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基于SRAM和DRAM結(jié)構(gòu)的大容量FIFO的設(shè)計

  • 分別基于Hynix公司的SRAM HY64UDl6322A和DRAM HY57V281620E，介紹了采用兩種不同的RAM結(jié)構(gòu)，通過CPLD來設(shè)計并實現(xiàn)大容量FIFO的方法。
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ATmegal28擴展512KB掉電保護SRAM方案

  • 　　如今，電子技術(shù)發(fā)展迅猛，尤其是單片機已廣泛地應(yīng)用于通信、交通、家用電器、便攜式智能儀表和機器人制作等領(lǐng)域，產(chǎn)品功能、精度和質(zhì)量均有大幅度提高，且電路簡單，故障率低，可靠性高，價格低廉。在單片機的某些應(yīng)用中，如果不對系統(tǒng)的外部SRAM進行擴展，就不能滿足系統(tǒng)設(shè)計的要求。因此如何擴展、擴展什么類型的芯片、擴展的容量多大就成為值得考慮的問題。這個問題解決的好與壞直接關(guān)系到項目的成敗。本文介紹在AVR ATmegal28中如何實現(xiàn)擴展掉電數(shù)據(jù)不丟失的512 KB SRAM的方案。 　　1 系統(tǒng)硬件結(jié)構(gòu) 　
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TMS320C61416 EMIF下雙FPGA加載設(shè)計

  • 　　基于SRAM結(jié)構(gòu)的FPGA容量大，可重復(fù)操作，應(yīng)用相當廣泛;但其結(jié)構(gòu)類似于SRAM，掉電后數(shù)據(jù)丟失，因此每次上電時都需重新加載。 　　目前實現(xiàn)加載的方法通常有兩種：一種是用專用Cable通過JTAG口進行數(shù)據(jù)加載，另一種是外掛與該FPGA廠商配套的PROM芯片。前者需要在PC機上運行專用的加載軟件，直接下載到FPGA片內(nèi)，所以掉電數(shù)據(jù)仍然會丟失，只適用于FPGA調(diào)試階段而不能應(yīng)用于工業(yè)現(xiàn)場的數(shù)據(jù)加載。 　　后者雖然可以解決數(shù)據(jù)丟失問題，但這種專用芯片成本較高，供貨周期也較長(一般大于2個月)，使F
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鐵電存儲器1T單元C-V特性的計算機模擬

  • 　　鐵電存儲器同時具備可存儲大量資料的動態(tài)隨機存儲器DRAM)與高速運作的靜態(tài)隨機存儲器(SRAM)的優(yōu)點，且在斷電后，資料不會消失，亦具備快閃存儲器的優(yōu)點。在所有非易失性存儲器(NVM)中，鐵電存儲器件被認為是最有吸引力的用于IT的存儲器件之一[1]。1T單元體積更小，集成度更高。特別是這種方式易于實現(xiàn)多值存儲，在相同規(guī)模下可以達到更高的存儲容量，因而在提高性價比方面具有極大的優(yōu)勢。 　　為了系統(tǒng)地從理論上研究鐵電存儲器IT單元特性，米勒首先提出了數(shù)學模型[2]。后人也有用實驗數(shù)據(jù)、依據(jù)實驗數(shù)據(jù)得到的
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基于DBL結(jié)構(gòu)的嵌入式64kb SRAM的低功耗設(shè)計

  •        針對嵌入式系統(tǒng)的低功耗要求，采用位線分割結(jié)構(gòu)和存儲陣列分塊譯碼結(jié)構(gòu)，完成了64 kb低功耗SRAM模塊的設(shè)計。         與一般布局的存儲器相比，采用這兩種技術(shù)使存儲器的功耗降低了43% ，而面積僅增加了18%。          
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從過去到未來

  • 如果你認為過去的歸過去，未來的歸未來，那么你就錯了，因為沒有過去就不會有現(xiàn)在，沒有現(xiàn)在當然就不會有未來。然而過去、現(xiàn)在、未來之間是如何相互依存的呢？從某方面來說這是神秘難以解答的一件事，但簡單來講就是靠記憶的作用，過去雖然不存在了，卻可以回想，未來雖然還沒有決定，現(xiàn)在卻可以一步步去計劃、設(shè)想與實踐
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基于SRAM編程技術(shù)的PLD核心可重構(gòu)電路結(jié)構(gòu)設(shè)計

