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研調(diào):陸今年DRAM、NAND總消化量估占全球22%及29%
- TrendForce旗下記憶體儲存事業(yè)處DRAMeXchange最新研究顯示,由于中國大陸內(nèi)需市場胃納量龐大,在伺服器以及智慧型手機(jī)的出貨需求持續(xù)攀升,預(yù)估今(2015)年中國內(nèi)需市場在DRAM與NAND的總消化量換算產(chǎn)值高達(dá)120億與66.7億美元,分別占全球產(chǎn)值的21.6%與29.1%。 DRAMeXchange研究協(xié)理吳雅婷表示,從DRAM需求觀察,近年來中國品牌不論在個人電腦或是智慧型手機(jī)領(lǐng)域出貨量不斷增長。其中,聯(lián)想(0992.HK)在個人電腦市場與第一名的惠普出貨量在伯仲之間,并穩(wěn)居
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威剛陳立白談DRAM:臺塑贏 臺灣就贏
- DRAM大廠華亞科(3474)董事長高啟全即將至中國紫光集團(tuán)出任全球副總裁職務(wù),在中國發(fā)展半導(dǎo)體腳步積極下,牽動全球DRAM三大陣營三星、SK海力士及美光的勢力消長。 對此,記憶體模組大廠威剛(3260)董事長陳立白表示,兩岸在半導(dǎo)體都不是最大競爭對手,最大競爭對手都是韓國,以半導(dǎo)體而言,目前兩岸都還有合作的機(jī)會,合作會大于競爭,誰不可能跟臺灣合作,就是韓國,兩岸現(xiàn)在都還有互補機(jī)會,因此,樂見高啟全未來扮演籌組臺美中抗韓大聯(lián)盟的角色。 對高被挖角,他表示,站在客觀立場,臺灣不可能擋住紅色供
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三星DRAM全球份額再創(chuàng)歷史新高,美光遠(yuǎn)遠(yuǎn)落后
- 南韓科技巨擘三星 DRAM 市占率再創(chuàng)新高,再加上同胞兄弟 SK 海力士的份額,兩家南韓公司已壟占全球超過八成的 DRAM 市場。 據(jù)市調(diào)機(jī)構(gòu) IHS 統(tǒng)計,三星第二季 DRAM 市占率來到 45.2%,較前季成長 1.1 個百分點,且刷新 2011 年所寫下 45% 的紀(jì)錄。自去年第三季以來,三星 DRAM 市占率每季都在 4 成以上。 業(yè)界人士認(rèn)為三星在 20 奈米制程技術(shù)的硬實力,全球無人能敵,是三星得以在 DRAM 半導(dǎo)體業(yè)務(wù)上取勝的重要因素,且短期之內(nèi)
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三星DRAM全球份額再創(chuàng)歷史新高,美光遠(yuǎn)遠(yuǎn)落后
- 南韓科技巨擘三星 DRAM 市占率再創(chuàng)新高,再加上同胞兄弟 SK 海力士的份額,兩家南韓公司已壟占全球超過八成的 DRAM 市場。 據(jù)市調(diào)機(jī)構(gòu) IHS 統(tǒng)計,三星第二季 DRAM 市占率來到 45.2%,較前季成長 1.1 個百分點,且刷新 2011 年所寫下 45% 的紀(jì)錄。自去年第三季以來,三星 DRAM 市占率每季都在 4 成以上。 業(yè)界人士認(rèn)為三星在 20 奈米制程技術(shù)的硬實力,全球無人能敵,是三星得以在 DRAM 半導(dǎo)體業(yè)務(wù)上取勝的重要因素,且短期之內(nèi)
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大陸供應(yīng)鏈進(jìn)逼臺灣芯片廠整并應(yīng)戰(zhàn)
- 中國大陸紅色供應(yīng)鏈威脅有增無減,IC設(shè)計業(yè)者表示,整并壯大自己,是因應(yīng)對策之一,只是缺乏高級管理人才,將是當(dāng)前整并發(fā)展趨勢下,臺灣可能面臨的最大問題。 中國大陸政府強力扶植半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè),近年來中國大陸企業(yè)采取挖角與并購并進(jìn)策略,期能加速半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展。 南亞科總經(jīng)理高啟全日前退休,并傳將加入中國大陸紫光集團(tuán),負(fù)責(zé)半導(dǎo)體儲存業(yè)務(wù),為國內(nèi)動態(tài)隨機(jī)存取記憶體(DRAM),甚至是半導(dǎo)體業(yè)拋下震撼彈。 業(yè)界憂心,高啟全若真跳槽紫光集團(tuán),在他過去多年與美光協(xié)商合作經(jīng)驗下,有助促成紫光集團(tuán)與美光合作
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四強投資動作暗潮洶涌 欲爭奪3D NAND市場
- 盡管目前全球存儲器四強競局維持平衡狀態(tài),然近期各廠投資動作頻頻,包括三星電子(Samsung Electronics)、美光(Micron)與東芝(Toshiba)為量產(chǎn)3D NAND Flash,紛投資建廠或以既有生產(chǎn)線進(jìn)行轉(zhuǎn)換,SK海力士(SK Hynix)亦可能利用M10廠生產(chǎn)3D NAND Flash,業(yè)界預(yù)期未來3~4年內(nèi)存儲器產(chǎn)業(yè)既有平衡競局恐將被打破。 半導(dǎo)體業(yè)者表示,3D NAND技術(shù)是未來存儲器產(chǎn)品主流,然技術(shù)層次及難度十分高,目前在制程良率上仍面臨許多挑戰(zhàn),預(yù)計2016年真正
