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安森美半導體推出新的900 V和 1200 V SiC MOSFET用于高要求的應用

  • 近日，推動高能效創(chuàng)新的安森美半導體（ON Semiconductor，美國納斯達克上市代號：ON），推出另兩個碳化硅（SiC） MOSFET系列，擴展了其寬禁帶（WBG）器件系列。?這些新器件適用于各種高要求的高增長應用，包括太陽能逆變器、電動汽車（EV）車載充電、不間斷電源（UPS）、服務器電源和EV充電樁，提供的性能水平是硅（Si）?MOSFET根本無法實現(xiàn)的。安森美半導體的新的1200伏（V）和900 V N溝道SiC MOSFET提供比硅更快的開關性能和更高的可靠性?？焖俦菊鞫?/li>
  • 關鍵字： SiC  WBG  

CISSOID宣布推出用于電動汽車的三相碳化硅（SiC）MOSFET智能功率模塊

  • 各行業(yè)所需高溫半導體解決方案的領導者CISSOID近日宣布，將繼續(xù)致力于應對汽車和工業(yè)市場的挑戰(zhàn)，并推出用于電動汽車的三相碳化硅（SiC）MOSFET智能功率模塊（IPM）平臺。這項新的智能功率模塊技術提供了一種一體化解決方案，即整合了內置柵極驅動器的三相水冷式碳化硅MOSFET模塊。這個全新的可擴展平臺同時優(yōu)化了功率開關的電氣、機械和散熱設計及其臨界控制，對于電動汽車（EV）整車廠和愿意快速采用基于碳化硅的逆變器以實現(xiàn)更高效、更簡潔電機驅動的電動機制造商而言，該平臺可以幫助他們加快產品上市時間。該可擴展
  • 關鍵字： SiC  IPM  

電機的應用趨勢及控制解決方案

  • 顧偉俊? （羅姆半導體（上海）有限公司?技術中心?現(xiàn)場應用工程師）摘? 要：介紹了電機的應用趨勢，以及MCU、功率器件的產品動向。 關鍵詞：電機；BLDC；MCU；SiC；IPM1? 電機的應用趨勢?隨著智能家居、工業(yè)自動化、物流自動化等概念的 普及深化，在與每個人息息相關的家電領域、車載領 域以及工業(yè)領域，各類電機在技術方面都出現(xiàn)了新的 需求。?在家電領域，電器的 智能化需要電器對人機交 流產生相應的反饋。例如 掃地機器人需要掃描計算 空間，規(guī)劃路線，然后執(zhí) 行移動以及相應
  • 關鍵字： 202003  電機  BLDC  MCU  SiC  IPM  

碳化硅（SiC）功率器件或在電動汽車領域一決勝負

  • 電力電子器件的發(fā)展歷史大致可以分為三個大階段：硅晶閘管（可控硅）、IGBT（絕緣柵雙極型晶體管）和剛顯露頭角的碳化硅（SiC）系列大功率半導體器件。碳化硅屬于第三代半導體材料，與普通的硅材料相比，碳化硅的優(yōu)勢非常突出，它不僅克服了普通硅材料的某些缺點，在功耗上也有非常好的表現(xiàn)，因而成為電力電子領域目前最具前景的半導體材料。正因為如此，已經有越來越多的半導體企業(yè)開始進入SiC市場。到2023年，SiC功率半導體市場預計將達到15億美元。SiC器件的供應商包括Fuji、英飛凌、Littelfuse、三菱、安森
  • 關鍵字： 碳化硅、SiC、功率器件、電動汽車  

英飛凌650V CoolSiC MOSFET系列為更多應用帶來最佳可靠性和性能水平

  • 近日，英飛凌科技股份公司（FSE: IFX / OTCQX: IFNNY）進一步擴展其碳化硅（SiC）產品組合，推出650V器件。其全新發(fā)布的CoolSiC? MOSFET滿足了包括服務器、電信和工業(yè)SMPS、太陽能系統(tǒng)、能源存儲和電池化成、不間斷電源（UPS）、電機控制和驅動以及電動汽車充電在內的大量應用與日俱增的能效、功率密度和可靠性的需求?！半S著新產品的發(fā)布，英飛凌完善了其600V/650V細分領域的硅基、碳化硅以及氮化鎵功率半導體產品組合，”英飛凌電源管理及多元化市場事業(yè)部高壓轉換業(yè)務高級總監(jiān)St
  • 關鍵字： SiC  MOSFET  

