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“中國芯”入資法國半導體公司

  • 中國芯片企業(yè)起步較晚，在發(fā)展中屢屢遭受國際巨頭的“專利圍剿”，通過支持重點企業(yè)的兼并重組及海外收購，培育具有核心競爭力的大型企業(yè)，無疑是明智的手段，也是最有效的手段。
  • 關鍵字： Soitec  FD-SOI  

Soitec半導體公司和FD-SOI技術：選擇理想的企業(yè)和技術，助力中國創(chuàng)新藍圖

  • 　　全球領先的絕緣硅(SOI)晶圓制造商法國Soitec半導體公司今日在北京舉辦的新聞發(fā)布會中介紹了該公司在中國市場的發(fā)展歷史、全耗盡絕緣硅(FD-SOI)基板的成熟性和生產(chǎn)及準備狀態(tài)、FD-SOI的最新進展及其生態(tài)系統(tǒng)。與會發(fā)言人包括Soitec公司市場和業(yè)務拓展部高級副總裁Thomas Piliszczuk， 以及Soitec公司數(shù)字電子商務部高級副總裁Christophe Maleville。會上主要討論的問題包括該技術是否適合各代工廠及應用設計師廣泛使用，更重要的是，該技術如何解決中國半導體行業(yè)及
  • 關鍵字： Soitec  FD-SOI  

三星發(fā)飆：半導體28nm FD-SOI投片 功耗暴降一半

  • 　　蘋果(Apple)宣布以182萬美元從美信半導體(Maxim Integrated)買下位于加州圣荷西的一座8吋晶圓廠。專家分析認為，此舉并不會影響與蘋果合作的晶圓代工廠生意。 　　據(jù)SemiWiki報導指出，SEMI World Fab Watch Database資料顯示，蘋果買下的晶圓廠于1987年建立，即使全面開工每月也只能生產(chǎn)1萬片晶圓，規(guī)模相對小且老舊，無法生產(chǎn)蘋果所需的應用處理器(AP)。 　　蘋果最新AP采16/14納米FinFET制程，而10納米制程也正在開發(fā)中。8吋晶圓近日才微
  • 關鍵字： 三星  FD-SOI  

手機鏈考量？技術分水嶺抉擇？大陸半導體產(chǎn)業(yè)發(fā)展FD-SOI

  • 　　DIGITIMES Research觀察，大陸半導體產(chǎn)業(yè)近期積極擁抱全空乏絕緣上覆矽(Fully Depleted Silicon-on-Insulator;FD-SOI，有時也稱Ultra-Thin Body;UTB)制程技術，包含拜會關鍵晶圓片底材供應商、簽署相關合作協(xié)議、于相關高峰論壇上表態(tài)等。大陸選擇FD-SOI路線，而非臺積電(Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd.;TSMC)、英特爾(Intel)的FinFET(鰭式場效電晶體)路線，估與手
  • 關鍵字： 半導體  FD-SOI  

Leti從FD-SOI學到的一課：打造生態(tài)系統(tǒng)

  • 　　今年由歐洲兩大主要研發(fā)中心——法國CEA-Leti和比利時IMEC舉辦的年度開放日活動剛好都在六月的同一時期舉行。但這種時程的沖突并不是有意的，至少Leti是這么認為。Leti的一位官方代表指出，“在過去七年來我們一直是在六月的同一周舉行年度活動。對他們來說，我們的排程應該不是什么秘密。” 　　   　　Leti位于法國格勒諾布爾市創(chuàng)新園區(qū)的核心地帶 　　不過，位于格勒諾布爾的Leti Days和位于布魯塞爾的IMEC技術論壇這兩大
  • 關鍵字： FD-SOI  物聯(lián)網(wǎng)  

中國石墨烯技術重大突破——石墨烯層數(shù)可調(diào)控

  • 可控石墨烯薄膜制備方面取得新進展：設計了Ni/Cu體系，利用離子注入技術引入碳源，通過精確控制注入碳的劑量，成功實現(xiàn)了對石墨烯層數(shù)的調(diào)控，有助于實現(xiàn)石墨烯作為電子材料在半導體器件領域真正的應用。 　
  • 關鍵字： 石墨烯  SOI  

