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SoC低電壓SRAM技術(shù)介紹

  • 東芝在“2010 Symposium on VLSITechnology”上，發(fā)布了采用09年開始量產(chǎn)的40nm工藝SoC的低電壓SRAM技術(shù)。該技術(shù)為主要用于便攜產(chǎn)品及消費(fèi)類產(chǎn)品的低功耗工藝技術(shù)。通過(guò)控制晶體管閾值電壓的經(jīng)時(shí)變化，可抑
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SRAM在網(wǎng)絡(luò)中的應(yīng)用分析

  • 同步SRAM的傳統(tǒng)應(yīng)用領(lǐng)域是搜索引擎，用于實(shí)現(xiàn)算法。在相當(dāng)長(zhǎng)的一段時(shí)間里，這都是SRAM在網(wǎng)絡(luò)中發(fā)揮的主要作用。然而，隨著新存儲(chǔ)技術(shù)的出現(xiàn)，系統(tǒng)設(shè)計(jì)師為SRAM找到了新的用武之地，如：NetFlow(網(wǎng)流)、計(jì)數(shù)器、統(tǒng)計(jì)、
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基于SRAM的FPGA配置數(shù)據(jù)存儲(chǔ)方式解析方案

  • 1.引言由于FPGA 良好的可編程性和優(yōu)越的性能表現(xiàn)，當(dāng)前采用FPGA 芯片的嵌入式系統(tǒng)數(shù)量呈現(xiàn)迅速增加的趨勢(shì)，特別是在需要進(jìn)行大規(guī)模運(yùn)算的通信領(lǐng)域。目前FPGA 配置數(shù)據(jù)一般使用基于SRAM 的存儲(chǔ)方式，掉電后數(shù)據(jù)消失，
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基于SRAM工藝FPGA的加密方法介紹

  • 在現(xiàn)代電子系統(tǒng)設(shè)計(jì)中，由于可編程邏輯器件的卓越性能、靈活方便的可升級(jí)特性，而得到了廣泛的應(yīng)用。由于大規(guī)模高密度可編程邏輯器件多采用SRAM工藝，要求每次上電，對(duì)FPGA器件進(jìn)行重配置，這就使得可以通過(guò)監(jiān)視配置
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嵌入式系統(tǒng)應(yīng)用中NV SRAM存儲(chǔ)器的應(yīng)用

  • 嵌入式系統(tǒng)應(yīng)用中NV SRAM存儲(chǔ)器的應(yīng)用,傳統(tǒng)方案中常常采用EPROM、EEPROM和Flash存儲(chǔ)程序，NVSRAM具有高速存取時(shí)間和與SRAM相同的接口，因而可用于存儲(chǔ)程序。本文介紹NVSRAM如何與基于程序和數(shù)據(jù)存儲(chǔ)的微處理器進(jìn)行接口，并說(shuō)明選用NVSRAM與現(xiàn)有的其它非易
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DS1265W 8Mb非易失(NV) SRAM

  • DS1265W 8Mb非易失(NV)SRAM為8,388,608位、全靜態(tài)NV SRAM，按照8位、1,048,576字排列。每個(gè)NV SRAM均自帶鋰電 ...
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DS1250 4096k、非易失SRAM

  • DS1250 4096k、非易失SRAM為4,194,304位、全靜態(tài)非易失SRAM，按照8位、524,288字排列。每個(gè)完整的NV SRAM均自 ...
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DS1250W 3.3V 4096k全靜態(tài)非易失SRAM

  • DS1250W 3.3V 4096k NVSRAM為4,194,304位、全靜態(tài)非易失SRAM，按照8位、524,288字排列。每個(gè)NV SRAM均自帶鋰 ...
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一種基于MCU內(nèi)部Flash的在線仿真器設(shè)計(jì)方法

SoC用低電壓SRAM技術(shù)

