v-nand 文章 進(jìn)入v-nand技術(shù)社區(qū)
中國SSD行業(yè)企業(yè)勢力全景圖
- 全球范圍看,2021-2023年存儲芯片的市場規(guī)模將分別達(dá)到1552億美元、1804億美元及2196億美元,增幅分別達(dá)到22.5%、16.2%和21.7%。其中,2021年DRAM市場規(guī)模約占56%,NAND Flash市場規(guī)模約占41%(IC Insights數(shù)據(jù))。另外,根據(jù)CFM 閃存市場預(yù)計(jì),2021年全球存儲市場規(guī)模將達(dá)1620億美元,增長29%,其中DRAM為945億美元,NAND Flash為675億美元。這兩個(gè)調(diào)研機(jī)構(gòu)的數(shù)據(jù)相近,相差100億美元。目前,全球儲存芯片市場主要被韓國、歐美以及
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長江存儲SSD上新!42mm迷你身材飚出3.9GB/s
- 這兩年,長江存儲無論是NAND閃存還是SSD固態(tài)盤,都呈現(xiàn)火力全開的姿態(tài),從技術(shù)到產(chǎn)品都不斷推陳出新。6月23日,長江存儲有發(fā)布了面向OEM市場的商用SSD PC300系列,可用于筆記本、輕薄本、二合一本、一體機(jī)、臺式機(jī)、物聯(lián)網(wǎng)、嵌入式、服務(wù)器等各種場景,而且同時(shí)支持3.3V、1.8V SideBand電壓,可適配更多平臺。長江存儲PC300系列采用了自家的Xtacking 2.0晶棧架構(gòu)的第三代3D NAND閃存芯片,容量256GB、512GB、1TB。提供M.2 2242、M.2 2280兩種形態(tài)規(guī)格
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存儲芯片從落后20年,到追上三星、美光,中國廠商只花了6年
- 近日,有消息稱,國內(nèi)存儲芯片大廠長江存儲已向客戶交付了192層堆疊的3D NAND閃存芯片。而預(yù)計(jì)在2022年底或2023年初,會實(shí)現(xiàn)232層堆疊的3D NAND閃存技術(shù)。這意味著國內(nèi)存儲芯片廠商,終于追上三星、美光了。要知道美光是前不久才發(fā)布了業(yè)界首個(gè) 232 層堆棧的 3D NAND Flash芯片,而大規(guī)模量產(chǎn)和應(yīng)用要到2022年底或2023年初去了。而三星預(yù)計(jì)也是在2022年內(nèi)推出200層以上的3D NAND閃存芯片,而大規(guī)模應(yīng)用也要到2023年去了??梢?,國產(chǎn)存儲芯片,在技術(shù)上確實(shí)已經(jīng)追上了三星
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中國芯片傳來捷報(bào),長江存儲取得技術(shù)突破,正式打破三星壟斷
- 中國芯片傳來捷報(bào),長江存儲取得重大技術(shù)突破,正式打破韓國三星壟斷,目前已經(jīng)完成192層3D NAND閃存樣品生產(chǎn),預(yù)計(jì)年底實(shí)現(xiàn)大規(guī)模量產(chǎn)交付。長江存儲一直是我國優(yōu)秀的存儲芯片企業(yè),從成立之初就保持著高速穩(wěn)定的發(fā)展?fàn)顟B(tài),用短短3年的時(shí)間,接連推出了32層NAND閃存,以及64層堆棧3D NAND閃存,成功進(jìn)入了華為Mate40手機(jī)的供應(yīng)鏈。隨后為了縮短和三星、SK海力士、鎧俠等寡頭企業(yè)的距離,長江存儲直接越級跳過了96層,直接進(jìn)入了128層3D NAND 閃存的研發(fā),并成功在2020年正式宣布研發(fā)成功,它是
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國產(chǎn)存儲芯片又取得突破,長江存儲192層閃存送樣,預(yù)計(jì)年底量產(chǎn)
