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英特爾、美光NAND Flash殺價大反攻　三星買氣清淡

  • 　　隨著英特爾(Intel)和美光(Micron)所合資成立IM Flash搶頭香推出34納米制程NAND Flash產(chǎn)品，應戰(zhàn)三星電子(Samsung Electronics)42納米制程，不但制程技術(shù)領(lǐng)先，近期英特爾和美光在價格策略上，更是上演絕地大反攻計畫，以超低價策略搶食三星地盤。下游廠商透露，近期英特爾和美光32Gb芯片價格硬是比其它品牌便宜1美元，相較于三星更是便宜將近3美元，價差相當驚人，而此策略亦讓英特爾陣營近期NAND Flash產(chǎn)品詢問度大增，三星在現(xiàn)貨市場活絡度則降低。 　　英特爾
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三星電子增加下半年在半導體業(yè)務投資

  • 　　電子行業(yè)報紙ETnews周五報導稱，預計韓國三星電子下半年在一個半導體生產(chǎn)設施上投資至少1萬億韓元(合7.9億美元)。 　　該報未指明消息來源稱，三星下半年在芯片業(yè)務方面的資本支出料為8,000億韓元左右。 　　三星半導體事業(yè)群總裁勸五鉉周四在一次業(yè)內(nèi)活動上稱，三星預計下半年投資“略高于”上半年。 　　該公司多次拒絕透露今年的資本投資計劃規(guī)模，或是迄今的已投資額。 　　ETnews報稱，芯片業(yè)務下半年的投資將側(cè)重于引進更先進的生產(chǎn)技術(shù)，比如采用40納米制程生產(chǎn)DRAM和
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NAND閃存價格波動 破壞SSD市場普及性

  • 　　周一消息 研究機構(gòu)iSuppli指出，NAND閃存價格大幅波動的現(xiàn)象，大幅削弱了之前對2009年固態(tài)硬盤(SSD)在筆記本電腦市場普及的預期。 　　iSuppli專研行動和新興內(nèi)存的資深分析師Michael Yang表示，近期NAND閃存價格上漲，對閃存供貨商來說來說是好事，但卻為SSD在筆記本電腦的普及帶來阻礙。因為SSD的價格約有90%由NAND閃存決定。所以當NAND閃存價格上漲，SSD在個人和企業(yè)市場的銷量就會減緩。 　　多層單元(MLC)規(guī)格16GB的NAND閃存，其平均價格大幅上漲12
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英特爾美光及三星開始NAND縮微大賽

  • 　　全球NAND閃存的尺寸縮小競賽再次打響。無論英特爾與美光的聯(lián)合體,IMFlash,三星及東芝都欲爭得NAND縮小的領(lǐng)導地位而互相較勁。但是實際上在目前存儲器下降周期時尺寸縮小競賽并無實際的意義。 　　按分析師報告,IMFlash正討論2x nm,而三星己悄悄地作出3xnm樣品及美光計劃利用每單元3位技術(shù)于今年第四季度開始量產(chǎn)。 　　在DRAM領(lǐng)域,三星一直是技術(shù)領(lǐng)導者,目前已作出46nm DRAM樣品。 　　究竟誰是NAND尺寸縮小的領(lǐng)導者,據(jù)今年早些時候報道,東芝與新帝合資公司己走在前列,尺寸
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全球DRAM及NAND零售價推動毛利率上升

  • 　　市調(diào)機構(gòu)InSpectrum認為,盡管降低報價但是仍很難促進存儲器的銷售,本周6月22-26日期間,無論DRAM或者是NAND的零售價繼續(xù)因市場需求疲軟而下降。 　　原因是目前正是傳統(tǒng)的淡季,所以存儲器模塊的銷售仍很弱,但己看到DRAM的零售價開始利潤有所好轉(zhuǎn)。 　　由于供應商擔心是持久力問題,加上英特爾美光聯(lián)盟推出34納米芯片,貿(mào)易中間商為了促銷給出更大的折扣,導致同樣在零售市場也看到與DRAM相似情況，近期DRAM合同價格趨勢在零售價基礎上有點小的波動。雖然6月下半月無論DDR2及DDR3的價
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Micron量產(chǎn)34nm NAND閃存芯片

