nand 文章進入nand技術(shù)社區(qū)

武漢新芯估2018年量產(chǎn)48層NAND

　　紅色供應鏈來勢洶洶，外界原本認為，陸廠要到四五年后才能在記憶體搶下一席之地，不過有分析師預測，陸廠研發(fā)腳步迅速，可能2018年就能量產(chǎn)3D NAND。　　巴倫(Barronˋs)6日報導，美系外資晶片設備分析師Atif Malik稱，中國透過Rambus和Spansion取得DRAM和NAND記憶體的技術(shù)授權(quán)。2月份，Spansion和武漢新芯(XMC)簽訂3D NAND研發(fā)和交叉授權(quán)協(xié)定。由武漢新芯出資、Spansion提供電荷儲存式(Charge trap)和浮閘(Floating Gate
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DRAM和NAND技術(shù)助三星占據(jù)市場主導地位

　　全球大部分半導體產(chǎn)業(yè)都可能籠罩陰霾，但韓國三星電子憑借強大的技術(shù)優(yōu)勢可以擴大部分關(guān)鍵產(chǎn)品的市場份額，甚至可能提高營收。這將使三星在逆境中表現(xiàn)優(yōu)于多數(shù)同業(yè)。　　全球個人電腦(PC)銷量下降，以及智能手機增長放緩，讓半導體產(chǎn)業(yè)遭受沉重打擊。英特爾本月宣布將最多裁員1.2萬。　　高通曾表示，第三財季芯片(晶片)出貨量可能下降達22%。SK海力士周二公布季度營業(yè)利潤下降65%，這是其三年來的最差業(yè)績。　　將于周四公布第一季財報的三星，也難免遇挫。市場廣泛預計三星芯片獲利將會下降，一些分析師預測1-
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TrendForce：2020年中國大陸國內(nèi)Flash月產(chǎn)能上看59萬片

　　中國大陸業(yè)者在NAND Flash產(chǎn)業(yè)鏈的相關(guān)布局與投資不斷開展，成為中國大陸半導體業(yè)揮軍全球的下一波焦點。TrendForce旗下拓墣產(chǎn)業(yè)研究所最新研究報告顯示，隨著紫光國芯(原同方國芯)投資、武漢新芯擴廠，及國際廠如三星、英特爾增加產(chǎn)能，預估2020年中國大陸國內(nèi)Flash月產(chǎn)能達59萬片，相較于2015年增長近7倍。　　TrendForce預估2012~2016年NAND Flash生產(chǎn)端年平均位元增長率達47%，其最終消費端需求年平均位增長率亦高達46%，顯示NAND Flash仍為高速發(fā)
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蘋果采用三星NAND閃存顆粒+AMOLED屏幕

　　蘋果已經(jīng)秘密與三星談下合作，在iPhone上采用三星的NAND閃存芯片。時隔5年，蘋果再一次采用了三星的NAND flash。先前也有消息指出iPhone將會采用AMOLED屏幕。　　　　先前蘋果不用三星閃存，是因為三星希望在閃存顆粒封裝上采用特殊圖層的方式來做電池干擾屏蔽，但是三星并不愿意做。如今臺灣供應商發(fā)出了噴涂圖層工藝，三星有望使用這個技術(shù)，來讓閃存顆粒滿足蘋果的EMI屏蔽標準。又因為這一工藝較為廉價，所以三星比較重視。　　使用三星NAND閃存顆粒+AMOLED
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傳三星邀協(xié)力廠研發(fā)EMI遮蔽制程意在瞄準蘋果NAND訂單

　　傳聞三星電子(Samsung Electronics)半導體暨裝置解決方案事業(yè)部(DS)正與多家業(yè)者共同進行EMI遮蔽制程研發(fā)，有意重啟對蘋果(Apple)供應NAND Flash存儲器，過去4年來三星電子與蘋果的NAND Flash交易中斷。　　據(jù)韓媒ET News報導，日前業(yè)界表示，三星電子正與PROTEC、諾信(Nordon Asymtek)、韓松化學(Hansol Chemical)、Ntrium等多家點膠機(Dispense)業(yè)者，共同研發(fā)以噴涂(Spray)方式進行EMI遮蔽制程。
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三星NAND Flash 傳四年后重返iPhone

　　韓廠積極打進蘋果iPhone供應鏈。韓國媒體報導，三星電子計畫提供NAND型快閃記憶體給iPhone，這將是睽違4年后三星電子NAND型快閃記憶體重返iPhone供應鏈。　　韓國網(wǎng)站媒體ET News報導，蘋果從2012年iPhone 5推出開始，就沒有采用三星電子(Samsung Electronics)的NAND型快閃記憶體，在于三星電子并未接受蘋果要求、在NAND型快閃記憶體封裝技術(shù)上采用電磁干擾屏蔽(EMI shielding;Electro Magnetic Interference s
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武漢新芯發(fā)表240億美元投資計劃著手3D NAND研發(fā)

　　大陸國營企業(yè)武漢新芯(XMC)最近發(fā)表約240億美元的投資計劃，將以武漢為基地，興建以生產(chǎn)NAND Flash為主的半導體工廠。依韓國業(yè)界看法，武漢新芯與三星電子(Samsung Electronics)仍有至少3~4年的技術(shù)差距，但將是大陸市場上的潛在最大對手。　　據(jù)韓聯(lián)社報導，大武漢新芯最近發(fā)表27兆韓元(約240億美元)的投資計劃，將以武漢為基地，興建以生產(chǎn)NAND Flash為主的半導體工廠。地方政府已從投資機構(gòu)湖北省集成電路產(chǎn)業(yè)投資基金方面取得鉅額資金。　　韓聯(lián)社引述EE Times
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存儲“芯”發(fā)展剖析3D NAND閃存市場現(xiàn)狀

