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力晶將繼續(xù)擴(kuò)大NAND Flash產(chǎn)能

  • 　　力晶在2012年起將會大幅降低標(biāo)準(zhǔn)型DRAM投片量，以最低的產(chǎn)能維持DRAM的技術(shù)發(fā)展，并于明年起全數(shù)轉(zhuǎn)入30nm 4Gb生產(chǎn)，而空出的產(chǎn)能將會以NAND FLASH填補(bǔ)，后續(xù)技術(shù)發(fā)展的重點(diǎn)也轉(zhuǎn)移到NAND 2Xnm的制程微縮。放遠(yuǎn)未來，力晶仍會保留DRAM技術(shù)，待3D-IC以及TSV的技術(shù)成熟時，將會以記憶體為中心做芯片組的整合，力圖成為大中華地區(qū)各技術(shù)領(lǐng)域最完整之晶圓廠。 　　隨著力晶正式宣布將產(chǎn)能逐步擴(kuò)大至Flash產(chǎn)品上，加上原先代工如LCD Driver及非標(biāo)準(zhǔn)型DRAM產(chǎn)品，希望明年標(biāo)準(zhǔn)
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回補(bǔ)庫存下滑 NAND Flash合約價格持續(xù)走低

  • 　　根據(jù)集邦科技(TrendForce)旗下研究機(jī)構(gòu)DRAMeXchange調(diào)查，因?yàn)殡S身碟與記憶卡市場銷售依舊此未見起色，而高容量產(chǎn)品也因?yàn)橹悄苄褪謾C(jī)與平板計算機(jī)銷售不如預(yù)期而下滑，終端產(chǎn)品銷售不佳導(dǎo)致供貨商回補(bǔ)庫存力道疲弱，連帶影響合約價格面臨下滑的壓力，10月下旬NAND Flash合約價將再下跌約4-8%。 　　展望NAND Flash后市，集邦科技認(rèn)為，雖然泰國水患造成的HDD缺貨效應(yīng)使得SSD產(chǎn)品詢問度頓時增加，但SSD仍存在著與HHD價差大及SSD機(jī)種認(rèn)證程序尚需2-3個月等問題，因此，預(yù)
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9月上旬NAND Flash合約價出現(xiàn)穩(wěn)定格局

  • 　　根據(jù)集邦科技(TrendForce)旗下研究部門DRAMeXchange的調(diào)查，隨著部份系統(tǒng)產(chǎn)品客戶自9月起，已開始準(zhǔn)備4Q11新機(jī)型上市所需的庫存回補(bǔ)所需。9月上旬主流的MLC NAND Flash合約價大致維持平盤，雖然記憶卡及UFD通路市場的需求仍然相對平淡，但也已呈現(xiàn)止跌回穩(wěn)的狀況。
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ultrabook帶來新契機(jī) NAND Flash需求9月或回溫

  • 　　根據(jù)集邦科技(TrendForce)旗下研究部門 DRAMeXchange 的調(diào)查，市場預(yù)期 NAND Flash 部份系統(tǒng)產(chǎn)品客戶為因應(yīng)新產(chǎn)品上市庫存回補(bǔ)需求，9月份可望逐漸開始回溫。因此，8月下旬 NAND Flash 合約價格出大多呈現(xiàn)持平，但記憶卡及U盤(UFD)通路市場的需求仍然相對疲軟，所以128Gb TLC合約均價格仍然下跌5%。此外，部份供貨商已將部份32Gb MLC的產(chǎn)量轉(zhuǎn)為生產(chǎn)64Gb MLC，故32Gb MLC在市場供給減少下合約均價小漲約3%。
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第二季度NAND閃存銷售額下降4.3%

  • 　　據(jù)IHS iSuppli公司的閃存市場報告，由于一家大型廠商的銷售額下降，第二季度NAND閃存市場意外下滑。 　　根據(jù)最終數(shù)據(jù)，第二季度全球NAND銷售額為47億美元，比第一季度的49億美元下降4.3%。該市場降幅大于預(yù)期，主要是因?yàn)闁|芝第二季度銷售額銳減了21.4%至14億美元。東芝是全球第二大NAND生產(chǎn)商，僅次于韓國三星電子。
  • 關(guān)鍵字： IHS iSuppli  NAND  

第二季度NAND閃存銷售額下降4.3%

  • 　　據(jù)IHS iSuppli公司的閃存市場報告，由于一家大型廠商的銷售額下降，第二季度NAND閃存市場意外下滑。 　　根據(jù)最終數(shù)據(jù)，第二季度全球NAND銷售額為47億美元，比第一季度的49億美元下降4.3%。該市場降幅大于預(yù)期，主要是因?yàn)闁|芝第二季度銷售額銳減了21.4%至14億美元。東芝是全球第二大NAND生產(chǎn)商，僅次于韓國三星電子。東芝銷售額大幅下降，拖累了整體市場，如表1所示。 　
  • 關(guān)鍵字： 三星  NAND  