哪些半導體公司會成為22nm FD-SOI的嘗鮮者？

  • 　　美國時間7月13日GlobalFoundries宣布推出其全新的“22FDX”工藝平臺，成為全球第一家實現(xiàn)22nm FD-SOI(全耗盡絕緣硅)，專為超低功耗芯片打造。 　　   　　FD- SOI技術仍然采用平面型晶體管，目前并不為業(yè)內(nèi)看好，因為無論Intel還是三星、臺積電，22n時代起就紛紛轉入了立體晶體管，也就是FinFET。GlobalFoundries技術實力欠佳，自己搞不出足夠好的立體晶體管技術，22nm上只能繼續(xù)改進平面型，20nm上努力了一
  • 關鍵字： FD- SOI  FinFET  

格羅方德半導體推出業(yè)內(nèi)首個22nm FD-SOI工藝平臺

  • 　　格羅方德半導體(GLOBAL FOUNDRIES)今日發(fā)布一種全新的半導體工藝，以滿足新一代聯(lián)網(wǎng)設備的超低功耗要求。“22FDX™”平臺提供的性能和功耗媲美FinFET，而成本則與28nm平面晶體管工藝相當，為迅速發(fā)展的移動、物聯(lián)網(wǎng)、RF連接和網(wǎng)絡市場提供了一個最佳解決方案。 　　雖然某些設備對三維FinFet晶體管的終極性能有要求，但大多數(shù)無線設備需要在性能、功耗和成本之間實現(xiàn)更好的平衡。22FDX 采用業(yè)內(nèi)首個22nm二維全耗盡平面晶體管技術(FD-SOI)工
  • 關鍵字： 格羅方德  FD-SOI  

GlobalFoundries全球首發(fā)22nm FD-SOI工藝

  • 　　GlobalFoundries今天宣布推出全新的“22FDX”工藝平臺，全球第一家實現(xiàn)22nm FD-SOI(全耗盡絕緣硅)，專為超低功耗芯片打造。 FD-SOI技術仍然采用平面型晶體管， 目前并不為業(yè)內(nèi)看好，因為無論Intel還是三星、臺積電，22n時代起就紛紛轉入了立體晶體管，也就是FinFET。GlobalFoundries技 術實力欠佳，自己搞不出足夠好的立體晶體管技術，22nm上只能繼續(xù)改進平面型，20nm上努力了一陣放棄了，14nm索性直接借用三星的。 　　
  • 關鍵字： GlobalFoundries  FD-SOI  

只能FinFET或FD-SOI？二合一也行！

  • 　　在我們大多數(shù)人“非黑即白”、“非此即彼”的觀念里，半導體業(yè)者應該不是選擇FinFET就是FD-SOI制程技術;不過既然像是臺積電(TSMC)、GlobalFoundrie或三星(Samsung)等晶圓代工廠，必須要同時提供以上兩種制程產(chǎn)能服務客戶，有越來越多半導體制造商也正在考慮也致力提供“兩全其美”的制程技術。 　　例如飛思卡爾半導體(Freescale Semiconductor)最近就透露，該公司正在14至16奈米節(jié)點采用
  • 關鍵字： FinFET  FD-SOI  

FD-SOI制程技術已到引爆點？

  • 　　身為記者，我有時候會需要經(jīng)過一系列的資料收集──通常包含非正式評論、隨機事實(random facts)、推特文章、研討會/座談會資料或是公關宣傳稿，然后才能把許多線索串聯(lián)在一起;全空乏絕緣上覆矽(Fully depleted silicon-on-insulator，F(xiàn)D-SOI)就是一個例子。 　　我從美國旅行到中國接著又到歐洲，在與電子產(chǎn)業(yè)人士討論技術的過程中，發(fā)現(xiàn)FD-SOI從一個不容易了解的名詞，逐漸變得越來越“有形”。關于這個技術，我在最近這幾個星期所收集到的隨機
  • 關鍵字： 晶圓  FD-SOI  

