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sic mosfet 文章 進(jìn)入sic mosfet技術(shù)社區(qū)
聯(lián)合收獲機(jī)凹板間隙調(diào)節(jié)系統(tǒng)研究
- 摘要:聯(lián)合收獲機(jī)凹板間隙的大小是影響聯(lián)合收獲機(jī)脫離質(zhì)量的關(guān)鍵因素之一,本文設(shè)計(jì)了一款基于聯(lián)合收獲機(jī)的凹板結(jié)構(gòu),通過控制線性驅(qū)動(dòng)器對(duì)凹板間隙進(jìn)行自動(dòng)調(diào)節(jié)的系統(tǒng),實(shí)現(xiàn)了聯(lián)合收獲機(jī)凹板間隙自動(dòng)調(diào)節(jié),通過試驗(yàn)研究結(jié)果表明:該系統(tǒng)調(diào)節(jié)方便實(shí)用,且調(diào)節(jié)精度在5%以內(nèi)。 引言 谷物聯(lián)合收獲機(jī)的作業(yè)性能指標(biāo),主要包括總損失率、破損率和含雜率等。脫粒與分離滾筒是谷物聯(lián)合收獲機(jī)的重要工作部件。脫粒與分離滾筒由高速旋轉(zhuǎn)的滾筒和固定的弧型凹板配合,使谷物從滾筒與凹板之問通過,經(jīng)脫粒元件的打擊、揉搓、碾壓和梳刷,通
- 關(guān)鍵字: 凹板間隙 CAN PWM MOSFET BTS7960 201504
打造合作共贏面向世界的創(chuàng)新模式
- 摘要:本文通過對(duì)大唐恩智浦訪問,分析國(guó)產(chǎn)汽車電子現(xiàn)狀以及分析未來汽車電子發(fā)展現(xiàn)狀。 中國(guó)看世界,汽車電子是一個(gè)經(jīng)久不衰的市場(chǎng);而世界也在看中國(guó), 中國(guó)是否已準(zhǔn)備好在這個(gè)市場(chǎng)上大展宏圖?中國(guó)首個(gè)汽車半導(dǎo)體設(shè)計(jì)合資公司成立一年了,名稱為“大唐恩智浦半導(dǎo)體有限公司”(Datang NXP Semiconductors Co. Ltd.以下簡(jiǎn)稱:大唐恩智浦),占盡著天時(shí)、地利、人和,如何通過建立起新型合作模式,用全球的視角去贏取市場(chǎng)呢?通過與總經(jīng)理張鵬崗的交流,使筆者對(duì)其創(chuàng)新理念
- 關(guān)鍵字: 大唐恩智浦 MOSFET 汽車電子 201504
繼電器相關(guān)技術(shù)文獻(xiàn)及應(yīng)用電路設(shè)計(jì)匯總
- 繼電器是一種電控制器件,是當(dāng)輸入量(激勵(lì)量)的變化達(dá)到規(guī)定要求時(shí),在電氣輸出電路中使被控量發(fā)生預(yù)定的階躍變化的一種電器。它具有控制系統(tǒng)(又稱輸入回路)和被控制系統(tǒng)(又稱輸出回路)之間的互動(dòng)關(guān)系。通常應(yīng)用于自動(dòng)化的控制電路中,它實(shí)際上是用小電流去控制大電流運(yùn)作的一種“自動(dòng)開關(guān)”。故在電路中起著自動(dòng)調(diào)節(jié)、安全保護(hù)、轉(zhuǎn)換電路等作用。 極限條件下的時(shí)間繼電器設(shè)計(jì)方案 時(shí)間繼電器是一種使用在較低的電壓或較小電流的電路上,用來接通或切斷較高電壓、較大電流的電路的電氣元件,也許可
- 關(guān)鍵字: PIC18F6585 MOSFET
Fairchild新的擴(kuò)展溫度中壓MOSFET額定結(jié)溫為175° C
- 全球領(lǐng)先的高性能功率半導(dǎo)體解決方案供應(yīng)商Fairchild (NASDAQ: FCS)正在利用其擴(kuò)展溫度(ET)中壓MOSFET(能在175° C下工作)的擴(kuò)充產(chǎn)品系列幫助生產(chǎn)商提高產(chǎn)品可靠性和性能。 更高的工作溫度將功率密度提高了85%,可靠性比額定值為150° C業(yè)內(nèi)標(biāo)準(zhǔn)值的MOSFET高三倍。 這一新的ET MOSFET產(chǎn)品系列符合IPC-9592電源轉(zhuǎn)換標(biāo)準(zhǔn),換言之,其最大結(jié)溫可高達(dá)150° C,超過標(biāo)準(zhǔn)150° C MOSFET能達(dá)到的125°
