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東芝發(fā)布40nm工藝SoC用低電壓SRAM技術(shù)
- 東芝在“2010 Symposium on VLSI Technology”(2010年6月15～17日，美國夏威夷州檀香山)上，發(fā)布了采用09年開始量產(chǎn)的40nm工藝SoC的低電壓SRAM技術(shù)。該技術(shù)為主要用于便攜產(chǎn)品及消費類產(chǎn)品的低功耗工藝技術(shù)。通過控制晶體管閾值電壓的經(jīng)時變化，可抑制SRAM的最小驅(qū)動電壓上升。東芝此次證實，單元面積僅為0.24μm2的32Mbit SRAM的驅(qū)動電壓可在確保95%以上成品率的情況下降至0.9V。因此，低功耗SoC的驅(qū)動電壓可從65n
- 關(guān)鍵字： 東芝 40nm SoC SRAM
賽普拉斯推出32-Mbit和64-Mbit快速異步SRAM
- 賽普拉斯半導(dǎo)體公司日前推出32-Mbit和64-Mbit快速異步SRAM，開創(chuàng)業(yè)界先河。新的SRAM器件在如此高的密度上，擁有非?？斓捻憫?yīng)時間和最小化的封裝尺寸。目標(biāo)應(yīng)用領(lǐng)域包括存儲服務(wù)器、交換機和路由器、測試設(shè)備、高端安全系統(tǒng)和軍事系統(tǒng)。 CY7C1071DV33 32-Mbit 3V 和 CY7C1081DV33 64-Mbit 3V快速異步SRAM提供16-bit和8-bit I/O配置。新的32-Mbit和64-Mbit SRAM的訪問時間可達12ns。器件采用符合RoHS標(biāo)準(zhǔn)的48
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Intel繼續(xù)提高緩存密度 FBC有望取代SRAM
- 由于架構(gòu)方面的需要，Intel處理器通常都配備有大容量緩存，比如Core 2 Quad四核心曾有12MB二級緩存、雙核心Itanium曾有24MB三級緩存?，F(xiàn)在，Intel又準(zhǔn)備繼續(xù)提高緩存密度了，而且有意使用新的緩存類 型。2010年度超大規(guī)模集成電路技術(shù)研討會即將于下月5-7日舉行，Intel將會通過兩個主題演講，介紹他們在處理器緩存技術(shù)上的最新研究成果，特 別是有望取代現(xiàn)有SRAM的“浮體單元”(Floating Body Cell/FBC)。 SRAM和eSRAM
- 關(guān)鍵字： Intel SRAM
Maxim推出具有無痕跡存儲器和篡改檢測功能的安全管理器
- Maxim推出帶有1024字節(jié)無痕跡存儲器的安全管理器DS3644，可安全存儲敏感數(shù)據(jù)。器件內(nèi)部的篡改監(jiān)測器能夠有效抵御時鐘、電信號和溫度篡改事件，還可將篡改檢測輸入連接至外部傳感器，實現(xiàn)靈活的定制特性。片內(nèi)無痕跡存儲器允許終端用戶在發(fā)生特定篡改事件時有選擇地清除存儲器數(shù)據(jù)。這種具有專利保護的存儲器架構(gòu)*能夠確保在發(fā)生篡改事件時立即擦除數(shù)據(jù)，從而提高了基于SRAM存儲器的系統(tǒng)安全等級。DS3644能夠滿足政府設(shè)施、軍事系統(tǒng)等高安全等級應(yīng)用的要求，適用于需要監(jiān)測多種篡改操作的系統(tǒng)。 DS3644能
- 關(guān)鍵字： Maxim 存儲器 SRAM DS3644
MIPS和Virage Logic結(jié)成合作伙伴提供優(yōu)化嵌入式內(nèi)存IP
- 為數(shù)字消費、家庭網(wǎng)絡(luò)、無線、通信和商業(yè)應(yīng)用提供業(yè)界標(biāo)準(zhǔn)處理器架構(gòu)與內(nèi)核的領(lǐng)導(dǎo)廠商美普思科技公司和備受半導(dǎo)體業(yè)界信賴的IP伙伴Virage Logic 共同宣布，雙方將結(jié)成合作伙伴關(guān)系為兩家公司的共同客戶提供優(yōu)化嵌入式內(nèi)存IP。Virage 的Logic ASAP 90nm SRAM內(nèi)存實體(memory instance)以及 SiWareTM 65GP高密度SRAM編譯器(SRAM compiler) 系列產(chǎn)品專為MIPS32處理器而優(yōu)化，以協(xié)助客戶加速為藍光DVD、HDTV、IPTV、機頂盒和寬帶
- 關(guān)鍵字： MIPS SRAM 嵌入式內(nèi)存
TPACK與Cypress聯(lián)手為以太網(wǎng)交換和流量管理提供參考設(shè)計
- SRAM行業(yè)的領(lǐng)導(dǎo)者賽普拉斯，與領(lǐng)先的核心數(shù)據(jù)傳輸及交換功能IC的供應(yīng)商TPACK日前聯(lián)合宣布，為超高速以太網(wǎng)交換和排隊管理應(yīng)用推出一款參考設(shè)計。全新的Springbank參考設(shè)計結(jié)合了TPACK的 TPX4004高容量集成包處理器和流量管理器，以及賽普拉斯的CY7C15632KV18 72-Mbit Quad Data Rate™II+ (QDR™II+)SRAM，從而能提供最快的速度，并且未來升級非常簡單。TPACK參考設(shè)計還提供對各類FPGA的便捷接口，擁有強大的應(yīng)用支持
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為什么存儲器是產(chǎn)業(yè)的風(fēng)向標(biāo)
