三星電子正計劃對美國德克薩斯州奧斯汀的一處內存芯片工廠進行升級改造，這一過程中將裁員500人。
三星奧斯汀半導體公司將投資5億美元將對該工廠進行改造。該工廠將于10月份關閉，改造工作將于2009年末至2010年初開始。
今年早些時候，三星奧斯汀半導體公司在三星電子的大規(guī)模重組中裁員20人。該公司在當地擁有兩家工廠，分別生產DRAM內存芯片和NAND閃存芯片。
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三星 內存芯片 DRAM NAND
手機及其它移動電子設備微型投影機發(fā)展驚人
據 iSuppli 公司，由于能夠克服移動電子設備顯示屏尺寸的限制，嵌入到智能手機等產品中的微型投影機的出貨量未來四年將增長約 60 倍。
到 2013 年，內嵌式微型投影機的出貨量將從今年的 5 萬部升至超過 300 萬部。附圖為 iSuppli公司對內嵌式微型投影機全球出貨量的預測。
iSuppli 對微型投影機的定義是：重量小于 2 磅 (約 0.9 公斤)、體積小于 60 立方英寸(約 983 立方厘米)、無需電池組的正投影機。雖然微
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智能手機 NAND
NAND閃存產業(yè)正處在十字路口。SanDisk CEO Eli Harari稱未來的產能需要和產品需求“失去了關聯(lián)”。NAND閃存糟糕的產業(yè)模式使廠商對建新廠失去興趣。
積極地來看，Harari稱2013年NAND閃存位需求將達10萬petabyte(PB，1 peta=100萬Giga)，而現在為7000PB。當前和未來的NAND閃存需求讓將爆炸性增長，其中包括最有潛力的市場驅動力——嵌入式移動應用市場。
Harari在閃存峰會的主題演講中
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SanDisk NAND 閃存
英特爾和美光科技周二發(fā)布了用于閃存卡和優(yōu)盤的高數據容量閃存技術。這兩家公司稱，他們已經開發(fā)出了基于34納米技術的NAND閃存芯片，存儲容量為每個儲存單元3比特。這個存儲密度高于目前標準的每個存儲單元2比特的技術，從而將實現高容量的優(yōu)盤。
美光NAND閃存營銷經理Kevin Kilbuck說，雖然在一個存儲單元加入更多比特的數據能夠提供更大的數據密度，但是，這種做法沒有基于更標準的技術的閃存那樣可靠。因此，每個儲存單元3比特的芯片最初將僅限于應用到優(yōu)盤。優(yōu)盤沒有要求固態(tài)硬盤的那種數據存儲可靠性。固
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英特爾 NAND 34納米
曾經是歐洲最大內存廠的奇夢達進入資產拍賣階段，而此舉剛好給了大陸切入內存產業(yè)領域的大好時機!浪潮集團將于8月中收購奇夢達西安研發(fā)中心，至于蘇州封測也傳出將由華潤集團接手，而這些收購公司背后都有國資背景，顯見在官方撐腰并下指導棋的情況下，大陸內存產業(yè)鏈終于完備。
德國內存龍頭廠奇夢達確定遭到市場淘汰，并已正式進入資產拍賣階段。目前奇夢達的資產包括6大研發(fā)中心、美國的弗吉尼亞與德國的德勒斯登12吋晶圓廠，以及大陸、葡萄牙、馬來西亞的后段封測廠。至于奇夢達在大陸的基地，只有西安的研發(fā)中心與蘇州的內存后
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奇夢達 晶圓 服務器 DRAM NAND
據日本媒體報道，日本近期半導體和液晶面板的生產水平得到回升，大型電器生產廠家紛紛決定利用暑期休假時間加班加點進行生產。由于環(huán)保積分制度促進數碼家電銷量增長等因素，市場需求得到恢復，庫存調整也取得進展。生產水平的回升一旦上了軌道，這些企業(yè)的業(yè)績有望得到好轉，也可能為日本國內經濟帶來一股活力。
在液晶生產領域擁有主導權的夏普公司旗下龜山第二工廠的液晶面板生產線暑期照常開工。該工廠從8月起將液晶面板產能提高約10%，在建中的堺市新工廠也將于10月起按預定計劃開工。
東芝公司旗下生產用于手機等的&
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夏普 液晶面板 半導體 NAND
8月6日消息，日本芯片制造業(yè)龍頭東芝(Toshiba)周三表示，由于公司芯片業(yè)務資本支出增長將減緩，并尋求擴張核能發(fā)電及智能型電網業(yè)務，3年后其電力及基礎建設業(yè)務的獲利，將達電子產品部的2倍。
東芝的半導體部門已連續(xù)3季出現營業(yè)虧損，使其減緩該部門支出，并在其它領域尋求固定營收來源，例如健康醫(yī)療及水處理等。
東芝目前預期，包含微芯片、傳感器及液晶顯示器(LCD)等電子產品部門于2012年3月底結束的會計年度，獲利將達約1000億日元(10億美元);而屆時社會基礎建設業(yè)務獲利則可達2000億
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東芝 NAND 晶圓
盡管最近市場調研公司VLSI仍不修正半導體業(yè)陰沉的預測， 即09年全球設備市場下降44.2%及半導體市場下降12.4%，而其CEO Hutcheson對于IC工業(yè)仍非常樂觀。
根據與Hutcheson的對話及公司的最新報告， 以下將結論刊出， 共有4個正面意見及2個負面看法。以下是為什么分析師呈現樂觀或者擔心的原因。
1. 看到回升
7月的周報IC銷售額上升到33億美元， 打破了三周來IC銷售額的陰沉局面， 因為通常7月是典型的弱月份， 所以這條消息具正面意見。依周與周的比較，IC銷
