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EEPW首頁 >> 主題列表 >> qlc nand

內(nèi)容與模式體現(xiàn)消費電子差異性

  • 　　SD(安全數(shù)碼卡)目前是我們的主要應用產(chǎn)品市場之一。由于有新的標準和產(chǎn)品出現(xiàn)，MMC(多媒體卡)逐漸走向嵌入式應用。SD/MMC目前占我們營收比重仍是最大的，約在30%左右，其實這部分業(yè)務(wù)在2008年是下滑的，而新業(yè)務(wù)帶來的收入在增長，2008年慧榮的出貨量增長了35%左右。我們在全球NAND型控制芯片市場占有很大的比重，但由于價格的下降，我們的銷售額與2007年持平。 　　總的來說，慧榮擁有3大產(chǎn)品線：移動存儲、多媒體單芯片及移動通信。移動存儲產(chǎn)品提供管理閃存的控制芯片，應用范圍包括閃存卡、U盤、
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東芝整頓虧損的芯片業(yè)務(wù) 將關(guān)閉部分生產(chǎn)線

  • 　　據(jù)日本經(jīng)濟新聞報道，東芝表示將關(guān)閉部份芯片生產(chǎn)部門，取消近期宣布的分拆決定，以整頓虧損累累的芯片業(yè)務(wù)。 　　報導指出，東芝計劃關(guān)掉Kitakyushu廠兩條生產(chǎn)線，而巖手縣Toshiba Electronics Co部門6寸晶圓產(chǎn)能則將腰斬。 　　據(jù)報載，公司將裁減生產(chǎn)線的臨時雇員，部份全職員工將改派至芯片部門以外的業(yè)務(wù)單位。 　　東芝預估，廢棄生產(chǎn)設(shè)備及采取相關(guān)措施所耗費的重整費用將達300億日元(約合3億美元)。東芝打算減少6寸或更小尺寸晶圓三成的產(chǎn)量。 　　公司意圖透過整頓虧損連連的芯片
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龔翊出任恒憶亞洲區(qū)嵌入式業(yè)務(wù)部副總裁

  • 　　全球非易失性存儲領(lǐng)先廠商恒憶(Numonyx)宣布任命龔翊(Grace Gong)為恒憶亞洲區(qū)嵌入式業(yè)務(wù)部副總裁。在加入恒憶前龔翊任飛索半導體(Spansion)嵌入式事業(yè)部亞洲區(qū)副總裁，龔翊的加入將為恒憶帶來更多針對亞洲嵌入式市場的經(jīng)驗。作為副總裁，她將負責恒憶亞洲區(qū)嵌入式產(chǎn)品的銷售與業(yè)務(wù)管理，帶領(lǐng)團隊為亞洲客戶和合作伙伴提供更完善的服務(wù)與支持。 　　“亞洲在全球嵌入式產(chǎn)品市場具有重要的戰(zhàn)略地位，恒憶致力于提供相關(guān)產(chǎn)品與技術(shù)支持，以滿足嵌入式市場的需求”，恒憶全球嵌入式業(yè)務(wù)
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三星與SanDisk續(xù)簽7年NAND專利許可協(xié)議

  • 　　據(jù)國外媒體報道，三星電子周三宣布，以更低的許可價格，與美國芯片生產(chǎn)商SanDisk續(xù)簽了7年的NAND閃存技術(shù)許可協(xié)議，不過協(xié)議規(guī)定三星必須向SanDisk供應芯片。 　　三星在提交給韓國證交所的文件中稱，由于協(xié)議是2家公司內(nèi)部簽署的，無法透露所有信息，但可以透露的是，許可費將是當前協(xié)議的1半左右。SanDisk公司董事長和CEO埃里·哈拉利(Eli Harari)表示，對于今天宣布的協(xié)議我們感到非常滿意，此外，繼續(xù)獲得三星閃存芯片可使我們在控制資本支出上擁有更大的靈活性。 　　新協(xié)
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Unity可能與IM Flash合作制造RRAM

  • 　　近期剛宣布將在2010年制成64Gbit非易失電阻式RAM的美國Unity Semiconductor公司計劃找一家IDM合作建廠來制造該產(chǎn)品。 　　Intel和Micron的NAND閃存合資公司——IM Flash是潛在合作伙伴之一，盡管Unity更傾向于將工廠建在亞洲，因為該存儲產(chǎn)品需用到鈣鈦礦。 　　據(jù)悉，建該工廠和一座先進邏輯晶圓廠相比要便宜一些。IM Flash顯然是一家理想的合作伙伴。Unity公司總裁兼CEO Darrel Rinerson在Micron度過了
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NAND Flash買氣急凍　通路庫存塞車