國內(nèi)大力扶持存儲，各種巨額的投資項目爭議不小，但是為了存儲自主的未來，也值。
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DRAM及NAND市場價格下跌美光營收下滑

　　不論是NAND閃存還是DRAM內(nèi)存領域，韓國兩家公司三星、SK Hynix總算還能保住吃香喝辣的日子，但美國的美光公司這兩年就沒啥舒服日子了，技術(shù)、產(chǎn)能都落后友商，偏偏現(xiàn)在又遇到了內(nèi)存、閃存降價，跌跌不休的價格導致美光營收下滑了30%，當季凈虧損9700萬美元，對未來季度的預測同樣悲觀。　　美光公司周三發(fā)布了截至今年3月3日的2016財年Q2財報，當季營收29.3億美元，上季度為33.5億美元，去年同期為41.66億美元，同比下滑了30%。　　美光當季毛利只有5.79億美元，遠遠低于上季度的8
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4000億能砸出中國存儲器產(chǎn)業(yè)嗎？

在國家意志的推動下，中國存儲企業(yè)大多是不差錢的主，完全可以在沒有后顧之憂的情況下，砸出工藝，暴出產(chǎn)能，在如此力度的政策、資金扶持下，武漢新芯、紫光等中國企業(yè)能重演京東方在面板產(chǎn)業(yè)的逆襲么？
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中國NAND快閃存儲器產(chǎn)業(yè)邁入新紀元

　　TrendForce旗下記憶體儲存事業(yè)處DRAMeXchange表示，中國記憶體大廠武漢新芯新建記憶體晶圓廠將從本月底開始進行建廠工程，目標最快在2018年年初開始生記憶體晶片，初期規(guī)劃將以目前最先進的3D-NAND Flash為主要策略產(chǎn)品，代表了近兩年來中國極力發(fā)展記憶體產(chǎn)業(yè)的態(tài)勢下，將開始進入新的里程碑。　　DRAMeXchange研究協(xié)理楊文得指出，現(xiàn)階段武漢新芯主要以生產(chǎn)NOR Flash為主，月產(chǎn)能約為2萬片左右，在NAND Flash產(chǎn)業(yè)也展現(xiàn)強大的企圖心。不同于國際NAND Fla
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投資10nm/3D NAND　晶圓廠設備支出今年增3.7%

　　國際半導體產(chǎn)業(yè)協(xié)會(SEMI)最新報告指出，3D NAND、DRAM與10奈米制程等技術(shù)投資，將驅(qū)動2016年晶圓廠設備支出攀升，預估2016年包括新設備、二手或?qū)?In-house)設備在內(nèi)的前段晶圓廠設備支出將增長3.7%，達372億美元;而2017年則可望再成長13%，達421億美元。　　SEMI指出，2015年晶圓廠設備支出為359億美元，較前一年微幅減少0.4%;預測2016年上半年晶圓廠設備支出可望緩慢提升，下半年則將開始加速，為2017年儲備動能。2017年相關(guān)支出可望回復兩位數(shù)成
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中國砸240億美元躍進3D NAND閃存時代

國內(nèi)終于要有了存儲，剩下的問題就是國產(chǎn)閃存應該如何與三星、Intel、東芝們競爭呢？初期的價格戰(zhàn)是不可避免的，但長久來看還得是技術(shù)立足。
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東芝將向NAND投資8600億日元，預計2016財年銷售不到5萬億日元

　　“失去的信任不是一朝一夕可以挽回的。雖然無法預測需要多長時間，但希望能獲得新生，成為一家能永久發(fā)展下去的企業(yè)”。東芝于2016年3月18日在東京召開了2016年度業(yè)務計劃說明會，代表執(zhí)行董事社長室町正志在會上這樣說道。　　東芝的一系列結(jié)構(gòu)改革都已有了目標。在說明會前一天，東芝宣布將把醫(yī)療器械子公司——東芝醫(yī)療系統(tǒng)出售給佳能，將把白色家電業(yè)務出售給美的集團(參閱本站報道1)。關(guān)于個人電腦業(yè)務與其他公司進行業(yè)務合并一事，室町表示“希望在201
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2016年迎3D NAND技術(shù)拐點，誰輸在起跑線？

　　為了進一步提高NAND Flash生產(chǎn)效益，2016年Flash原廠將切入1znm(12nm-15nm)投產(chǎn)，但隨著逼近2D NAND工藝可量產(chǎn)的極限，加快向3D技術(shù)導入已迫在眉睫，2016年將真正迎來NAND Flash技術(shù)拐點。　　1、積極導入48層3D技術(shù)量產(chǎn)，提高成本競爭力　　與2D工藝相比，3D技術(shù)的NAND Flash具有更高的性能和更大的存儲容量。3D技術(shù)若采用32層堆疊NAND Flash Die容量達128Gb，與主流2D 1y/1znm 128Gb相比缺乏成本競爭力。　
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nand介紹

一般快閃記憶體可分為二大規(guī)格，一是NAND，一是NOR. 簡單的來說，NAND規(guī)格快閃記憶體像硬碟，以儲存數(shù)據(jù)為主，又稱為Data Flash，晶片容量大，目前主流容量已達二Gb；NOR規(guī)格記憶體則類似DRAM，以儲存程序代碼為主，又稱為Co deFlash，所以可讓微處理器直接讀取，但晶片容量較低，主流容量為五一二Mb。 NAND規(guī)格與NOR規(guī)格快閃記憶體除了容量上的不同，讀寫速度也有很 [ 查看詳細 ]