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南亞科:大陸DRAM追臺 至少三年
- 南亞科董事長吳嘉昭昨(6)日表示,雖然中國在DRAM產(chǎn)業(yè)急起直追,但至少還要花三年才能追上臺灣。對于前總座高啟全退休前往中國紫光集團(tuán)發(fā)展,想要創(chuàng)造中美臺合作空間,南亞科新任總經(jīng)理李培瑛說,一切仍有不確定性,公司目前尚無實質(zhì)作法。 南亞科昨天舉行臨時董事會,通過高啟全退休案,但仍擔(dān)任南亞科董事,并決議即日起由資深副總李培瑛接任總經(jīng)理。 吳嘉昭透露,高啟全是在9月18日提出申請退休,對于他的離開感到惋惜,雖然不清楚高的詳細(xì)生涯規(guī)畫,但仍給予祝福。 此外,高啟全
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MIC:明年全球半導(dǎo)體衰退1%
- 資策會產(chǎn)業(yè)情報研究所(MIC)報告指出,受到新興市場智慧型手機(jī)晶片價格快速下滑及需求不佳影響,預(yù)估明年全球半導(dǎo)體市場成長率較今年衰退1%,臺灣半 導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)在DRAM產(chǎn)值跌幅趨緩之下,明年產(chǎn)值將達(dá)2.2兆元微幅年增2.2%。 資策會MIC資深產(chǎn)業(yè)分析師施雅茹表示,今年臺灣半導(dǎo)體 產(chǎn)業(yè)表現(xiàn)不如全球,主要受DRAM與IC設(shè)計產(chǎn)值下滑影響,估算今年臺灣IC設(shè)計產(chǎn)業(yè)產(chǎn)值約4,971億元新臺幣,年減6%,DRAM產(chǎn)業(yè)產(chǎn)值2,325 億元,年減13%;預(yù)估明年可望在DRAM產(chǎn)值跌幅趨緩,以及晶圓代工、IC封測
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全球12吋晶圓產(chǎn)線續(xù)增 18吋晶圓之路漸行漸遠(yuǎn)
- 由于12吋晶圓持續(xù)擴(kuò)大應(yīng)用至非存儲器領(lǐng)域,使得全球12吋晶圓生產(chǎn)線持續(xù)增加,2015年已超過90條產(chǎn)線,較5年前增加約20條產(chǎn)線,且預(yù)計未來4年將再增加近20條產(chǎn)線,相較之下,18吋晶圓商用化時程則會再往后延緩,業(yè)界預(yù)期2020年之前將不會有采用18吋晶圓進(jìn)行大量生產(chǎn)的產(chǎn)線。 12吋晶圓除應(yīng)用在DRAM和NANDFlash等需要大量生產(chǎn)的存儲器芯片,亦持續(xù)擴(kuò)大使用在非存儲器產(chǎn)品,包括電源管理芯片、影像感測器等,甚至用來制造邏輯芯片、微型元件IC等,且為因應(yīng)市場需求,將芯片產(chǎn)量最大化,半導(dǎo)體廠在1
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三星DRAM報價下調(diào)20% 華亞科/南亞科下季營收不樂觀
- 全球DRAM大廠三星昨天傳出下調(diào)DRAM報價,調(diào)降幅度20%。此舉預(yù)告DRAM產(chǎn)業(yè)將在第四季出現(xiàn)一波修正期,DRAM大廠華亞科和南亞科第四季營收恐不如預(yù)期。 繼臺積電前天無預(yù)警下修第四季財測,市場消息傳出,全球DRAM市占率達(dá)四成的三星,將DRAM模組價格從21美元降至16.8美元,換算每顆粒DRAM價格僅剩1.8美元。 8月三星還力守DDR3 4GB主流模組價格在21美元左右,并將部分PC DRAM產(chǎn)能轉(zhuǎn)進(jìn)高階智慧型手機(jī)使用的LP DDR4。 隨今年以來DRAM價格持續(xù)走低,市場需
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DRAM報價 傳出三星調(diào)降20%
- 全球DRAM大廠三星昨天傳出下調(diào)DRAM報價,調(diào)降幅度20%。此舉預(yù)告DRAM產(chǎn)業(yè)將在第四季出現(xiàn)一波修正期,國內(nèi)DRAM大廠華亞科和南亞科第四季營收恐不如預(yù)期。 繼臺積電前天無預(yù)警下修第四季財測,市場消息傳出,全球DRAM市占率達(dá)四成的三星,將DRAM模組價格從21美元降至16.8美元,換算每顆粒DRAM價格僅剩1.8美元。 8月三星還力守DDR3 4GB主流模組價格在21美元左右,并將部分PC DRAM產(chǎn)能轉(zhuǎn)進(jìn)高階智慧型手機(jī)使用的LP DDR4。 隨今年以來DRAM價格持續(xù)走低,市
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PROM、EEPROM、FLASH、SRAM、DRAM等存儲器比較
- PROM、EEPROM、FLASH的總結(jié)性區(qū)別 EPROM、EEPROM、FLASH 都是基于一種浮柵管單元(Floating gate transister)的結(jié)構(gòu)。EPROM的浮柵處于絕緣的二氧化硅層中,充入的電子只能用紫外線的能量來激出。EEPROM的單元是由FLOTOX(Floating- gate tuneling oxide transister)及一個附加的Transister組成,由于FLOTOX的特性及兩管結(jié)構(gòu),所以可以單元讀/寫。技術(shù)上,F(xiàn)LASH是結(jié)合EPROM和EEPRO
- 關(guān)鍵字: SRAM DRAM
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