- 關(guān)鍵字: Fairchild MOSFET
Fairchild新的擴(kuò)展溫度中壓MOSFET額定結(jié)溫為175° C 適合超高功率密度應(yīng)用
- 全球領(lǐng)先的高性能功率半導(dǎo)體解決方案供應(yīng)商Fairchild 正在利用其擴(kuò)展溫度(ET)中壓MOSFET(能在175° C下工作)的擴(kuò)充產(chǎn)品系列幫助生產(chǎn)商提高產(chǎn)品可靠性和性能。 更高的工作溫度將功率密度提高了85%,可靠性比額定值為150° C業(yè)內(nèi)標(biāo)準(zhǔn)值的MOSFET高三倍。 這一新的ET MOSFET產(chǎn)品系列符合IPC-9592電源轉(zhuǎn)換標(biāo)準(zhǔn),換言之,其最大結(jié)溫可高達(dá)150° C,超過標(biāo)準(zhǔn)150° C MOSFET能達(dá)到的125° C,使更大的設(shè)計(jì)裕量成
- 關(guān)鍵字: Fairchild MOSFET
Fairchild 的 800V SuperFET II MOSFET 系列提供最低的導(dǎo)通電阻和多種可選封裝
- 全球領(lǐng)先的高性能功率半導(dǎo)體解決方案供應(yīng)商Fairchild 今日推出 800V SuperFET® II MOSFET 系列,該系列提供廣泛的可選封裝并擁有業(yè)內(nèi)最低的導(dǎo)通電阻 (Rdson) 和輸出電容 (Coss)。新系列幫助設(shè)計(jì)師提高高性能解決方案(需要 600V/650V 以上的擊穿電壓)的效率、成本效益和可靠性,同時(shí)通過減少元件的使用從而減少這些設(shè)計(jì)的電路板空間。 800V SuperFET II MOSFET 系列的最佳可靠性,加上出色的效率和熱特性,使其成為各種應(yīng)用的理想之選
- 關(guān)鍵字: Fairchild MOSFET
一種軟啟動(dòng)與防反接保護(hù)電路
- 摘要:在很多消費(fèi)電子設(shè)備中用到了軟啟動(dòng)電路與防反接電路,其保護(hù)作用非常顯著。多數(shù)的設(shè)計(jì)中,這兩種電路獨(dú)立存在,或者僅有一種保護(hù)電路,導(dǎo)致部分保護(hù)功能缺失或者電路設(shè)計(jì)復(fù)雜。本設(shè)計(jì)提出一種設(shè)計(jì)方法,同時(shí)實(shí)現(xiàn)軟啟動(dòng)與防反接保護(hù)功能,且電路簡(jiǎn)單。 軟啟動(dòng)與防反接保護(hù)電路對(duì)電子設(shè)備有很好的保護(hù)作用,由于消費(fèi)電子客戶存在多次開關(guān)機(jī)的應(yīng)用場(chǎng)景和輸入接反的可能性。但是由于成本與電路設(shè)計(jì)的復(fù)雜性,很多設(shè)計(jì)中只提供了一種保護(hù)電路。本文基于提供全面保護(hù)與降低成本、降低設(shè)計(jì)復(fù)雜性的角度,提出一種電路,整合了軟啟動(dòng)與防反
- 關(guān)鍵字: 保護(hù)電路 軟啟動(dòng) 繼電器 MOSFET 反接電路 二極管 201503
一種高性能可智能控制型LED路燈驅(qū)動(dòng)電源的設(shè)計(jì)
- 摘要:本文針對(duì)傳統(tǒng)驅(qū)動(dòng)電源電能損耗大、效率和智能化程度低的缺點(diǎn),設(shè)計(jì)了一款適用于大功率LED路燈的高性能可智能控制型驅(qū)動(dòng)電源。本文選擇了多級(jí)驅(qū)動(dòng)方案,即功率因數(shù)校正(PFC)電路、LLC諧振控制電路和多路恒流輸出的三級(jí)式結(jié)構(gòu)。本文采用合理的設(shè)計(jì),優(yōu)化了功率校正因數(shù),增大了輸入電壓范圍,提高了整機(jī)效率,使輸出電流在全負(fù)載范圍內(nèi)更加穩(wěn)定,同時(shí)增加了PWM調(diào)光控制功能,可根據(jù)外界環(huán)境的變化智能控制LED路燈的亮度,從而達(dá)到進(jìn)一步節(jié)能減排的效果。 引言 由于具有高光效、長(zhǎng)壽命、燈具效率高、環(huán)保和易