  • 本文針對 CPLD的核心可編程結(jié)構(gòu)：P-Term和可編程互連線，采用2.5V、0.25μmCMOS工藝設(shè)計了功能相近的基于SRAM編程技術(shù)的可重構(gòu)電路結(jié)構(gòu)。
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用單片機實現(xiàn)SRAM工藝FPGA的加密應(yīng)用

  • 　　摘要：首先對采用SRAM工藝的FPGA的保密性和加密方法進行原理分析，然后提出一種實用的采用單片機產(chǎn)生長偽隨機碼實現(xiàn)加密的方法，并詳細介紹具體的電路和程序。     關(guān)鍵詞：靜態(tài)隨機存儲器（SRAM） 現(xiàn)場可編程門陣列（FPGA） 加密 　　在現(xiàn)代電子系統(tǒng)設(shè)計中，由于可編程邏輯器件的卓越性能、靈活方便的可升級特性，而得到了廣泛的應(yīng)用。由于大規(guī)模高密度可編程邏輯器件多采用SRAM工藝，要求每次上電，對FPGA器件進行重配置，這就使得可以通過監(jiān)視配置的位數(shù)據(jù)流，進行克隆
  • 關(guān)鍵字： 靜態(tài)隨機存儲器（SRAM）  現(xiàn)場可編程門陣列（FPGA）  加密  MCU和嵌入式微處理器  

單片機SRAM工藝的FPGA加密應(yīng)用

  • 在現(xiàn)代電子系統(tǒng)設(shè)計中，由于可編程邏輯器件的卓越性能、靈活方便的可升級特性，而得到了廣泛的應(yīng)用。由于大規(guī)模高密度可編程邏輯器件多采用SRAM工藝，要求每次上電，對FPGA器件進行重配置，這就使得可以通過監(jiān)視配置的位數(shù)據(jù)流，進行克隆設(shè)計。因此，在關(guān)鍵、核心設(shè)備中，必須采用加密技術(shù)保護設(shè)計者的知識產(chǎn)權(quán)。       1　基于SRAM工藝FPGA的保密性問題       通常，采用SRAM工藝的
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2007年6月12日，瑞薩開發(fā)出32納米及以上工藝片上SOI SRAM前瞻技術(shù)

  • 　　2007年6月12日，瑞薩開發(fā)出一種可在32 nm(納米)及以上工藝有效實現(xiàn)SRAM的技術(shù)，以用于集成在微處理器或SoC(系統(tǒng)級芯片)中的片上SRAM。
  • 關(guān)鍵字： 瑞薩  SRAM  Renesas  

揚長補短發(fā)展FeRAM

  • 　　存儲器在半導(dǎo)體行業(yè)就是一塊萬能膏藥，或者嵌入到SoC里或者當做單獨的存儲元件，有數(shù)據(jù)計算和程序存儲的要求就有它的用武之地。當前的主流半導(dǎo)體存儲器可以簡單的分成易失性和非易失性兩部分，它們各有所長，應(yīng)用領(lǐng)域也因這一特性而是涇渭分明。 　　易失性的存儲器包括靜態(tài)存儲器SRAM和動態(tài)存儲器DRAM，SRAM和DRAM在掉電的時候均會失去保存的數(shù)據(jù)，但是RAM 類型的存儲器易于使用、性能好。非易失性存儲器在掉電的情況下并不會丟失所存儲的數(shù)據(jù)。然而所有的主流的非易失性存儲器均源自于ROM（只讀存儲器）技術(shù)，包
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瑞薩科技與松下開發(fā)新SRAM制造技術(shù)