  • 　　NAND Flash經(jīng)歷2個月價格狂飆后，近期市場買氣一夕轉(zhuǎn)淡，記憶體模組廠紛因庫存急增，開始出現(xiàn)驚慌失措。模組廠表示，3、4月NAND Flash漲價時，通路商一度擔心會缺貨，因而囤積不少庫存，然5月NAND Flash市場卻出乎意外地很快冷卻下來，由于消費者需求不振，導致中間通路商手上庫存整個塞住，并造成16Gb產(chǎn)品現(xiàn)貨價跌破4美元心理關(guān)卡，合約價漲勢亦熄火，模組廠5月同時面臨NAND Flash和DRAM需求不振，恐將反應在營收表現(xiàn)上。 　　模組廠表示，2009年第1季NAND Flash市場
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美硅谷公司開發(fā)出數(shù)據(jù)存儲新技術(shù) 有望取代NAND閃存

  • 　　美國硅谷一家公司19日宣布開發(fā)出一種新技術(shù)，并計劃利用它來制造比閃存容量更大、讀寫速度更快的新型存儲器。 　　這家名為“統(tǒng)一半導體”的公司發(fā)布新聞公報說，新型存儲器的單位存儲密度有望達到現(xiàn)有NAND型閃存芯片的4倍，存儲數(shù)據(jù)的速度有可能達到后者的5倍到10倍。 　　NAND型閃存因為存儲容量大等特點，目前在數(shù)碼產(chǎn)品中應用比較廣泛。但也有一些專家認為，NAND型閃存未來可能遭遇物理極限，容量將無法再進一步提高。“統(tǒng)一半導體”表示，其制造的新型存儲器旨在
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三星預計今年全球芯片商仍將艱難度日

  • 　　全球最大的存儲芯片制造商--韓國三星電子公司11日預計，由于全球經(jīng)濟形勢惡化，2009年對于芯片商而言是艱難的一年。 　　據(jù)道瓊斯新聞網(wǎng)報道，三星電子公司半導體業(yè)務(wù)總裁權(quán)五鉉當天對投資者說，很難預測全球芯片市場何時回暖。他說，隨著企業(yè)壓縮信息技術(shù)產(chǎn)品開支以及消費者收緊“腰包”，今年以來全球個人電腦和手機市場需求正在持續(xù)萎縮。 　　不過，他指出，今年三星公司的存儲芯片出貨量仍將繼續(xù)增加，預計今年該公司DRAM芯片的出貨量最高將增加15%，NAND閃存芯片出貨量最高將增加30%
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恒憶聯(lián)合群聯(lián)電子海力士開發(fā)閃存控制器

  • 　　恒憶半導體(Numonyx)、群聯(lián)電子(Phison Electronics Corp.)和海力士(Hynix)今天宣布三家公司簽署一份合作開發(fā)協(xié)議，三方將按照JEDEC新發(fā)布的JEDEC eMMC™ 4.4產(chǎn)業(yè)標準，為下一代managed-NAND解決方案開發(fā)閃存控制器。 預計此項合作將加快當前業(yè)內(nèi)最先進的eMMC標準的推廣，有助于管理和簡化大容量存儲需求，提高無線設(shè)備和嵌入式應用的整個系統(tǒng)級性能。 　　根據(jù)這項協(xié)議，恒憶、群聯(lián)電子和海力士將利用各自的技術(shù)，開發(fā)能夠支持各種NAND閃存
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內(nèi)存行業(yè)或已觸底 現(xiàn)貨漲價但復蘇道路漫長

  • 　　《華爾街日報》撰文稱，從上周末三星和海力士發(fā)布的財報可以看出，內(nèi)存芯片行業(yè)似乎已經(jīng)觸底，這對整個半導體行業(yè)來說是一個積極的信號。 　　雖然內(nèi)存芯片行業(yè)收入只占全球半導體行業(yè)2600億美元總收入的14%，但作為使用廣泛的芯片，其地位類似芯片行業(yè)中的日用商品，很難與其他芯片部門區(qū)分開來，因此是芯片行業(yè)整體表現(xiàn)的主要指標。內(nèi)存行業(yè)下滑開始于2007年初，隨后芯片行業(yè)在2008年就開始了全面衰退。 　　上周五，兩家全球最大的內(nèi)存芯片商三星電子和海力士都在發(fā)布第一季度報告時稱，與芯片有關(guān)的虧損低于上年同期。
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iSuppli：存儲芯片市場恢復盈利還為時過早

