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工程師們心目中那永遠(yuǎn)的十款王牌存儲(chǔ)器
- 在如今這工程師漫山遍野的年代,工程師已經(jīng)變得隨處可見(jiàn)、遍地都是,但我相信每個(gè)工程師心目中都有屬于自己的“王牌”器件。如電腦的記憶芯片 - 存儲(chǔ)器,SRAM、DRAM、EEPROM、PLASH、可讀寫類、只可讀類等等。同時(shí)存儲(chǔ)器在我們?nèi)粘I钪幸搽S處可見(jiàn),每人必備的U盤、硬盤、光盤等等,所以作為工程師的我們必須關(guān)注下這十款經(jīng)典的存儲(chǔ)器。下面就為大家?guī)?lái)工程師們心目中那永遠(yuǎn)的十款“王牌”存儲(chǔ)器。 NO.1:24C16 火熱度:????? 一款非常
- 關(guān)鍵字: 存儲(chǔ)器 SRAM DRAM
全球存儲(chǔ)及觸摸感應(yīng)領(lǐng)導(dǎo)廠商賽普拉斯簽約世強(qiáng)合力開(kāi)拓中國(guó)成長(zhǎng)型新市場(chǎng)
- 前不久,全球高性能、混合信號(hào)、可編程解決方案的領(lǐng)先供應(yīng)商賽普拉斯(Cypress)簽下中國(guó)本土最具實(shí)力的分銷商世強(qiáng)(Sekorm),由后者負(fù)責(zé)其全線產(chǎn)品包括PSoC®可編程片上系統(tǒng)器件、觸摸感應(yīng)解決方案、SRAM和非易失性存儲(chǔ)器、USB控制器等等在中國(guó)區(qū)的分銷業(yè)務(wù)。 賽普拉斯全球分銷高級(jí)總監(jiān)Kamal Haddad表示很高興找到了值得信賴的分銷伙伴一起開(kāi)拓市場(chǎng),中國(guó)市場(chǎng)對(duì)賽普拉斯非常重要,世強(qiáng)將在開(kāi)拓新市場(chǎng)的同時(shí),直接支持新的設(shè)計(jì),擴(kuò)展客戶基礎(chǔ)并建立持續(xù)的合作關(guān)系。 賽普拉斯198
- 關(guān)鍵字: Cypress Sekorm PSoC SRAM
基于SRAM/DRAM的大容量FIFO的設(shè)計(jì)與實(shí)現(xiàn)
- 1 引言 FIFO(First In First Out)是一種具有先進(jìn)先出存儲(chǔ)功能的部件。在高速數(shù)字系統(tǒng)當(dāng)中通常用作數(shù)據(jù)緩存。在高速數(shù)據(jù)采集、傳輸和實(shí)時(shí)顯示控制領(lǐng)域中.往往需要對(duì)大量數(shù)據(jù)進(jìn)行快速存儲(chǔ)和讀取,而這種先進(jìn)先出的結(jié)構(gòu)特點(diǎn)很好地適應(yīng)了這些要求,是傳統(tǒng)RAM無(wú)法達(dá)到的。 許多系統(tǒng)都需要大容量FIFO作為緩存,但是由于成本和容量限制,常采用多個(gè)FIFO芯片級(jí)聯(lián)擴(kuò)展,這往往導(dǎo)致系統(tǒng)結(jié)構(gòu)復(fù)雜,成本高。本文分別針對(duì)Hynix公司的兩款SRAM和DRAM器件,介紹了使用CPLD進(jìn)行接口連接和編程控制,來(lái)
- 關(guān)鍵字: FIFO SRAM DRAM CPLD
賽普拉斯加強(qiáng)在中國(guó)和韓國(guó)的分銷力量 增加五家新代理商
- 賽普拉斯半導(dǎo)體公司日前宣布,已經(jīng)與中國(guó)及韓國(guó)的五家新代理商達(dá)成協(xié)議。即日起,中國(guó)的大豆科技、世強(qiáng)和利爾達(dá),韓國(guó)的HB公司和STC公司將加入賽普拉斯的銷售隊(duì)伍。這些分銷合作伙伴將銷售賽普拉斯的全線產(chǎn)品,包括PSoC?可編程片上系統(tǒng)器件、觸摸感應(yīng)解決方案、SRAM和非易失性存儲(chǔ)器、USB控制器等等?! ≠惼绽谷蚍咒N高級(jí)總監(jiān)Kamal Haddad說(shuō):“我們很高興和這些值得信賴的合作伙伴一起拓展我們的分銷渠道。中國(guó)和韓國(guó)市場(chǎng)對(duì)于賽普拉斯來(lái)說(shuō)非常重要,這五個(gè)合作伙伴將協(xié)助我們將各類產(chǎn)品滲透到新增的65個(gè)分
- 關(guān)鍵字: 賽普拉斯 PSoC SRAM
賽普拉斯發(fā)布異步SRAM