- 頭一段時(shí)間,有媒體報(bào)道稱,長江存儲自主研發(fā)的192層3D NAND閃存已經(jīng)送樣,預(yù)計(jì)年底實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)。長江存儲一直是我們優(yōu)秀的國產(chǎn)存儲芯片企業(yè),從成立之初便保持了一個(gè)高速的發(fā)展?fàn)顟B(tài)。2016年成立,2017年便推出了32層NAND閃存。2019年,推出64層堆棧3D NAND閃存,并成功進(jìn)入了華為Mate40手機(jī)的供應(yīng)鏈。為了縮短與三星、SK海力士、鎧俠等行業(yè)大廠的差距,長江存儲跳過了96層,直接進(jìn)行了128層3D NAND 閃存的研發(fā),并在2020年正式宣布研發(fā)成功,它是業(yè)內(nèi)首款128層QLC規(guī)格的3D N
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美光針對數(shù)據(jù)中心推出業(yè)界首款基于 176 層 NAND 的SATA SSD
- 內(nèi)存和存儲解決方案領(lǐng)先供應(yīng)商 Micron Technology, Inc.(美光科技股份有限公司)近日宣布推出全球首款專為數(shù)據(jù)中心工作負(fù)載設(shè)計(jì)的基于 176 層 NAND 技術(shù)的SATA 固態(tài)硬盤 (SSD)。美光 5400 SATA SSD 是目前最先進(jìn)的數(shù)據(jù)中心 SATA SSD產(chǎn)品,采用久經(jīng)考驗(yàn)的第 11 代 SATA 架構(gòu),支持廣范的應(yīng)用場景,提供相比傳統(tǒng)機(jī)械硬盤 (HDD) 顯著提升的性能,并延長了 SATA 平臺的使用壽命。美光副總裁暨數(shù)據(jù)中心存儲產(chǎn)品總經(jīng)理 Alvaro Toledo 表示
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SK海力士首次公開與Solidigm的“合作產(chǎn)品”
- “獨(dú)立子公司成立僅三個(gè)月,兩家公司在事業(yè)上的合作全面開始”SK海力士和Solidigm首次公開了結(jié)合SK海力士128層NAND閃存與Solidigm的SSD控制器和固件的合作產(chǎn)品。SK海力士和Solidigm將繼續(xù)優(yōu)化兩家公司的運(yùn)營,以創(chuàng)造協(xié)同效應(yīng)和合作伙伴關(guān)系。加州圣何塞和南韓首爾2022年4月5日 /美通社/ -- SK海力士和Solidigm(或“公司”, www.skhynix.com)今日首次公開了兩家公司共同開發(fā)的新企業(yè)級SSD(eSSD)產(chǎn)品-P5530。Solidigm是SK海力士在去年年
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針對勒索軟件與網(wǎng)絡(luò)攻擊 IBM打造新一代儲存產(chǎn)品
- IBM發(fā)布下一代閃存產(chǎn)品,瞄準(zhǔn)日益嚴(yán)峻的勒索軟件和其他網(wǎng)絡(luò)攻擊。 IBM FlashSystem Cyber Vault旨在幫助企業(yè)更快速地檢測勒索軟件和其他網(wǎng)絡(luò)攻擊并從中恢復(fù);而建基于 IBM Spectrum Virtualize 的全新 FlashSystem 存儲模型能夠提供單一且一致的操作環(huán)境,旨在提高混合云環(huán)境下的網(wǎng)絡(luò)復(fù)原力和應(yīng)用程序性能。 IBM 推出下一代儲存產(chǎn)品,瞄準(zhǔn)勒索軟件及其他網(wǎng)絡(luò)攻擊根據(jù)IBM網(wǎng)絡(luò)彈性機(jī)構(gòu)的研究,46%的受訪者表示在過去兩年中經(jīng)歷了勒索軟件攻擊。隨著網(wǎng)絡(luò)攻
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TrendForce:三星NAND Flash生產(chǎn)不受西安封城影響
- 中國西安正受疫情影響而封城,目前尚無法預(yù)期解封時(shí)間,根據(jù)TrendForce調(diào)查,由于三星(Samsung)在當(dāng)?shù)卦O(shè)有兩座大型工廠,均用以制造3D NAND高層數(shù)產(chǎn)品,投片量占該公司NAND Flash產(chǎn)能達(dá)42.3%,占全球亦達(dá)15.3%,現(xiàn)下封城措施并未影響該工廠的正常營運(yùn)。然而,當(dāng)?shù)胤獬谴胧﹪?yán)格管控人流及物流,盡管2021年底至2022年一月中以前的出貨多已經(jīng)安排妥適,但無法排除接下來因物流延遲出貨的可能,這將可能對采購端的物料安排造成影響。此外,該公司的原物料進(jìn)貨也有可能受到物流受阻而延遲,但三星