- 關(guān)鍵字: LED 驅(qū)動(dòng)電源 PFC LLC PWM MOSFET 201503
SiC功率器件的技術(shù)市場(chǎng)走勢(shì)
- 摘要:探討了SiC的技術(shù)特點(diǎn)及其市場(chǎng)與應(yīng)用。 近期,全球知名半導(dǎo)體制造商ROHM在清華大學(xué)內(nèi)舉辦了以“SiC功率元器件技術(shù)動(dòng)向和ROHM的SiC功率元器件產(chǎn)品”為主題的交流學(xué)習(xí)會(huì)。此次交流學(xué)習(xí)會(huì)上,ROHM在對(duì)比各種功率器件的基礎(chǔ)上,對(duì)SiC元器件的市場(chǎng)采用情況和發(fā)展趨勢(shì)做了分析,并對(duì)ROHM的SiC產(chǎn)品陣容、開發(fā)以及市場(chǎng)情況做了詳盡的介紹。 各種功率器件的比較 功率元器件主要用于轉(zhuǎn)換電源,包括四大類:逆變器、轉(zhuǎn)換器(整流器)、直流斬波器DC/DC轉(zhuǎn)換器、矩陣
- 關(guān)鍵字: SiC 功率器件 ROHM IGBT 201503
意法半導(dǎo)體(ST)擴(kuò)大碳化硅MOSFET產(chǎn)品系列,為更多應(yīng)用帶來寬帶隙技術(shù)優(yōu)勢(shì)
- 意法半導(dǎo)體 (STMicroelectronics,簡(jiǎn)稱ST) 推出新款SCT20N120碳化硅功率MOSFET晶體管,其先進(jìn)的能效與卓越的可靠性將為更多節(jié)能應(yīng)用帶來技術(shù)優(yōu)勢(shì),包括純電動(dòng)汽車和混合動(dòng)力汽車的逆變器、太陽能或風(fēng)力發(fā)電、高能效驅(qū)動(dòng)器、電源以及智能電網(wǎng)設(shè)備。 意法半導(dǎo)體是業(yè)界少數(shù)具有高可靠性、高能效碳化硅功率半導(dǎo)體研發(fā)的領(lǐng)導(dǎo)廠商之一,并始終致力于技術(shù)的研發(fā)與升級(jí)。這次推出的1200V SCT20N120進(jìn)一步擴(kuò)大了碳化硅MOSFET產(chǎn)品系列,具有小于290m?的通態(tài)電阻 (RDS(ON
- 關(guān)鍵字: 意法半導(dǎo)體 SCT20N120 MOSFET
LED驅(qū)動(dòng)設(shè)計(jì)的5大關(guān)鍵
- 要普及LED燈具,不但需要大幅度降低成本,更需要解決技術(shù)性的問題。如何解決能效和可靠性這些難題,PowerIntegrations市場(chǎng)營(yíng)銷副總裁DougBailey分享了高效高可靠LED驅(qū)動(dòng)設(shè)計(jì)的心得。 一、不要使用雙極型功率器件 DougBailey指出由于雙極型功率器件比MOSFET便宜,一般是2美分左右一個(gè),所以一些設(shè)計(jì)師為了降低LED驅(qū)動(dòng)成本而使用雙極型功率器件,這樣會(huì)嚴(yán)重影響電路的可靠性,因?yàn)殡S著LED驅(qū)動(dòng)電路板溫度的提升,雙極型器件的有效工作范圍會(huì)迅速縮小,這樣會(huì)導(dǎo)致器件在溫度
- 關(guān)鍵字: LED MOSFET
Diodes芯片級(jí)雙向MOSFET節(jié)省空間 有效提高鋰電池容量
- Diodes公司 (Diodes Incorporated) 推出雙向MOSFET DMN2023UCB4,提供超卓的單電芯及雙電芯鋰電池充電保護(hù)。DMN2023UCB4的低導(dǎo)通電阻可降低功耗,纖薄的芯片級(jí)封裝則使設(shè)計(jì)人員能夠利用省下來的空間來提高電池容量。新產(chǎn)品的目標(biāo)終端市場(chǎng)包括智能手機(jī)、平板電腦、照相機(jī)、便攜式媒體播放器,以及對(duì)其尺寸丶重量和電池壽命都至關(guān)重要的同類型消費(fèi)性產(chǎn)品。 DMN2023UCB4的RSS(on) 少於26mΩ,旨在以最低的導(dǎo)通電阻來減低功耗。此外,其雙N通
- 關(guān)鍵字: Diodes MOSFET
哪一個(gè)更簡(jiǎn)單,選擇熱插拔控制器,還是功率MOSFET?