  • 　　Micron Technology近日宣布采用34nm工藝技術(shù)的NAND閃存芯片實現(xiàn)量產(chǎn)。Micron還稱其子公司Lexar Media將推出34nm閃存卡和USB閃盤。 　　Micron和其伙伴Intel近期宣布通過合資公司IM Flash推出34nm芯片。Micron目前正在為2x nm技術(shù)做準備，計劃于第四季度推出樣品。
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09年固態(tài)硬盤市場份額不會大提升

  • 　　雖然固態(tài)硬盤迅速成為了各大媒體主要的宣傳內(nèi)容,但是由于價格過高的原因今年固態(tài)硬盤的市場份額將不會太高.根據(jù)DRAMeXchange的最新調(diào)查報告表明,固態(tài)硬盤在標準筆記本電腦的市場份額2009年將維持在1%-1.5%,同時由于眾多廠商在主流存儲設備上依然選擇的是機械式硬盤,因此在低端PC上的市場份額將不到10%,這里應該主要指的是上網(wǎng)本產(chǎn)品. 　　較高的價格明顯妨礙了固態(tài)硬盤向更深市場的侵入,根據(jù)市場調(diào)研公司的分析,考慮到16Gb和32Gb內(nèi)存芯片的價格走勢,SSD產(chǎn)品的市場接受度將會下降. 　　
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Intel兩周內(nèi)發(fā)布基于34納米NAND固態(tài)硬盤

  • 　　近來謠言越來越厲，市場盛傳英特爾將于未來2周里發(fā)布基于34納米制程NAND芯片的固態(tài)硬盤。之前有報道稱英特爾Chipzilla芯片實驗室將于去年Q4發(fā)布新34納米閃存，不過時間表早已大大推后。固態(tài)硬盤出現(xiàn)的時間不久，其成本高，容量有限，有時候人們甚至懷疑其可靠性。如果新的34納米制程NAND閃存推出，固態(tài)硬盤的價格將大大降低，容量也將達到320GB左右。 　　固態(tài)硬盤的存儲單元分為MLC(Multi-Level Cell，多層單元)和SLC(Single Layer Cell，單層單元)兩種。MLC
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利潤驚人 iPhone 3GS成本僅179美元

  • 　　雖然蘋果iPhone有著驚人的利潤已經(jīng)是婦孺皆知的事情，但新款iPhone 3GS的成本究竟是多少還是引起了不少人的好奇。日前，以經(jīng)常拆卸廣受歡迎的消費電子產(chǎn)品而聞名的iSuppli，通過初步拆解和分析首次向大家披露了iPhone3GS的關(guān)鍵部件的供應商及評估產(chǎn)品成本。據(jù)悉，第三代蘋果手機iPhone3GS的成本為178.96美元，比iPhone 3G增加了4.63美元。但仍低于第一代iPhone220美元的成本估價。   　　通常而言，最新一代產(chǎn)品的成本要低于上一代，尤其對于iPh
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恒憶與三星電子共同合作開發(fā) PCM

  • 　　恒憶 (Numonyx) 與三星電子 (Samsung Electronics Co., Ltd) 宣布將共同開發(fā)制定相變存儲器 (Phase Change Memory，PCM) 產(chǎn)品的市場規(guī)格，此新一代存儲技術(shù)可滿足載有大量內(nèi)容和數(shù)據(jù)平臺的性能及功耗要求，從而幫助多功能手機及移動應用、嵌入式系統(tǒng)*、高級運算裝置的制造商應對設計挑戰(zhàn)。制定針對PCM 產(chǎn)品的通用軟硬件兼容標準，將有效簡化設計流程并縮短產(chǎn)品開發(fā)時間，使制造商能在短時間內(nèi)采用這兩家公司推出的高性能、低功耗 PCM 存儲產(chǎn)品。 　　相較于
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NAND Flash再刮大風　30納米世代競賽起跑