  • 　　瑞薩科技（Renesas Technology Corp.）與松下電器產(chǎn)業(yè)有限公司宣布，共同開發(fā)出一種新技術(shù)，可以使45nm工藝傳統(tǒng)CMOS的SRAM（靜態(tài)隨機存取存儲器）穩(wěn)定工作。這種SRAM可嵌入在SoC（系統(tǒng)(集成)芯片）器件和微處理器（MPU）當中。經(jīng)測試證實，采用該技術(shù)的512Kb SRAM的實驗芯片，可以在寬泛的溫度條件下（-40℃－125℃）穩(wěn)定工作，而且在工藝發(fā)生變化時具有較大的工作電壓范圍裕量。用于實驗的SRAM芯片采用45nm CMOS工藝生產(chǎn)，集成了兩種不同的存儲單元設(shè)計，一個元
  • 關(guān)鍵字： SRAM  瑞薩科技  松下  存儲器  

新一代非易失性存儲器——NVSRAM的原理和應(yīng)用

  • 摘要： 本文介紹了針對高端存儲應(yīng)用的最新非易失性存儲器NVSRAM?？梢愿鶕?jù)應(yīng)用要求以及功能需要選擇最佳的非易失性存儲器架構(gòu)。關(guān)鍵詞： Flash；EEPROM；SRAM；NVSRAM 概述眾所周知，在非易失性存儲器領(lǐng)域，市場熱度節(jié)節(jié)攀升。近日，SRAM家族又增加了新的成員—NVSRAM。NVSRAM 為 Non-volatile SRAM縮寫，即為非易失性SRAM。本文將比較各類非易失性存儲器，并介紹NVSRAM的特點和優(yōu)勢， NVSRAM 的應(yīng)用以及工作方式。 非易失性存儲器應(yīng)用
  • 關(guān)鍵字： 0701_A  NVSRAM  SRAM  消費電子  雜志_技術(shù)長廊  存儲器  消費電子  

用單片機實現(xiàn)SRAM工藝FPGA的加密應(yīng)用

  • 在現(xiàn)代電子系統(tǒng)設(shè)計中，由于可編程邏輯器件的卓越性能、靈活方便的可升級特性，而得到了廣泛的應(yīng)用。由于大規(guī)模高密度可編程邏輯器件多采用SRAM工藝，要求每次上電，對FPGA器件進行重配置，這就使得可以通過監(jiān)視配置的位數(shù)據(jù)流，進行克隆設(shè)計。因此，在關(guān)鍵、核心設(shè)備中，必須采用加密技術(shù)保護設(shè)計者的知識產(chǎn)權(quán)。 1　基于SRAM工藝FPGA的保密性問題 　　通常，采用SRAM工藝的FPGA芯片的的配置方法主要有三種：由計算機通過下載電纜配置、用專用配置芯片（如Altera公司的EPCX系列芯片）配置、采用存儲器
  • 關(guān)鍵字： FPGA  SRAM  單片機  加密  嵌入式系統(tǒng)  存儲器  

網(wǎng)絡(luò)應(yīng)用中的SRAM

  • 引言同步SRAM的傳統(tǒng)應(yīng)用領(lǐng)域是搜索引擎，用于實現(xiàn)算法。在相當長的一段時間里，這都是SRAM在網(wǎng)絡(luò)中發(fā)揮的主要作用。然而，隨著新存儲技術(shù)的出現(xiàn)，系統(tǒng)設(shè)計師為SRAM找到了新的用武之地，如：NetFlow(網(wǎng)流)、計數(shù)器、統(tǒng)計、包緩沖、隊列管理和存儲分配器。 如今，人們對所有路由器和交換機的要求都不僅限于FIB(轉(zhuǎn)發(fā)信息庫)搜索。計數(shù)器需要跟蹤接受服務(wù)的信息包數(shù)量，并獲取統(tǒng)計數(shù)據(jù)來解決帳單編制問題。通過統(tǒng)計來連續(xù)監(jiān)視網(wǎng)絡(luò)(被稱為NetFlow)，從而完成問題檢測和判定。隨著每個信息包處理量的增加，需要采用包
  • 關(guān)鍵字： IPV6  SRAM  存儲器  通訊  網(wǎng)絡(luò)  無線  存儲器  
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