產品特性：
耐壓650V
STY112N65M5:最大導通電阻為0.022Ω（漏極電流為93A）
STW77N65M5:最大導通電阻0.038Ω（漏極電流為66A）
采用了改進Super Junction結構
應用范圍：
太陽能電池功率調節(jié)器
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意法 MOSFET IGBT
電子產品世界,為電子工程師提供全面的電子產品信息和行業(yè)解決方案,是電子工程師的技術中心和交流中心,是電子產品的市場中心,EEPW 20年的品牌歷史,是電子工程師的網絡家園
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MDmeshV MOSFET RDS
自從美國TI公司推出通用可編程DSP芯片以來，DSP技術得到了突飛猛進的發(fā)展。DSP電源設計是DSP應用系統設計的一...
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DSP CPU 電源芯片 MOSFET
??????? NCP370保護便攜設備免受浪涌損傷，并控制反向電流來保護便攜設備附件，不需使用外部元件。
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??????? 2009年2月3日 - 全球領先的高性能、高能效硅解決方案供應商安森美半導體(ON Semiconductor，美國納斯達克上市代號：ONNN)推出業(yè)界首款集成型雙向器件，為手機、MP3/4、個人數字助理(PDA)和GPS系統提
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安森美 OVP OCP MOSFET
Vishay Intertechnology, Inc. 宣布推出新型 20-V 和 30-V p-通道 TrenchFET® 功率 MOSFET --- Si7633DP和Si7135DP。這次推出的器件采用 SO-8 封裝，具有 ±20-V 柵源極電壓以及業(yè)內最低的導通電阻。
現有的同類 SO-8 封裝器件額定電壓下導通電阻僅低至 24 mΩ ，而Vishay的 Si7633DP 具有 3.3 mΩ （在 10 V
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MOSFET
Diodes公司擴展其IntelliFET產品系列，推出全球體積最小的完全自保護式低壓側MOSFET。該ZXMS6004FF元件采用2.3 mm x 2.8mm扁平SOT23F封裝，與正在使用的7.3 mm x 6.7mm SOT223封裝的元件相比節(jié)省了85%的占板空間。
雖然SOT23F的扁平封裝體積小巧，但其卓越的散熱性能可使ZXMS6004FF提供三倍于同類較大封裝元件的封裝功率密度。這款最新IntelliFET的導通電阻僅為500m?，能夠使功耗保持在絕對極小值。
ZXMS
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Diodes MOSFET ZXMS6004FF
本文先介紹了基于功率MOSFET的柵極電荷特性的開關過程；然后介紹了一種更直觀明析的理解功率MOSFET開關過程的方法：基于功率MOSFET的導通區(qū)特性的開關過程，并詳細闡述了其開關過程。
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MOSFET 漏極 導通 開關過程
功率MOSFET不僅是一種普遍使用的電子元件，而且也代表著一個眾所周知的事實――硅技術的創(chuàng)新已經與滿足市場需求的表面貼裝封裝的創(chuàng)新形影不離。
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MOSFET 表面貼裝 封裝
有些設計者為了追求較高的轉換效率, 選擇了升壓方式，產生一組高于輸入的穩(wěn)定輸出, 如圖三的升壓架構。由于功率開關MOSFET是外置的, 可提供較大的輸出功率。在輸出功率許可的條件下，也可以選擇內置MOSFET功率開關的升壓轉換器，如MAX1722, 可有效節(jié)省空間、降低成本。
手機Vdd解決方案
對于手機Vdd，可以選擇Buck電路提供所需要的電壓。圖四便是一個內置MOSFET功率開關的同步降壓結構，可提供400mA的輸出電流。工作頻率高達1.2MHz, 允許設計者選用小尺寸的電感和輸出電容,
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MOSFET 電源 OLED
0 引言
近幾年，隨著電子消費產品需求的日益增長，功率MOSFET的需求也越來越大。其中，TMOS由于溝道是垂直方向，在相同面積下，單位元胞的集成度較高，因此導通電阻較低，同時又具有較低的柵－漏電荷密度、較大的電流容量，從而具備了較低的開關損耗及較快的開關速度，被廣泛地應用在低壓功率領域。
低壓TMOS的導通電阻主要是由溝道電阻和外延層電阻所組成，為了降低導通電阻，同時不降低器件其他性能，如漏源擊穿電壓，最直接的辦法是減少相鄰元胞的間距，在相同的面積下，增加元胞的集成度?；诖?，本文借助了溝槽
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MOSFET
飛兆半導體公司 (Fairchild Semiconductor) 推出全新超薄的高效率MicroFET產品FDMA1027，滿足現今便攜應用的尺寸和功率要求。FDMA1027是20V P溝道PowerTrench® MOSFET，FDFMA2P853則是20V P溝道PowerTrench® MOSFET，帶有肖特基二極管，并采用2mm x 2mm x 0.55mm MLP封裝。相比低電壓設計中常用的3mm x 3mm x 1.1mm MOSFET，新產品的體積減小55%、高度降低5
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飛兆半導 FDMA1027 MOSFET
2008年11月13日 – 全球領先的高性能、高能效硅解決方案供應商安森美半導體(ON Semiconductor，美國納斯達克上市代號：ONNN)推出8款新的MOSFET器件，專門為中等電壓開關應用而設計。這些MOSFET非常適用于直流馬達驅動、LED驅動器、電源、轉換器、脈寬調制(PWM)控制和橋電路中，這些應用講究二極管速度和換向安全工作區(qū)域(SOA)，安森美半導體的新MOSFET器件提供額外的安全裕量，免應用受未預料的電壓瞬態(tài)影響。
這些新的60伏(V)器件均是單N溝道MOS
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安森美半導體 MOSFET
Diodes Incorporated全面擴展旗下的功率MOSFET產品系列，加入能夠在各種消費、通信、計算及工業(yè)應用中發(fā)揮負載和切換功能的新型器件。新器件涵蓋Diodes和Zetex產品系列，包括27款30V邏輯電平、9款20V低閾值的N、P和采用不同工業(yè)標準封裝的互補MOSFET。
這些新型功率MOSFET采用SOT323、SOT23、SOT26和SO8形式封裝，引腳和占位面積與現有器件兼容，性價比具有競爭優(yōu)勢，不僅能減少物料清單，還能在無需額外成本的情況下提升性能。新器件可用于DC/DC轉
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Diodes MOSFET
二零零八年十月二十一日--中國訊 -- 美國國家半導體公司 (National Semiconductor Corporation)(美國紐約證券交易所上市代號：NSM)宣布推出一系列全新的 SIMPLE SWITCHER® 同步降壓控制器。與此同時，該公司還推出了業(yè)界首套端到端MOSFET的篩選工具，可有效的協助工程師精簡開關控制器的設計。
該系列全新的 PowerWise® SIMPLE SWITCHER 同步降壓控制器共有 4 個不同型號，全部都
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半導體 控制器 MOSFET
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