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Cisco 通訊 太陽能 NAND
在NAND Flash供貨商產能減產效應及新興市場庫存回補需求的雙重幫助下，第二季NAND Flash平均銷售價格(ASP)約上漲20% QoQ，整體NAND Flash出貨量則增加了10% QoQ, 因此2009年第二季NAND Flash品牌廠商營收都較上一季成長，2009年第二季全球NAND Flash品牌廠商整體營收為27億8千6百萬美元，較上一季的20億8千6百萬美元成長33.6%QoQ。
就2009年第二季NAND Flash品牌廠商營收排行來看，Samsung營收為10億3千7
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Micron NAND
據臺灣媒體報道，東芝日前發(fā)生日本晶圓廠遭到雷擊短暫停電事件，盡管NAND Flash產能并未受到影響，然令業(yè)界意外的是，由于該廠房主要生產包含快閃記憶卡控制芯片的邏輯IC產品，因此，使得東芝microSD卡供應量驟降，帶動近期microSD卡價格上漲逾10%。
內存業(yè)者認為，過去記憶卡價格一直嚴重偏低，業(yè)界趁此機會調漲終端記憶卡售價，但NAND Flash芯片價格上漲機率則不高。
業(yè)內人士表示，2009年初NAND Flash芯片價格持續(xù)上漲，記憶卡價格卻沒有跟上來，導致NAND Flas
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東芝 NAND 晶圓
據國外媒體報道，美國知識產權公司BTG International Inc.(以下簡稱“BTG”)今天向美國國際貿易委員會提出申訴，稱三星的NAND閃存芯片侵犯其5項專利，要求禁止進口侵權芯片及相關產品。BTG還將蘋果、RIM等8家采用該芯片的公司列為被告。
BTG申訴材料稱，涉案專利與采用“多層存儲單元”(MLC)技術的閃存芯片的編程和讀取方法有關。MLC技術能降低閃存芯片制造成本，并提高存儲密度。
申訴材料指出，包括手機、攝像機、筆記本和
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三星 NAND 閃存芯片 MLC
海力士(Hynix)NAND Flash產業(yè)之路命運多舛，之前48納米制程量產不順，加上減產之故，幾乎是半退出NAND Flash產業(yè)，直到近期新制程41納米制程量產順利，才開始活躍起來，日前更打入蘋果(Apple)iPhone 3G S供應鏈，獲得認證通過，可以一起和東芝(Toshiba)、美光(Micron)等NAND Flash大廠一起「吃蘋果」!
海力士2008年下半開始，NAND Flash出貨量變得相當少，一方面是48納米制程量產不順，另一方面是NAND Flash價格崩盤，導致虧損
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Hynix NAND 48納米 41納米 34納米 存儲器
7月下旬NAND Flash合約價在一片淡季聲中，仍是穩(wěn)住陣腳，除了32Gb和64Gb容量的芯片，小幅下跌1~3%外，其它容量呈現持平。模塊廠表示，三星電子(Samsung Electronics)釋出數量不多，因此即使市場的買氣平平，NAND Flash價格下跌壓力有限，而英特爾(Intel)和美光(Micron)陣營則是維持低價搶單的策略;市調機構英鼎(inSpectrum)預估，全球第3季的NAND Flash產出仍會較第2季成長25%，估計約16.26億顆(以8Gb容量計算)。
根據英鼎
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三星 NAND 記憶卡
臺塑集團布局DRAM產業(yè)更趨積極，除集團挹注資金、爭取國發(fā)基金投資，近期傳出華亞科有意讓英特爾(Intel)投資入股，打算藉由辦理海外存托憑證(GDR)或私募時進行，目前整起投資案正由外資機構評估中。存儲器業(yè)者透露，華亞科擬引進英特爾投資，主要關鍵系說服英特爾藉由這次支持DRAM產業(yè)動作，阻止三星電子(Samsung Electronics)在全球存儲器市場坐大，甚至威脅英特爾在半導體產業(yè)地位。
存儲器業(yè)者透露，華亞科擬以GDR或私募方式引進英特爾資金，除爭取資金挹注，另一個重要原因，就是希望藉
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TMC DRAM NAND
蘋果高管近日在財報分析師電話會議上表示，該公司已與東芝達成閃存芯片長期供貨協(xié)議，并向后者預付5億美元貨款。
這一交易對于東芝而言可謂“及時雨”。東芝是全球第二大NAND閃存芯片廠商，面臨閃存芯片價格滑坡和來自三星電子的激烈競爭等問題。
消息人士表示，5億美元相當于蘋果一個季度NAND閃存芯片需求量的價值。
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蘋果 閃存芯片 NAND
nand介紹
一般快閃記憶體可分為二大規(guī)格，一是NAND，一是NOR.
簡單的來說，NAND規(guī)格快閃記憶體像硬碟，以儲存數據為主，又稱為Data Flash，晶片容量大，目前主流容量已達二Gb；NOR規(guī)格記憶體則類似DRAM，以儲存程序代碼為主，又稱為Co deFlash，所以可讓微處理器直接讀取，但晶片容量較低，主流容量為五一二Mb。
NAND規(guī)格與NOR規(guī)格快閃記憶體除了容量上的不同，讀寫速度也有很 [
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