- 靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(SRAM)市場(chǎng)領(lǐng)導(dǎo)者賽普拉斯半導(dǎo)體公司日前宣布,其具有錯(cuò)誤校正代碼(ECC)的16Mb快速異步SRAM 已開(kāi)始出樣。片上ECC功能可使新的SRAM具有最高水準(zhǔn)的數(shù)據(jù)可靠性,而無(wú)需另外的錯(cuò)誤校正芯片,從而簡(jiǎn)化設(shè)計(jì)并節(jié)省電路板空間。該器件可確保工業(yè)、軍事、通訊、數(shù)據(jù)處理、醫(yī)療、消費(fèi)電子和汽車等應(yīng)用領(lǐng)域里的數(shù)據(jù)安全。 背景輻射造成的軟錯(cuò)誤可損壞存儲(chǔ)內(nèi)容,丟失重要數(shù)據(jù)。賽普拉斯新型異步SRAM中的硬件ECC模塊可在線執(zhí)行所有錯(cuò)誤校正動(dòng)作,無(wú)需用戶干預(yù),因而具有業(yè)界最佳的軟錯(cuò)誤(S
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賽普拉斯推出QDR-IV SRAM用于下一代網(wǎng)絡(luò)設(shè)備
- 靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器市場(chǎng)領(lǐng)導(dǎo)者賽普拉斯半導(dǎo)體公司日前宣布,量產(chǎn)業(yè)界首款四倍速(QDR?-IV?)SRAM。賽普拉斯的QDR-IV?SRAM有144和72-Megabit?(Mbit)兩種容量,可滿足下一代交換機(jī)和路由器的100-400?Gigabit線卡對(duì)隨機(jī)傳輸速率的要求。賽普拉斯的QDR-IV?SRAM是市場(chǎng)上性能最高的標(biāo)準(zhǔn)網(wǎng)絡(luò)存儲(chǔ)器解決方案?! ?duì)于不斷提升的線卡和交換速率來(lái)說(shuō),RTR(每秒完整隨機(jī)存取次數(shù))是存儲(chǔ)器性能的重要指標(biāo)。提升線卡速率的瓶
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基于SRAM芯片立體封裝大容量的應(yīng)用
- 靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器(static?RAM),簡(jiǎn)稱SRAM。在電子設(shè)備中,常見(jiàn)的存儲(chǔ)器有SRAM(靜態(tài)隨機(jī)訪問(wèn)存儲(chǔ)器)、FLASH(閃速存儲(chǔ)器)、DRAM(動(dòng)態(tài)存儲(chǔ)器)等。其中不同的存儲(chǔ)器有不同的特性,SRAM無(wú)需刷新電路即能保存它內(nèi)部存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)。而DRAM每隔一段時(shí)間,要刷新充電一次,否則內(nèi)部的數(shù)據(jù)即會(huì)消失。與SDRAM相比,SRAM不需要時(shí)鐘信號(hào),即可保持?jǐn)?shù)據(jù)不丟失?! ?、VDMS16M32芯片介紹 VDSR16M32是一款工作電壓3.3V,16Mbit,32位數(shù)據(jù)總線的立體封裝SRAM模
- 關(guān)鍵字: SRAM FLASH DRAM VDSR16M32
東芝產(chǎn)出從深度休眠模式快速喚醒的極低泄漏SRAM
- 東芝公司(Toshiba Corporation,TOKYO:6502)今天宣布,該公司已經(jīng)開(kāi)發(fā)出適用于低功耗微控制器備用RAM的極低泄漏65納米靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器(SRAM),它可以實(shí)現(xiàn)從深度休眠模式快速喚醒。 東芝于2月11日在2014年美國(guó)電氣和電子工程師協(xié)會(huì)(IEEE)國(guó)際固態(tài)電路會(huì)議上公布了這一進(jìn)展,此次大會(huì)在加州舊金山舉行。 可穿戴式設(shè)備、醫(yī)療保健工具和智能電表等低功耗系統(tǒng)對(duì)較長(zhǎng)的電池放電時(shí)間存在強(qiáng)勁需求。降低這些系統(tǒng)所使用微控制器的功耗存在許多挑戰(zhàn),隨著工藝的升級(jí)換代,泄漏電流的
- 關(guān)鍵字: 東芝 SRAM
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