  • 東芝在“2010 Symposium on VLSITechnology”上，發(fā)布了采用09年開始量產(chǎn)的40nm工藝SoC的低電壓SRAM技術(shù)。該技術(shù)為主要用于便攜產(chǎn)品及消費(fèi)類產(chǎn)品的低功耗工藝技術(shù)。通過(guò)控制晶體管閾值電壓的經(jīng)時(shí)變化，可抑
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Linux下ColdFire片內(nèi)SRAM的應(yīng)用程序優(yōu)化設(shè)計(jì)

  • Linux下ColdFire片內(nèi)SRAM的應(yīng)用程序優(yōu)化設(shè)計(jì),本文以MP3解碼器為例，介紹了一種在嵌入式Linux系統(tǒng)下配置使用處理器片內(nèi)SRAM的應(yīng)用方案，有效提高了代碼的解碼效率，降低了執(zhí)行功耗。該方案不論在性能還是成本上都得到了很大改善。1 硬件平臺(tái)和軟件架構(gòu)硬件平臺(tái)采
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使用新SRAM工藝實(shí)現(xiàn)嵌入式ASIC和SoC的存儲(chǔ)器設(shè)計(jì)

  • 使用新SRAM工藝實(shí)現(xiàn)嵌入式ASIC和SoC的存儲(chǔ)器設(shè)計(jì),基于傳統(tǒng)六晶體管(6T)存儲(chǔ)單元的靜態(tài)RAM存儲(chǔ)器塊一直是許多嵌入式設(shè)計(jì)中使用ASIC/SoC實(shí)現(xiàn)的開發(fā)人員所采用的利器，因?yàn)檫@種存儲(chǔ)器結(jié)構(gòu)非常適合主流的CMOS工藝流程，不需要增添任何額外的工藝步驟。如圖1a中所示的那樣
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基于FPGA與外部SRAM的大容量數(shù)據(jù)存儲(chǔ)

  • 1引言我們將針對(duì)FPGA中內(nèi)部BlockRAM有限的缺點(diǎn)，提出了將FPGA與外部SRAM相結(jié)合來(lái)改進(jìn)設(shè)計(jì)的方法，并給出...
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富士通與SuVolta展示其SRAM可在0.4伏低壓下工作

  • 　　富士通半導(dǎo)體有限公司和SuVolta公司宣布，通過(guò)將SuVolta的PowerShrink 低功耗CMOS與富士通半導(dǎo)體的低功耗工藝技術(shù)集成，已經(jīng)成功地展示了在0.425V超低電壓下，SRAM(靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ))模塊可以正常運(yùn)行。這些技術(shù)降低能耗，為即將出現(xiàn)的終極“生態(tài)”產(chǎn)品鋪平道路。技術(shù)細(xì)節(jié)和結(jié)果會(huì)在12月5日開始在華盛頓召開的2011年國(guó)際電子器件會(huì)議(IEDM)上發(fā)表。 　　從移動(dòng)電子產(chǎn)品到因特網(wǎng)共享服務(wù)器，以及網(wǎng)絡(luò)設(shè)備，控制功耗成為增加功能的主要限制。而供應(yīng)電
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富士通和SuVolta展示低電壓工作的SRAM模塊

  • 　　富士通半導(dǎo)體和SuVolta宣布，通過(guò)將SuVolta的PowerShrink低功耗CMOS與富士通半導(dǎo)體的低功耗工藝技術(shù)集成，已經(jīng)成功地展示了在0.425V超低電壓下，SRAM(靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ))模塊可以正常運(yùn)行。這些技術(shù)降低能耗，為即將出現(xiàn)的終極“生態(tài)”產(chǎn)品鋪平道路。技術(shù)細(xì)節(jié)和結(jié)果將會(huì)在12月5日開始在華盛頓召開的2011年國(guó)際電子器件會(huì)議(IEDM)上發(fā)表。 　　從移動(dòng)電子產(chǎn)品到因特網(wǎng)共享服務(wù)器，以及網(wǎng)絡(luò)設(shè)備，控制功耗成為增加功能的主要限制。而供應(yīng)電壓又是決定功耗的重要因素
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