  • 　　全球NAND Flash需求仍相當疲弱，盡管東芝(Toshiba)宣布增產(chǎn)重創(chuàng)市場信心，然存儲器業(yè)者透露，由于東芝43納米制程NAND Flash芯片日前打入蘋果(Apple)iPhone供應鏈，推測其增產(chǎn)系為蘋果供貨做準備，近期更需關(guān)注的是，三星電子(Samsung Electronics)除采用既有42納米制程應戰(zhàn)，亦開始準備最新版35納米制程NAND Flash芯片，且已陸續(xù)送樣給控制芯片廠，這不僅將對東芝和英特爾(Intel)、美光(Micron)聯(lián)盟造成壓力，亦將影響NAND Flash市場
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三星電子和Numonyx將聯(lián)合開發(fā)下一代記憶體PCM

  • 　　6月24日消息,三星電子和Numonyx表示，雙方將聯(lián)合開發(fā)前途光明的下一代記憶體科技--相變化記憶體技術(shù)。 　　三星電子和Numonyx表示，雙方將合作開發(fā)PCM的通用規(guī)范，該技術(shù)有望用于高級聽筒、移動電話和電腦設備中。英特爾和意法半導體(STM去年合資組建了Numonyx.。三星電子和Numonyx稱，PCM讀寫速度非常快，但耗電量卻低于傳統(tǒng)的NOR和NAND快閃記憶體。   　　三星電子和Numonyx還表示，雙方的通用規(guī)范將于今年完成，預計明年將推出兼容設備。
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09年SSD硬盤市占率不升反降

  • 　　據(jù)市調(diào)公司DRAM Exchange的調(diào)查，2009年，傳統(tǒng)筆記本市場上的SSD硬盤使用率僅僅只有1-1.5%，而 在低端市場SSD硬盤的占有率也只有不到10%。造成這種現(xiàn)象的原因是16Gb/32Gb NAND閃存價格的上漲。今年上半年，這種規(guī)格閃存的價格不斷上揚，而由此產(chǎn)生的利潤空間自然就減小了。 　　DRAM Exchange聲稱上網(wǎng)本與傳統(tǒng)筆記本中使用SSD硬盤的比率今年出現(xiàn)持續(xù)下降的態(tài)勢，結(jié)果導致“SSD銷量總體表現(xiàn)很糟糕”。相比傳統(tǒng)機械硬盤，SSD硬盤的每GB價格依
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三星電子與東芝就芯片業(yè)務達成交叉授權(quán)交易

  • 　　6月22日消息，據(jù)路透社報道，三星電子周一表示，已與日本東芝就半導體業(yè)務簽署交叉授權(quán)交易。 　　東芝是繼三星電子之后，全球第二大NAND快閃記憶體(閃存)芯片制造商。
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閃存價格上漲　SSD技術(shù)普及受威脅

  • 　　今年前兩個季度NAND閃存的平均銷售價格(ASP)反彈，令供應商非常高興，使其在2008年經(jīng)受慘重損失之后又獲得了希望。 　　為了盡快恢復盈利，這些供應商在2008年紛紛削減產(chǎn)能以應對市場需求疲弱的局面。據(jù)iSuppli公司，此后，NAND閃存價格在第一季度上漲了11%，在第二季度估計上漲了28%。 　　雖然這對于閃存供應商來說是好事，但卻可能對固態(tài)硬盤(SSD)在主流PC市場的普及帶來負面影響。SSD的90%由閃存部件構(gòu)成。 　　SSD上網(wǎng)本失色 　　在全球電子市場面臨不確定性之際，PC制造
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