出貨不如預(yù)期 閃存芯片價格小幅下跌

  • 　　受到諸多全球總體經(jīng)濟(jì)復(fù)蘇的不確定變數(shù)干擾，2011部份的NAND Flash終端應(yīng)用產(chǎn)品出貨量將不如預(yù)期，及3Q11受過剩庫存去化影響而使傳統(tǒng)備貨旺季效應(yīng)遞延等因素的綜合影響下，8月上旬NANDFlash芯片市場買氣依然疲弱，但某些系統(tǒng)客戶的OEM訂單需求相對于記憶卡及UFD通路市場需求仍相對地穩(wěn)定，因此，MLCNAND Flash芯片合約均價小跌約1-2%，而TLCNAND Flash芯片合約均價則下跌約4-7%。 　
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下一代光刻技術(shù)延遲 NAND成長或趨緩

  • 　　在日前的一場閃存高峰會中，SanDisk公司的技術(shù)長Yoram Cedar指出，下一代光刻技術(shù)的延遲，將導(dǎo)致NAND閃存的成長趨緩。市場原先對閃存的展望都相當(dāng)樂觀，但Cedar表示，由于超紫外光(EUV)光刻技術(shù)的延遲，閃存的成長可能需要再評估。 　
  • 關(guān)鍵字： SanDisk  NAND  

東芝芯片業(yè)務(wù)業(yè)績可能達(dá)不到預(yù)期

  • 　　全球第二大閃存制造商東芝公司(Toshiba Corp)周三警告說，由于PC市場不景氣，美國和歐洲等經(jīng)濟(jì)體持續(xù)動蕩以及日元強(qiáng)勢等原因，該公司芯片業(yè)務(wù)的利潤可能達(dá)不到預(yù)期。
  • 關(guān)鍵字： 東芝  芯片  NAND  

NAND Flash合約價續(xù)跌

  • 　　據(jù)韓國電子新聞報導(dǎo)，計算機(jī)用DRAM芯片價格快速下跌，NAND Flash合約價也從6月起出現(xiàn)陡峭跌幅，2個月內(nèi)出現(xiàn)2011年來最低價2美元紀(jì)錄。下半年則因智能型手機(jī)(Smartphone)與平板計算機(jī) (Tablet PC)新品陸續(xù)問世，可望帶動NAND Flash價格回升。
  • 關(guān)鍵字： NAND  DRAM芯片  

存儲器產(chǎn)業(yè)群雄割據(jù)時代將再度來臨

  • 　　隨著存儲器容量越來越大，NANDFlash產(chǎn)業(yè)制程在進(jìn)入20納米制程后，也開始遇到瓶頸，業(yè)界在未來制作更大容量存儲器上，面臨是否繼續(xù)發(fā)展納米的抉擇。日本方面盡管在微縮的技術(shù)上些微領(lǐng)先最大競爭對手公司韓國三星電子(SamsungElectronics)，但短期內(nèi)該技術(shù)也將可能面臨瓶頸，因此如東芝(Toshiba)及爾必達(dá)(Elpida)等公司，均已決定投入3D存儲器的開發(fā)。
  • 關(guān)鍵字： 三星  存儲器  NAND  

納米制程遇瓶頸 業(yè)者紛紛投入3D存儲器的開發(fā)

  • 　　隨著存儲器容量越來越大，NAND Flash產(chǎn)業(yè)制程在進(jìn)入20納米制程后，也開始遇到瓶頸，業(yè)界在未來制作更大容量存儲器上，面臨是否繼續(xù)發(fā)展納米的抉擇。日本方面盡管在微縮的技術(shù)上些微領(lǐng)先最大競爭對手公司韓國三星電子(Samsung Electronics)，但短期內(nèi)該技術(shù)也將可能面臨瓶頸，因此如東芝(Toshiba)及爾必達(dá)(Elpida)等公司，均已決定投入3D存儲器的開發(fā)。 　
  • 關(guān)鍵字： 爾必達(dá)  NAND  

今年游戲主機(jī)NAND flash內(nèi)存密度提高40%

  • 　　內(nèi)存的成本高昂，今年 NAND 在家庭主機(jī)和手持設(shè)備上的密集度仍將提高 40% 以上，而這是游戲最主要的游戲環(huán)境。 　　今年家用游戲主機(jī)的 NAND 平均密度預(yù)計達(dá) 923MB，較去年的 649MB 提高 42.2%。今年手持游戲設(shè)備的 NAND 平均密度則預(yù)計自去年的 87MB 增長 41.4%，達(dá) 123MB。 　　
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LSI推出CacheVault Flash高速緩存保護(hù)技術(shù)

  • 　　LSI公司日前宣布推出一款 MegaRAID CacheVault技術(shù)，用于為 LSI MegaRAID 6Gb/s SATA+SAS RAID 控制卡提供基于閃存的高速緩存保護(hù)功能。MegaRAID CacheVault 采用固態(tài) NAND 閃存，能夠在電源發(fā)生故障的時候自動將高速緩存中的數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)移到閃存中，從而為存儲在 RAID 控制器緩存中的數(shù)據(jù)提供強(qiáng)大的保護(hù)。CacheVault 技術(shù)避免了采用鋰離子電池的麻煩，并可節(jié)約相關(guān)的硬件維護(hù)成本，從而實(shí)現(xiàn)更環(huán)保、總體成本更低的高速緩存保護(hù)解決方案。
  • 關(guān)鍵字： LSI  NAND  
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