- 我曾經(jīng)遇到過節(jié)假日有客人上門,必須跑到商店,在關(guān)門前挑選幾件物品的情況。我當(dāng)時(shí)就意識(shí)到“跑”這個(gè)單詞會(huì)有多少種意思呢。我聽說單單作為動(dòng)詞,他就有645個(gè)意思,并且還在不斷增加!表面上看起來很簡(jiǎn)單的事情實(shí)際上會(huì)很復(fù)雜。想一想,功率MOSFET只有三個(gè)引腳(柵極、源極、漏極)。長(zhǎng)假過后,當(dāng)回到辦公室開始設(shè)計(jì)全新的電源管理熱插拔應(yīng)用時(shí),我想到看起來簡(jiǎn)單的功率MOSFET會(huì)有多么復(fù)雜,還有就是在為熱插拔應(yīng)用和功率轉(zhuǎn)換分別選擇一款MOSFET時(shí)會(huì)有什么不同。 熱插拔電路使用一個(gè)功率
- 關(guān)鍵字: MOSFET 熱插拔控制器
德州儀器推出NexFET? N溝道功率MOSFET 可實(shí)現(xiàn)業(yè)界最低電阻
- 日前,德州儀器 (TI) 推出其NexFET™ 產(chǎn)品線11款新型N溝道功率MOSFET,其中包括具有業(yè)界最低導(dǎo)通電阻并采用QFN 封裝的25-V CSD16570Q5B 和 30-V CSD17570Q5B,可應(yīng)用于熱插拔和ORing應(yīng)用。此外,TI面向低電壓電池供電型應(yīng)用的新型12-V FemtoFET™ CSD13383F4在采用0.6 mm x 1mm纖巧型封裝的情況下實(shí)現(xiàn)了比同類競(jìng)爭(zhēng)器件低84% 的極低電阻。如需獲取更多信息、樣片或參考設(shè)計(jì),敬請(qǐng)?jiān)L問:www.ti.co
- 關(guān)鍵字: 德州儀器 MOSFET CSD16570Q5B
Diodes全新MOSFET柵極驅(qū)動(dòng)器提升轉(zhuǎn)換效率
- Diodes公司 (Diodes Incorporated) 推出一對(duì)1A額定值的40V緊湊型柵極驅(qū)動(dòng)器ZXGD3009E6及ZXGD3009DY,旨在控制板上和嵌入式電源以及電機(jī)驅(qū)動(dòng)電路的高電流功率MOSFET。ZXGD3009E6 (采用SOT26封裝) 和 ZXGD3009DY (采用SOT363封裝) 可縮減MOSFET的開關(guān)時(shí)間,有助于盡量降低開關(guān)損耗、改善功率密度,以及提升整體轉(zhuǎn)換效率。 新驅(qū)動(dòng)器作為低功率控制IC的高增益緩沖級(jí),能夠從僅10mA的輸入電流提供500mA的典型驅(qū)動(dòng)電流
- 關(guān)鍵字: Diodes 驅(qū)動(dòng)器 MOSFET
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