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筆記本電腦與手機(jī)火熱 2021年第一季NAND Flash總營收季增5.1%
- 根據(jù)TrendForce表示,2021年第一季NAND Flash產(chǎn)業(yè)總營收達(dá)148.2億美元,季增5.1%,其中位出貨量成長11%,大致抵消平均銷售單價(jià)下跌5%帶來的影響。在議價(jià)時(shí),需求端雖受惠于筆電、智能型手機(jī)需求強(qiáng)勁,但數(shù)據(jù)中心市場需求仍屬疲弱,市場尚未脫離供過于求的狀態(tài),各類產(chǎn)品合約價(jià)仍呈現(xiàn)明顯下跌。然而,OEM/ODM采購開始留意到NAND Flash控制器缺貨沖擊中低容量產(chǎn)品供給,自今年一月下旬便開始增加訂單,一方面避免陷入缺貨風(fēng)險(xiǎn),也希望在料況無虞的情況下,策略性擴(kuò)大市占,使得第一季NAND
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美光專家對176層NAND的解答
- 2020 年11 月,美光科技宣布出貨全球首款176 層NAND,實(shí)現(xiàn)閃存性能和密度的重大突破(如圖1)。為此,《電子產(chǎn)品世界》采訪了該公司工藝集成技術(shù)開發(fā)高級總監(jiān)Kunal Parekh 和NAND 組件產(chǎn)品線高級經(jīng)理KevinKilbuck。問:176 層產(chǎn)品目前用于哪些應(yīng)用?Kevin Kilbuck:我們Crucial英睿達(dá)品牌的某些消費(fèi)類固態(tài)硬盤采用了176 層NAND,已經(jīng)開始出貨。問: 新的176 層NAND 如何解決產(chǎn)量挑戰(zhàn)?如何解決層間干擾?Kunal Parekh: 通過嚴(yán)格的試驗(yàn)和測
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2021年DRAM與NAND增長快,美光領(lǐng)跑研發(fā)與新技術(shù)
- 近日,美光在業(yè)界率先推出 1α DRAM 制程技術(shù)。值此機(jī)會,該公司舉辦了線上媒體溝通會,執(zhí)行副總裁兼首席商務(wù)官Sumit Sadana 先生介紹了對DRAM、NAND的市場預(yù)測,以及美光的研發(fā)、資本支出、產(chǎn)品布局等。執(zhí)行副總裁兼首席商務(wù)官Sumit Sadana1? ?2021年DRAM和NAND將增長19%展望2021年,全球GDP增長約5%。而根據(jù)不同分析師的預(yù)測,半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)預(yù)計(jì)增長可達(dá)12%,整個(gè)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的產(chǎn)值將達(dá)5020億美元。其中,內(nèi)存與存儲預(yù)計(jì)增長可達(dá)19%,增度遠(yuǎn)超整
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美光科技:DRAM芯片供應(yīng)緊張將持續(xù)數(shù)年,NAND產(chǎn)能今年保持穩(wěn)定
- 存儲芯片大廠美光(Micron)執(zhí)行副總裁兼事業(yè)長Sumit Sadana近日接受采訪表示,2020年汽車電子和智能型手機(jī)需求因新冠肺炎疫情而衰退,今年顯現(xiàn)明顯復(fù)蘇,并帶動存儲器需求增長。目前主要有兩種存儲器產(chǎn)品,一種是DRAM(動態(tài)隨機(jī)存儲器),用于緩存,另一種是NAND Flash(閃存),用于數(shù)據(jù)的存儲。在DRAM領(lǐng)域,韓國三星、海力士、美國美光三家企業(yè)把控了全球主要市場份額。NAND Flash市場則由三星、凱俠、西部數(shù)據(jù)、美光和NAND Flash瓜分。Sumit Sadana稱,預(yù)期今
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歡迎您創(chuàng)建該詞條,闡述對v-nand的理解,并與今后在此搜索v-nand的朋友們分享。 創(chuàng)建詞條
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