如何利用 SiC 打造更好的電動車牽引逆變器

  • 在本文中，我們將調查電動車牽引逆變器采用 SiC 技術的優(yōu)勢。我們將展示在各種負荷條件下逆變器的能效是如何提升的，包括從輕負荷到滿負荷。使用較高的運行電壓與高效的 1200V SiC FET 可以幫助降低銅損。還可以提高逆變器開關頻率，以對電機繞組輸出更理想的正弦曲線波形和降低電機內的鐵損。預計在所有這些因素的影響下，純電動車的單次充電行駛里程將提高 5-10%，同時，降低的損耗還能簡化冷卻問題。簡介近期的新聞表明，純電動車?(BEV) 的數(shù)量增加得比之前的預期要快。這促使汽車制造商（包括現(xiàn)有制
  • 關鍵字： SiC  BEV  牽引逆變器  

羅姆集團旗下的SiCrystal與意法半導體就碳化硅（SiC）晶圓長期供貨事宜達成協(xié)議

  • 近日，全球知名半導體制造商羅姆和意法半導體（以下簡稱“ST”）宣布，雙方就碳化硅（以下簡稱“SiC”）晶圓由羅姆集團旗下的SiCrystal GmbH （以下簡稱“SiCrystal”）供應事宜達成長期供貨協(xié)議。在SiC功率元器件快速發(fā)展及其需求高速增長的大背景下，雙方達成超1.2億美元的協(xié)議，由SiCrystal（SiC晶圓生產量歐洲第一）向ST（面向眾多電子設備提供半導體的全球性半導體制造商）供應先進的150mm SiC晶圓。ST　總經理 兼 首席執(zhí)行官（CEO）　Jean-Marc Chery 說：
  • 關鍵字： SiC  車載  

使用ADuM4136隔離式柵極驅動器和LT3999 DC/DC轉換器驅動1200 V SiC電源模塊

  • 簡介電動汽車、可再生能源和儲能系統(tǒng)等電源發(fā)展技術的成功取決于電力轉換方案能否有效實施。電力電子轉換器的核心包含專用半導體器件和通過柵極驅動器控制這些新型半導體器件開和關的策略。目前最先進的寬帶器件，如碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)半導體具有更高的性能，如600 V至2000 V的高電壓額定值、低通道阻抗，以及高達MHz范圍的快速切換速度。這些提高了柵極驅動器的性能要求，例如，，通過去飽和以得到更短的傳輸延遲和改進的短路保護。本應用筆記展示了ADuM4136 柵極驅動器的優(yōu)勢，這款單通道器件的輸出驅動能
  • 關鍵字： DC/DC  SiC  

Nexperia 推出行業(yè)領先性能的高效率氮化鎵功率器件 (GaN FET)

  • 近日，分立、邏輯和 MOSFET 器件的專業(yè)制造商Nexperia，今天推出650V的功率器件GAN063-650WSA，宣布其進入氮化鎵場效應管(GaN)市場。這款器件非常耐用，柵極電壓 (VGS) 為 +/- 20 V，工作溫度范圍為 -55 至 +175 °C。GAN063-650WSA的特點是低導通電阻（最大RDS(on) 僅為 60 m?）以及快速的開關切換；效率非常高。Nexperia氮化鎵器件的目標是高性能要求的應用市場，包括電動汽車、數(shù)據(jù)中心、電信設備、工業(yè)自動化和高端電源。Nexperi
  • 關鍵字： Nexperia  GaN FET  氮化鎵功率器件  MOSFET 器件  

CISSOID與國芯科技簽署戰(zhàn)略合作協(xié)議

  • 各行業(yè)所需高溫半導體解決方案的領導者CISSOID近日宣布：在湖南株洲舉行的中國IGBT技術創(chuàng)新與產業(yè)聯(lián)盟第五屆國際學術論壇上，公司與湖南國芯半導體科技有限公司（簡稱“國芯科技”）簽署了戰(zhàn)略合作協(xié)議，將攜手開展寬禁帶功率技術的研究開發(fā)，充分發(fā)揮其耐高溫、耐高壓、高能量密度、高效率等優(yōu)勢，并推動其在眾多領域實現(xiàn)廣泛應用。近年來，寬禁帶半導體功率器件（如碳化硅SiC和氮化鎵GaN等）憑借多方面的性能優(yōu)勢，在航空航天、電力傳輸、軌道交通、新能源汽車、智能家電、通信等領域開始逐漸取代傳統(tǒng)硅器件。然而，在各類應用中
  • 關鍵字： IGBT  SiC  GaN  

