提供
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Spansion大力推行其革命性MirrorBit? ORNAND2? 架構(gòu)開(kāi)發(fā)計(jì)劃

　　北京，2008年4月23日——全球最大的純閃存解決方案供應(yīng)商Spansion（Nasdaq：SPSN）今天宣布在意大利米蘭設(shè)立其安全及先進(jìn)技術(shù)事業(yè)部（SATD）總部，以支持其革命性MirrorBit® ORNAND2™架構(gòu)及安全產(chǎn)品策略的開(kāi)發(fā)計(jì)劃。該部門將負(fù)責(zé)Spansion各種不同閃存安全解決方案的開(kāi)發(fā)工作，并將MirrorBit技術(shù)拓展到目前NAND所服務(wù)的應(yīng)用領(lǐng)域。　　Spansion執(zhí)行副總裁Carla Golla擔(dān)任該部門負(fù)責(zé)人，并招募了眾
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閃存新公司恒億負(fù)重前行?前景尚不…

?　　如果憑老東家的實(shí)力，新公司應(yīng)該讓人感覺(jué)很有希望。但是現(xiàn)實(shí)面臨兩個(gè)大的問(wèn)題，其一是在專注的存儲(chǔ)器領(lǐng)域強(qiáng)手如林，新公司能否脫穎而出；其二是老東家英特爾及意法是否肯下更大的賭注。 ? ????全球頭號(hào)芯片供應(yīng)商英特爾與歐洲大廠STMicro合資新建的存儲(chǔ)器廠Numonyx，中文名叫恒憶公司，于2008年4月1日作為一家全新的半導(dǎo)體公司正式問(wèn)世。公司主要業(yè)務(wù)是整合NOR、NAND(兩種存儲(chǔ)器類型)及內(nèi)置RAM（內(nèi)存）的存儲(chǔ)器，并利用新型相變移位
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恒憶?（NUMONYX）強(qiáng)勢(shì)進(jìn)軍存儲(chǔ)器市場(chǎng)

　　2008年4月1日，中國(guó) – 恒憶™（Numonyx B.V）公司今天作為一家全新的半導(dǎo)體公司正式問(wèn)世。公司主要業(yè)務(wù)是整合NOR、NAND及內(nèi)置RAM的存儲(chǔ)器，并利用新型相變移位存儲(chǔ)器（PCM）技術(shù)，為存儲(chǔ)器市場(chǎng)開(kāi)發(fā)、提供創(chuàng)新的存儲(chǔ)器解決方案。新公司憑借其雄厚實(shí)力和技術(shù)專長(zhǎng)，在成立之初就成為存儲(chǔ)器市場(chǎng)的領(lǐng)先廠商，專注于存儲(chǔ)器開(kāi)發(fā)制造業(yè)務(wù)，為手機(jī)、MP3播放器、數(shù)碼相機(jī)、超便攜筆記本電腦、高科技設(shè)備等各種消費(fèi)電子產(chǎn)品制造商提供全方位的服務(wù)。恒憶™將從非易失性存儲(chǔ)器
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NAND市場(chǎng)增長(zhǎng)放緩芯片廠欲推遲建廠計(jì)劃

　　日前，全球領(lǐng)先的閃存供應(yīng)商晟碟和東芝公司在日本簽署了一項(xiàng)合作協(xié)議，表示雙方將共同興建NAND閃存工廠(Fab5)，以應(yīng)對(duì)未來(lái)市場(chǎng)對(duì)NAND閃存的需求，該工廠預(yù)計(jì)將于2010年投產(chǎn)。　　市場(chǎng)研究公司AmericanTechnologyResearch分析師道格?弗里德曼(DougFreedman)表示：“我們相信大部分的投資者都希望Fab5工廠能夠于2009年就可以投產(chǎn)，因?yàn)楝F(xiàn)在的供求關(guān)系依然比較樂(lè)觀?！? 　　但是閃存供應(yīng)商們延遲其工廠興建計(jì)劃也再一次證明了NAN
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ZigBee技術(shù) 無(wú)線傳感器網(wǎng)絡(luò)節(jié)點(diǎn) MCl3192 LPC2138

　　摘要以Samsung NAND Flash器件K9F1208為例，對(duì)比NAND Flash和NOR Flash的異同;介紹大容量NAND Flash在uPSD3234A增強(qiáng)型單片機(jī)系統(tǒng)中的應(yīng)用，完成了硬件接口設(shè)計(jì)和軟件設(shè)計(jì)，并給出硬件連接圖和部分程序代碼。　　關(guān)鍵詞 NAND Flash uPSD3234A單片機(jī)嵌入式系統(tǒng) 　　1 NAND Flash和NOR Flash 　　閃存(Flash Memory)由于其具有非易失性、電可擦除性、可重復(fù)編程以及高密度、低功耗等特點(diǎn)，被廣泛地應(yīng)用于手
關(guān)鍵字： NAND Flash uPSD3234A單片機(jī)嵌入式系統(tǒng)

NAND Flash芯片K9F1208在uPSD3234A上的應(yīng)用

以Samsung NAND Flash器件K9F1208為例，對(duì)比NAND Flash和NOR Flash的異同；介紹大容量NAND Flash在uPSD3234A增強(qiáng)型單片機(jī)系統(tǒng)中的應(yīng)用，完成了硬件接口設(shè)計(jì)和軟件設(shè)計(jì)，并給出硬件連接圖和部分程序代碼。
關(guān)鍵字： K9F1208 Flash 3234A NAND

