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大陸韓國(guó)擴(kuò)產(chǎn)競(jìng)賽 Flash后年產(chǎn)能恐過剩

作者: 時(shí)間:2016-12-27 來源:經(jīng)濟(jì)日?qǐng)?bào) 收藏

  儲(chǔ)存型快閃存儲(chǔ)(NAND)軍備競(jìng)賽再起,南韓存儲(chǔ)大廠SK海力士決定再投資3.16兆韓元(約27億美元),在南韓及大陸兩地增加存儲(chǔ)產(chǎn)能;紫光集團(tuán)旗下的長(zhǎng)江存儲(chǔ)武漢廠,也預(yù)定本月底正式動(dòng)土,都為2018年供給過于求再現(xiàn),埋下隱憂。

本文引用地址:http://m.butianyuan.cn/article/201612/342120.htm

  目前各市調(diào)機(jī)構(gòu)均看好明年NAND仍處于供不應(yīng)求局面,但南韓存儲(chǔ)大廠SK海力士上周宣布將在南韓蓋一座全新快閃存儲(chǔ)廠,在中國(guó)大陸也將加碼投資9,500億韓元,擴(kuò)充產(chǎn)能,希望市占率能趕上三星,但也為NAND市場(chǎng)投下新變數(shù)。

  稍早三星和美光也都宣布進(jìn)一步擴(kuò)產(chǎn)行動(dòng)。三星也正于京畿道平澤建設(shè)新廠,預(yù)定2017年上半啟用,第一期投資額15.6兆韓元(134億美元),估計(jì)12寸產(chǎn)量可達(dá)20萬片,雖然三星還未敲定生產(chǎn)項(xiàng)目,但市場(chǎng)推測(cè),因三星DRAM市占已接近跨過50%門檻,有反托辣斯法要求分割疑慮,應(yīng)仍會(huì)以發(fā)展3DNANDFlash為主。

  半導(dǎo)體設(shè)備廠透露,目前六大NANDFlash芯片廠都有持續(xù)擴(kuò)充NANDFlash芯片計(jì)劃,不過在各家從2D轉(zhuǎn)3DNAND芯片,因制程難度高,造成供應(yīng)不足,使今年NAND芯片供應(yīng)短缺,預(yù)料隨3DNAND芯片下半年制程逐步順利,缺貨問題會(huì)逐漸紓解。

  大陸NANDFLASH狂飆,2020年產(chǎn)能拼增近7倍

  中國(guó)大陸業(yè)者在NANDFlash產(chǎn)業(yè)鏈的相關(guān)布局與投資不斷開展,成為大陸半導(dǎo)體業(yè)揮軍全球的下一波焦點(diǎn)。集邦科技旗下拓墣產(chǎn)業(yè)研究所最新研究報(bào)告顯示,隨著紫光國(guó)芯(原同方國(guó)芯)投資、武漢新芯擴(kuò)廠,以及國(guó)際大廠如三星、英特爾增加產(chǎn)能,預(yù)估2020年大陸當(dāng)?shù)豊ANDFlash月產(chǎn)能達(dá)59萬片,相較于2015年成長(zhǎng)近7倍。

  集邦預(yù)估,2012~2016年NANDFlash生產(chǎn)端年平均位元成長(zhǎng)率達(dá)47%,其終端消費(fèi)端需求年平均位元成長(zhǎng)率亦高達(dá)46%,顯示NANDFlash仍為高速發(fā)展產(chǎn)業(yè)。拓墣研究經(jīng)理林建宏表示,中國(guó)大陸在突破存儲(chǔ)自制缺口的政策方針下,將發(fā)展NANDFlash制造,可由NANDFlash產(chǎn)品特性、3DNAND需求、新興市場(chǎng)的成長(zhǎng)空間及國(guó)際半導(dǎo)體大廠在大陸投資四大方向切入。

  在NANDFlash產(chǎn)品特性部分,產(chǎn)品在消費(fèi)性應(yīng)用下,價(jià)格是主要考量,因此生產(chǎn)成本的控制至為關(guān)鍵。大陸廠商宜透過折舊認(rèn)列年限調(diào)整、租賃、稅負(fù)與資金成本等因素操作為切入點(diǎn)。

  在制程微縮部分,NANDFlash在進(jìn)入2x奈米世代后,制程微縮帶來的成本優(yōu)勢(shì)越來越不明顯,推遲國(guó)際NANDFlash大廠技術(shù)進(jìn)程,因此3DNANDFlash成為成本繼續(xù)降低的重要方法。林建宏指出,產(chǎn)品由2D走到3D,需有新的技術(shù)領(lǐng)域加入,若能整合跨領(lǐng)域人才和技術(shù),能成為大陸廠商追趕的機(jī)會(huì)。

  在市場(chǎng)需求上,雖然NANDFlash產(chǎn)業(yè)短期仍處于供過于求,但長(zhǎng)期而言新興市場(chǎng)仍有成長(zhǎng)空間。大陸隨著一帶一路政策發(fā)展的策略,對(duì)開發(fā)其周遭新興市場(chǎng)需求有相當(dāng)助益,妥善安排資源與發(fā)揮對(duì)新興國(guó)家的影響力,將是大陸?yīng)氂械膬?yōu)勢(shì)所在,也可創(chuàng)造出更多元的NANDFlash需求。

  另外,國(guó)際半導(dǎo)體廠商積極投入大陸市場(chǎng),在當(dāng)?shù)嘏囵B(yǎng)有經(jīng)驗(yàn)和技術(shù)的人才,支持廠房運(yùn)維的高度需求,有助降低大陸當(dāng)?shù)貥I(yè)者發(fā)展自主NANDFlash制造的門檻。大陸透過廣大的人力和市場(chǎng)成功吸引國(guó)際廠商的進(jìn)駐,為大陸發(fā)展NANDFlash產(chǎn)業(yè)帶來最好機(jī)會(huì)。

  目前在大陸當(dāng)?shù)厣a(chǎn)NANDFlash的業(yè)者以三星為主,英特爾已決定將大連廠改為NANDFlash廠,預(yù)計(jì)自今年第4季加入生產(chǎn)行列。在當(dāng)?shù)貥I(yè)者部分,武漢新芯已決定新建存儲(chǔ)廠,將從3月底開始進(jìn)行建廠工程,目標(biāo)最快在2018年年初開始生存儲(chǔ)芯片,初期規(guī)畫將以目前最先進(jìn)的3D-NANDFlash為主要策略產(chǎn)品,代表了近兩年來中國(guó)大陸極力發(fā)展存儲(chǔ)產(chǎn)業(yè)的態(tài)勢(shì)下,將開始進(jìn)入新的里程碑。



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