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2011年NAND閃存密度將增長40%以上

  •   據(jù)IHS iSuppli公司的NAND閃存研究報告,盡管NAND閃存成本較高妨礙其進入游戲硬件,但2011年家庭游戲機與手持游戲機中的NAND密度將增長40%以上。   
  • 關鍵字: 索尼  NAND  

三星電子韓國新NAND廠預計9月投產

  •   三星電子一家新的存儲半導體制造廠將于9月投入運營。消息人士說,新廠編號為“Line-16”,主要生產NAND芯片。   2010年5月時,三星在韓國京畿道(Gyeonggi Province)華城(Hwaseong)破土動工,建立新的工廠。此前三星曾透露說,Line-16工廠月產20萬片12寸圓晶。
  • 關鍵字: 三星  NAND  

東芝和SanDisk日本建第3個NAND半導體工廠

  •   日前東芝和SanDisk在日本建立了第三家半導體工廠,以應對智能手機和平板電腦的快速發(fā)展而帶來的對閃存芯片的大量需求。該工廠主要生產300毫米晶片NAND半導體,工廠名稱為“Fab 5”。
  • 關鍵字: 東芝  NAND  

東芝與Sandisk共慶NAND閃存工廠Fab5正式投產

  •   東芝株式會社 與Sandisk公司日前共同慶祝位于日本三重縣四日市東芝生產基地的第三家300mm晶圓NAND生產工廠Fab 5正式投產。
  • 關鍵字: 東芝  NAND  

基于FPGA的NAND Flash ECC校驗

  • 摘要 基于Flash存儲器的Hamming編碼原理,在Altera QuartusⅡ7.0開發(fā)環(huán)境下,實現(xiàn)ECC校驗功能。測試結果表明,該程序可實現(xiàn)每256 Byte數(shù)據(jù)生成3 Byte的ECC校驗數(shù)據(jù),能夠檢測出1 bit錯誤和2 bit錯誤,對于1 bit錯誤
  • 關鍵字: Flash  FPGA  NAND  ECC    

蘋果三星風波引發(fā)四大半導體廠商主演四角戀大戲

  •   最近舉辦的Semicon West2011半導體業(yè)界大會上,三星與蘋果之間的知識產權爭端事件顯然會是一個有趣的話題。目前,三星正準備于8月份開始量產蘋果手機/平板電腦用 A5 SoC芯片。而且他們最近花費36億美元對奧斯汀芯片廠進行了升級,使其產能能夠在NAND或邏輯芯片產品之間自由切換,不過三星顯然希望能夠在保住蘋果 芯片訂單的前提下繼續(xù)拓展自己的代工業(yè)務。
  • 關鍵字: 三星  NAND  

東芝縮小與三星在NAND閃存差距

  •   據(jù)IHS iSuppli公司的研究,東芝在2011年第一季度NAND閃存市場大有要超過三星之兆,這兩家廠商的市場份額差距從2010年第四季度的1.1個百分點縮小到只有0.3個百分點。長期以來,三星一直是最大的NAND閃存廠商?! ?/li>
  • 關鍵字: 東芝  NAND  

第一季度NAND閃存領域競爭加劇

  •   據(jù)IHS iSuppli公司的研究,2011年第一季度NAND閃存領域爭奪頭號排名的競爭加劇,排名第二的東芝接近與三星電子平起平坐。長期以來,三星一直是最大的NAND閃存廠商?!?/li>
  • 關鍵字: NAND  閃存  

Q2平板出貨恐拖累NAND Flash價格走勢

  •   根據(jù)集邦科技(Trendforce)旗下研究部門DRAMeXchange表示,截自六月十六日6:00pm為止,由于大部分買方與賣方就六月上旬NAND Flash合約價格的談判尚未告一段落,因此六月份NAND Flash合約價將等到各家廠商價格談定后DRAMeXchange才會公布。
  • 關鍵字: 平板電腦  NAND  

Mobile RAM防線恐失守

  •   行動裝置風潮崛起使得PC DRAM需求式微,自2011年起包括Mobile RAM、服務器DRAM等,儼然已成為DRAM廠最佳避風港,然在各家存儲器大廠一窩蜂搶進下,Mobile RAM已率先發(fā)難,出現(xiàn)供過于求警訊,日廠爾必達(Elpida)傳出原本爆滿的Mobile RAM產能將轉回作PC DRAM,加上近日PC DRAM價格再度崩跌至瀕臨1.5美元保衛(wèi)戰(zhàn),DRAM廠12寸廠產能陷入苦尋不到避風港困境。   存儲器業(yè)者表示,PC市場成長趨緩是 DRAM產業(yè)致命傷,而平板計算機崛起讓每臺系統(tǒng)DRAM
  • 關鍵字: DRAM  NAND  

Hynix成功開發(fā)出20nm制程64Gbit密度MLC NAND閃存芯片

  •   Hynix半導體公司在近日舉辦的2011VLSI研討上宣布成功研發(fā)出了20nm制程64Gbit 多位元型(MLC)NAND閃存芯片,Hynix稱這款產品是業(yè)內首款基于20nm制程的大容量MLC NAND閃存芯片。   
  • 關鍵字: Hynix  NAND  

海力士半導體放緩NAND Flash工藝轉換速度

  •   南韓半導體大廠海力士半導體(Hynix)主要NAND Flash產品群,近期將從原本的30納米制程轉換至20納米級制程。海力士目前整體NAND Flash產量,以26納米制程產品比重逾50%為最大。   海力士相關人員表示,26納米制程NAND Flash比重至2011年3月底約為40%,6月已超越50%,月底可望提升到50%中段。26納米制程產品將逐漸取代32納米制程產品,成為海力士主力產品。   NAND Flash為非揮發(fā)性內存芯片,即使中斷供電也能儲存信息,是智能型手機、平板計算機等行動裝
  • 關鍵字: 海力士  NAND  

臺DRAM產業(yè)集成是唯一之道

  •   存儲器模塊廠金士頓(Kingston)不畏存儲器景氣波動,2010年全球獨立DRAM模塊廠市占率首度突破50%大關,NAND Flash市場布局也成功跨足固態(tài)硬盤(SSD)市場,面對臺灣上游DRAM廠仍處于生存困境的當下,金士頓創(chuàng)辦人之一的杜紀川表示,認同孫大衛(wèi)認為臺灣 DRAM產業(yè)要集成才有活路的策略,唯有計畫性地將各方力量做結合,才能讓臺灣DRAM廠免受全球經濟、市場波動沖擊。 
  • 關鍵字: NAND  DRAM  

需求趨緩致NAND閃存芯片價格下降

  •   由于蘋果等大型企業(yè)的需求不夠強勁,導致5月的NAND閃存芯片合約價格“快速”降低。   今年5月的NAND芯片價格的降幅已經超過15%,現(xiàn)貨市場的降幅則在20%左右。蘋果仍是NAND閃存芯片的最大買家,但需求提升不像往年的第二季度那么強勁。  
  • 關鍵字: ipad  NAND  

終端需求疲軟 NAND Flash合約價大跌

  •   第2季NAND Flash終端需求太差,新出爐合約報價大跌超過10%,內存模塊廠表示,合計整個5月現(xiàn)貨報價跌幅達20%,合約價合計跌幅也超過15%,反映終端需求確實需要新刺激,目前市場是底部已臨,靜待反彈階段;展望第3季,市場認同威剛董事長陳立白的基調,預期第3季仍會比第2季好一些,但市場不至于會有缺貨或價格飆漲的情況發(fā)生。
  • 關鍵字: 三星  NAND Flash  
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