NAND Flash上均勻損耗與掉電恢復(fù)在線測(cè)試

　　摘要 NAND Flash以其大容量、低價(jià)格等優(yōu)勢(shì)迅速成為嵌入式系統(tǒng)存儲(chǔ)的新寵，因此其上的文件系統(tǒng)研究也日益廣泛，本文簡(jiǎn)要介紹了常用的NAND Flash文件系統(tǒng)YAFFS，并針對(duì)YAFFS在均勻損耗和掉電恢復(fù)方面進(jìn)行在線測(cè)試。在給出測(cè)試結(jié)果的同時(shí)，著重研究嵌入式軟件測(cè)試方案和方法;對(duì)測(cè)試結(jié)果進(jìn)行分析，并提出改進(jìn)方案和適用環(huán)境。　　關(guān)鍵詞 NAND Flash 均勻損耗軟件測(cè)試 YAFFS 　　引言　　隨著嵌入式技術(shù)在各種電子產(chǎn)品中的廣泛應(yīng)用，嵌入式系統(tǒng)中的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)和管理已經(jīng)成為一個(gè)重要
關(guān)鍵字： NAND Flash 均勻損耗軟件測(cè)試 YAFFS

商刊：英特爾NAND閃存面臨多重問(wèn)題

　　北京時(shí)間3月5日《商業(yè)周刊》文章指出，由于美國(guó)經(jīng)濟(jì)衰退導(dǎo)致電腦和消費(fèi)電子產(chǎn)品銷售增長(zhǎng)減速，對(duì)英特爾的NAND閃存芯片業(yè)務(wù)的利潤(rùn)造成很大壓力。　　英特爾在2005年下半年宣布與美光科技組成合資公司，共同研發(fā)和生產(chǎn)一種名為NAND閃存的內(nèi)存芯片，這種芯片被廣泛應(yīng)用于各種消費(fèi)電子產(chǎn)品。兩年多來(lái)，英特爾巧妙地避過(guò)了那些芯片的價(jià)格波動(dòng)。　　全球最大電腦芯片廠商英特爾在3月3日晚間宣布，它預(yù)計(jì)其第一季度毛利率將在54%左右，低于之前作出的56%的預(yù)期目標(biāo)。主要原因在于：NAND閃存的價(jià)格低于預(yù)期水平。在第
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NAND和NOR flash詳解

NOR和NAND是現(xiàn)在市場(chǎng)上兩種主要的非易失閃存技術(shù)。Intel于1988年首先開(kāi)發(fā)出NOR flash技術(shù)，徹底改變了原先由EPROM和EEPROM一統(tǒng)天下的局面。緊接著，1989年，東芝公司發(fā)表了NAND flash結(jié)構(gòu)，強(qiáng)調(diào)降低每比特的成本，更高的性能，并且象磁盤一樣可以通過(guò)接口輕松升級(jí)。但是經(jīng)過(guò)了十多年之后，仍然有相當(dāng)多的硬件工程師分不清NOR和NAND閃存。　　
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分析師稱NAND閃存市場(chǎng)可能再次面臨崩潰

　　在最近發(fā)生了產(chǎn)品種類短缺和平均銷售價(jià)格走平之后，NAND閃存市場(chǎng)可能會(huì)再一次崩潰。　　據(jù)Needham&Co.LLC公司位分析師EdwinMok稱，全球最大的NAND閃存買主蘋果計(jì)算機(jī)公司在12月和1月期間減少了三種類型NAND閃存芯片的采購(gòu)。現(xiàn)在NAND閃存還沒(méi)有殺手應(yīng)用。這些因素都會(huì)對(duì)NAND閃存市場(chǎng)產(chǎn)生影響。　　Mok稱，蘋果在2006年就曾采取過(guò)同樣的減少采購(gòu)的行動(dòng)，導(dǎo)致了2006年1至9月NAND閃存芯片的供應(yīng)量超過(guò)了需求的70%和價(jià)格的下降。　　這位分析師稱，雖然自從2
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內(nèi)存產(chǎn)業(yè)2008年再纏斗戰(zhàn)線不斷擴(kuò)大

　　快閃內(nèi)存產(chǎn)業(yè)的發(fā)展在2007年有點(diǎn)出乎各界意料，整個(gè)產(chǎn)業(yè)的高點(diǎn)反而是落在第一季底，第二、三季深受NAND Flash缺貨所苦，大家的發(fā)展反而綁手綁腳，一路往下滑;2007下半年不但沒(méi)有傳統(tǒng)的消費(fèi)性電子產(chǎn)品旺季出現(xiàn)，反而NAND Flash價(jià)格劇烈的忽上忽下，可說(shuō)是一團(tuán)混亂，終于2007年第四季面臨了NAND Flash崩跌走勢(shì)，雖然大家對(duì)于「寒流」來(lái)襲，都已有心理準(zhǔn)備，但仍是不敢大意。　　TRI觀點(diǎn)：　　2007年內(nèi)存產(chǎn)業(yè)的變化多端，出乎大家的意料，然而其中影響甚巨的一個(gè)事件，就是Samsun
關(guān)鍵字：內(nèi)存 NAND Flash MCU和嵌入式微處理器