SiC MOSFET在汽車和電源應用中優(yōu)勢顯著

  • 商用硅基功率MOSFET已有近40年的歷史，自問世以來，MOSFET和IGBT一直是開關電源的主要功率處理控制組件，被廣泛用于電源、電機驅動等電路設計。不過，這一成功也讓MOSFET和IGBT體會到因成功反而受其害的含義。隨著產品整體性能的改善，特別是導通電阻和開關損耗的大幅降低，這些半導體開關的應用范圍越來越廣。結果，市場對這些硅基MOSFET和IGBT的期望越來越高，對性能的要求越來越高。盡管主要的半導體研發(fā)機構和廠商下大力氣滿足市場要求，進一步改進MOSFET/ IGBT產品，但在某些時候，收益遞減
  • 關鍵字： SiC MOSFET  意法半導體  

ST進軍工業(yè)市場，打造豐富多彩的工業(yè)樂園

  • 近日，意法半導體（ST）在華舉辦了“ST工業(yè)巡演2019”。在北京站，ST亞太區(qū)功率分立和模擬產品器件部區(qū)域營銷和應用副總裁Francesco Muggeri分析了工業(yè)市場的特點，并介紹了ST的產品線寬泛且通用性強，能夠提供完整系統(tǒng)的支持。1 芯片廠商如何應對工業(yè)市場少量多樣的挑戰(zhàn)工業(yè)領域呈現(xiàn)多樣、少量的特點，需要改變消費類電子大規(guī)模生產的模式，實現(xiàn)少量、高質量的生產。具體地，工業(yè)的一大挑戰(zhàn)是應用的多樣化，即一個大應用下面通常有很多小的子應用，所以產品會非標準化，即一個產品只能針對某一類小應用/小客戶的需
  • 關鍵字： 電機  MCU  電源  SiC  

ROHM開發(fā)出4引腳封裝的SiC MOSFET “SCT3xxx xR

  • 全球知名半導體制造商ROHM（總部位于日本京都），開發(fā)出6款溝槽柵結構※1）SiC MOSFET “SCT3xxx xR系列”產品（650V／1200V耐壓），非常適用于要求高效率的服務器用電源、太陽能逆變器及電動汽車的充電站等。此次新開發(fā)的系列產品采用4引腳封裝（TO-247-4L），可充分地發(fā)揮出SiC MOSFET本身的高速開關性能。與以往3引腳封裝（TO-247N）相比，開關損耗可降低約35％，非常有助于進一步降低各種設備的功耗。另外，羅姆也已開始供應SiC MOSFET評估板“P02SCT304
  • 關鍵字： SiC  MOSFET  

科銳宣布與德爾?？萍奸_展汽車SiC器件合作

  • 近日，科銳宣布與德爾?？萍迹―elphi Technologies PLC）開展汽車碳化硅（SiC）器件合作。
  • 關鍵字： 科銳  德爾?？萍?/a>  SiC  

SiC: 為何被稱為是新一代功率半導體？

  • 　　王?瑩?（《電子產品世界》編輯，北京?100036）　　SiC(碳化硅)作為第三代半導體，以耐高壓、高溫和高頻，在高性能功率半導體上顯出優(yōu)勢。據(jù)SiC廠商羅姆基于IHS的調查顯示，2025年整個市場規(guī)模將達到約23億美元。在應用中，在光伏和服務器市場最大，正處于發(fā)展中的市場是xEV（電動與混動汽車）。隨著SiC產品特性越做越好，在需要更高電壓的鐵路和風電上將會得到更多的應用?！　〔贿^，制約SiC發(fā)展的關鍵是價格，主要原因有兩個：襯底和晶圓尺寸。例如晶圓尺寸越大，成本也會相應地下降，羅姆等公司已經有6英
  • 關鍵字： 201909  新一代功率半導體  SiC  
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