  • 　　在面臨破產(chǎn)威脅之際，許多內(nèi)存供應商為了維護自己的形象，紛紛強調(diào)潛在的市場復蘇，試圖向外界描繪出一幅比較樂觀的圖景。但是，雖然預計總體內(nèi)存芯片價格將在2009年剩余時間內(nèi)趨于穩(wěn)定，但iSuppli公司認為，這些廠商不會在近期真正恢復需求與獲利能力。 繼 　　在面臨破產(chǎn)威脅之際，許多內(nèi)存供應商為了維護自己的形象，紛紛強調(diào)潛在的市場復蘇，試圖向外界描繪出一幅比較樂觀的圖景。但是，雖然預計總體內(nèi)存芯片價格將在2009年剩余時間內(nèi)趨于穩(wěn)定，但iSuppli公司認為，這些廠商不會在近期真正恢復需求與獲利能力。
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TDK推出兼容串行ATA II的GBDriver RS2系列NAND閃存控制器

  • 　　TDK公司日前宣布開發(fā)出兼容串行ATA (SATA) II的NAND閃存控制器芯片GBDriver RS2 系列，并計劃于五月份開始銷售。 　　TDK新型GBDriver RS2是一款高速SATA控制器芯片，支持有效速率達95MB/S的高速訪問。該產(chǎn)品支持2KB/頁和4KB/頁結(jié)構(gòu)的SLC(單層單元)內(nèi)存以及MLC(多層單元)NAND閃存，可用于制造容量為128MB至64GB的高速SATA存儲。因而，GBDriver RS2可廣泛用于各種應用領(lǐng)域，從SATADOM1及其他的嵌入式存儲器，到視聽設(shè)
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內(nèi)存晴雨表：聲稱內(nèi)存市場復蘇的報告過于夸張

  • 　　在面臨破產(chǎn)威脅之際，許多內(nèi)存供應商為了維護自己的形象，紛紛強調(diào)潛在的市場復蘇，試圖向外界描繪出一幅比較樂觀的圖景。但是，雖然預計總體內(nèi)存芯片價格將在2009年剩余時間內(nèi)趨于穩(wěn)定，但iSuppli公司認為，這些廠商不會在近期真正恢復需求與獲利能力。 　　繼第一季度全球DRAM與NAND閃存營業(yè)收入比去年第四季度下降14.3%之后，這些產(chǎn)品市場將在今年剩余時間內(nèi)增長。第二季度DRAM與NAND閃存營業(yè)收入合計將增長3.6%，第三和第四季度分別增長21.9%和17.5%。 　　圖4所示為iSuppli公
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集邦：海力士大幅減產(chǎn)NAND 將由第三位滑落至第五位

  • 　　針對NAND閃存產(chǎn)業(yè)，研究機構(gòu)集邦科技最新研究報告指出，三星可望穩(wěn)居今年全球市占率龍頭寶座，而海力士則因大幅減產(chǎn)，市場占有率恐將下滑剩下10%，落居第5名。 　　集邦科技根據(jù)各NAND Flash供貨商目前的制程技術(shù)、產(chǎn)能、營運狀況分析指出，三星因擁有較大產(chǎn)能，同時制程持續(xù)轉(zhuǎn)往42納米及3x納米，預期今年市占率 40%以上居冠，日本東芝與美商SanDisk聯(lián)盟的產(chǎn)能利用率略降，但制程技術(shù)也將轉(zhuǎn)往 43納米及32納米，預期東芝今年的市場占有率約在30%以上居次。 　　集邦科技表示，市場占有率第三和第
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三星和海力士獲得蘋果7000萬NAND大單

  • 　　4月15日消息 據(jù)韓國媒體報道 蘋果最近向韓國三星電子與海力士兩家公司下單，要求供應7000萬顆NAND型閃存芯片，用于生產(chǎn)iPhone和iPod。此次訂單較去年大漲了八成，引發(fā)蘋果可能推出新一代iPhone的聯(lián)想 　　韓國時報指出，有可靠的消息來源透露“三星電子被要求供應5000萬顆8Gb的NAND型閃存芯片給蘋果，而海力士也將供應2000萬顆。” 　　部分分析師認為，蘋果這次大規(guī)模訂單，將刺激韓國芯片廠商業(yè)績，同時，也有助于全球芯片產(chǎn)業(yè)早日復蘇。 　　分析師還指出，N
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