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IDT70V9289型高速同步雙口SRAM的原理及應(yīng)用

  • IDT70V9289是IDT公司新推出的一款高速同步雙口靜態(tài)存儲器（SRAM），可實現(xiàn)不同傳輸方式的雙路高速數(shù)據(jù)流的無損傳輸。
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德州MIT DARPA合力打造65納米SRAM

  • ISSCC 會議文件論述 SRAM 將有望使電池供電產(chǎn)品實現(xiàn)超低功耗 日前，麻省理工學(xué)院 (MIT) 的研究員將在著名的國際固態(tài)電路會議 (ISSCC) 上展示一款采用德州儀器 (TI) 先進(jìn) 65 納米 CMOS 工藝制造的超低功耗 (ULP) 256kb 靜態(tài)隨機存取存儲器 (SRAM) 測試器件。該款 SRAM&
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為實現(xiàn)高性能選擇正確的 SRAM 架構(gòu)

  • 按慣例，設(shè)計人員總把SRAM 作為其最基本的形式，即單端口、單時鐘域器件。在需要更高性能時，設(shè)計人員通常會選擇更高的時鐘頻率和更寬的總線。盡管這樣可以顯著提高 SRAM 性能，但卻并不是唯一的方法。我們也可以開發(fā)用于先進(jìn)通信系統(tǒng)的存儲器，這就將工作重點轉(zhuǎn)向了帶寬，而不是時鐘頻率。存儲器帶寬的定義為：給定時間內(nèi)可通過器件訪問的數(shù)據(jù)量。通常單位為Mbps乃至極高性能存儲器的Gbps。帶寬的主要組成部分為 I/O 速度、接入端口寬度以及存儲器可用的接入端口數(shù)量。用以下簡單的方程式可計算出帶寬：帶寬=I/O速度
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支持高性能應(yīng)用的SRAM

  • SRAM一直是網(wǎng)絡(luò)應(yīng)用的重要組成部分，它可提高帶寬，從而在許多高性能應(yīng)用中起著主導(dǎo)作用。這些應(yīng)用包括無總線時延 (NoBL)和四倍數(shù)據(jù)速率 (QDR) 等。就系統(tǒng)資源及內(nèi)存帶寬要求而論，分組處理對內(nèi)存帶寬的要求最高。分組處理塊內(nèi)部的多個功能以及其它存儲功能要求采用不同的 SRAM 架構(gòu)。因此需要采用支持 SRAM 的新型協(xié)議及架構(gòu)，以滿足這些網(wǎng)絡(luò)系統(tǒng)的需求。本文重點介紹針對網(wǎng)絡(luò)應(yīng)用提供的高級 SRAM 架構(gòu)。此外，還介紹了如何區(qū)分采用不同 SRAM 架構(gòu)的各種應(yīng)用以及促使用戶選擇 SRAM 的標(biāo)準(zhǔn)。 網(wǎng)
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