Peregrine半導體公司在大中華市場推出UltraCMOS? 單片相位幅度控制器

  • 　　Peregrine半導體公司是射頻 SOI(絕緣體上硅)技術的奠基者和先進射頻解決方案的先驅(qū)，宣布在大中華市場推出該公司的新系列UltraCMOS?單片相位和幅度控制器(MPAC)。MPAC產(chǎn)品中集成了一個90度混合分離器、移相器、數(shù)字步進衰減器以及一個數(shù)字SPI接口，全部做在一塊芯片上。與多芯片的砷化鎵(GaAs)解決方案比較，這種單片射頻控制器的線性度高，隔離性能好，能夠控制很大的功率，相位調(diào)諧靈活性極強，對于兩路動態(tài)負載調(diào)制放大器結構，例如多爾蒂(Doherty)功率放大器，是理想的射頻控制方案
  • 關鍵字： Peregrine  SOI  MPAC  

華虹半導體推出0.2微米射頻SOI工藝設計工具包

  • 　　全球領先的200mm純晶圓代工廠-華虹半導體有限公司(「華虹半導體」或「公司」，連同其附屬公司，統(tǒng)稱「集團」)今日宣布推出全新的0.2微米射頻SOI (絕緣體上硅)工藝設計工具包(Process Design Kit，PDK)。這標志著新的0.2微米射頻SOI工藝平臺已成功通過驗證，并正式投入供客戶設計開發(fā)使用。工藝設計工具包(PDK)的推出可協(xié)助客戶快速完成高質(zhì)量射頻器件的設計與流片。 　　華虹半導體的0.2微米SOI工藝平臺是專為無線射頻前端開關應用優(yōu)化的工藝解決方案。相比基于砷化鎵(GaAs)
  • 關鍵字： 華虹半導體  SOI   

意法半導體(ST)發(fā)布2013年企業(yè)可持續(xù)發(fā)展報告

  • 　　橫跨多重電子應用領域的全球領先的半導體供應商意法半導體公布了2013年可持續(xù)發(fā)展報告(Sustainability Report)。意法半導體連續(xù)17年公布可持續(xù)發(fā)展報告。報告內(nèi)容全面地介紹意法半導體在2013年實施的可持續(xù)發(fā)展戰(zhàn)略、政策和業(yè)績，并例證了可持續(xù)發(fā)展計劃如何在企業(yè)經(jīng)營中發(fā)揮重要作用，為所有的利益相關者創(chuàng)造價值。 　　意法半導體公司總裁兼首席執(zhí)行官Carlo Bozotti表示：“意法半導體在很早之前就認識到了可持續(xù)發(fā)展的重要性，20年來，可持續(xù)發(fā)展已成為意法半導體核心戰(zhàn)略的
  • 關鍵字： 意法半導體  FD-SOI  可持續(xù)發(fā)展  

IBM針對RF芯片代工升級制程技術

  • 電子產(chǎn)品世界,為電子工程師提供全面的電子產(chǎn)品信息和行業(yè)解決方案,是電子工程師的技術中心和交流中心,是電子產(chǎn)品的市場中心,EEPW 20年的品牌歷史,是電子工程師的網(wǎng)絡家園
  • 關鍵字： IBM  RF芯片  代工升級  制程技術  SiGe  SOI  
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soi介紹

SOI（Silicon-On-Insulator，絕緣襯底上的硅）技術是在頂層硅和背襯底之間引入了一層埋氧化層。通過在絕緣體上形成半導體薄膜，SOI材料具有了體硅所無法比擬的優(yōu)點：可以實現(xiàn)集成電路中元器件的介質(zhì)隔離，徹底消除了體硅CMOS電路中的寄生閂鎖效應；采用這種材料制成的集成電路還具有寄生電容小、集成密度高、速度快、工藝簡單、短溝道效應小及特別適用于低壓低功耗電路等優(yōu)勢，因此可以說SO [ 查看詳細 ]

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