- 存儲器通常包括DRAM，NAND，NOR及SRAM。在半導(dǎo)體業(yè)中經(jīng)常分成兩類，DRAM及閃存類。由于其兩大特征，能大量生產(chǎn)以及應(yīng)用市場面寬，使其半導(dǎo)體業(yè)中有獨特的地位。業(yè)界有人稱它為半導(dǎo)體業(yè)的風(fēng)向標(biāo)。 縱觀DRAM發(fā)展的歷史，幾乎每8至10年一次大循環(huán)，最終一定有大型的存儲器廠退出，表示循環(huán)的結(jié)束。如1980年代的TI及IBM等退出;1990年代的東芝，日立及NEC退出，如今2000年代的奇夢達最先退出。奇夢達的退出使市場少了10萬片的月產(chǎn)能。 在全球硅片尺寸轉(zhuǎn)移中，存儲器也是走在前列，如
- 關(guān)鍵字： 存儲器 DRAM NAND NOR SRAM
賽普拉斯推出業(yè)界首款65納米144-Mbit SRAM
- SRAM行業(yè)的領(lǐng)先者賽普拉斯半導(dǎo)體公司日前推出了業(yè)界首款單片具有144-Mbit密度的SRAM，該產(chǎn)品成為其65納米SRAM產(chǎn)品系列中的最新成員。新的144-Mbit QDRII, QDRII+, DDRII 和 DDRII+存儲器采用65納米工藝技術(shù)，由臺灣聯(lián)華電子(UMC)的芯片工廠代工生產(chǎn)。該產(chǎn)品擁有市場上最快的時鐘，速率可達550MHz，在36-bit I/O寬度的QDRII+器件中，整體數(shù)據(jù)率達到80 Gbps，并且其功耗只有采用90納米工藝的SRAM器件的一半。這些產(chǎn)品是諸如互聯(lián)網(wǎng)核心與邊
- 關(guān)鍵字： Cypress 65納米 SRAM
便攜消費市場FPGA正部分取代ASIC
- 傳統(tǒng)型FPGA基本具備高性能、傳輸速度快的特點，因此這些產(chǎn)品都具有DSP(數(shù)字信號處理)和高速傳輸I/O接口。它們主要滿足基站、工控、醫(yī)療等市場對高速產(chǎn)品的需求。SiliconBlue的產(chǎn)品定位與上述傳統(tǒng)型FPGA不同。我們強調(diào)生產(chǎn)針對便攜消費電子市場的低功耗產(chǎn)品。 傳統(tǒng)的FPGA企業(yè)在低功耗市場上推出的都是密度非常小的器件，只能滿足非常簡單的邏輯應(yīng)用，而且即使他們在這方面有系列產(chǎn)品，產(chǎn)品線相對來說仍然不很完整。而SiliconBlue看準(zhǔn)這一市場，提供完整的產(chǎn)品線。 市場上一些新興FPG
- 關(guān)鍵字： FPGA DSP 65納米 SRAM
全球首個22納米節(jié)點靜態(tài)存儲單元研制成功
- 美國IBM公司、AMD以及紐約州立大學(xué)Albany分校的納米科學(xué)與工程學(xué)院(CNSE)等機構(gòu)共同宣布，世界上首個22納米節(jié)點靜態(tài)存儲單元(SRAM)研制成功。這也是全世界首次宣布在300毫米研究設(shè)備環(huán)境下，制造出有效存儲單元。 22納米節(jié)點靜態(tài)存儲單元SRAM芯片是更復(fù)雜的設(shè)備，比如微處理器的“先驅(qū)”。SRAM單元的尺寸更是半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)中的關(guān)鍵技術(shù)指標(biāo)。最新的SRAM單元利用傳統(tǒng)的六晶體管設(shè)計，僅占0.1平方微米，打破了此前的SRAM尺度縮小障礙。 新的研究工作是在紐
- 關(guān)鍵字： IBM SRAM 22納米 32納米
瑞薩推出高速SRAM*1產(chǎn)品系列
- 瑞薩科技公司(以下簡稱“瑞薩”)宣布推出面向新一代通信網(wǎng)絡(luò)內(nèi)高端路由器和交換機使用的高速SRAM*1產(chǎn)品系列。這些SRAM產(chǎn)品不僅符合QDR聯(lián)盟*2行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)要求，還實現(xiàn)了72Mb四倍數(shù)據(jù)速率II+(QDRTM II+)和雙數(shù)據(jù)速率II+(DDRII+)的業(yè)內(nèi)最高工作速度，并且包含72Mb QDRII和DDRII SRAM器件。整個器件系列(具有多種速度和配置)將于2009年8月在日本開始陸續(xù)進行銷售。 新產(chǎn)品特性如下： (1) 業(yè)內(nèi)最高的工作速度：533 MHz(Q
- 關(guān)鍵字： 瑞薩 SRAM DDRII
臺積電率先推出28納米低耗電平臺
- 臺灣積體電路制造股份有限公司今(17)日宣布領(lǐng)先專業(yè)積體電路制造服務(wù)領(lǐng)域，成功開發(fā)28納米低耗電技術(shù)，同時配合雙/三閘極氧化層(dual/triple gate oxide)工藝，將32納米工藝所使用的氮氧化硅(Silicon Oxynitride，SiON))/多晶硅(poly Si)材料延伸至28納米工藝，使得半導(dǎo)體可以持續(xù)往先進工藝技術(shù)推進。此一工藝技術(shù)的優(yōu)勢還包括高密度與低Vcc_min六電晶體靜態(tài)隨機存取記憶體(SRAM)元件、低漏電電晶體、已通過驗證的傳統(tǒng)類比/射頻/電子熔線(analog
- 關(guān)鍵字： 臺積電 SRAM 28納米 低耗電 氮氧化硅 多晶硅
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