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英飛凌旗下IR HiRel公司助力NASA毅力號火星探測車創(chuàng)造新里程碑

  • 美國國家航空航天局(NASA) 噴氣推進實驗室于7月30日將毅力號 (Perseverance) 探測車送上了太空，展開火星探測之旅。這輛探測車預(yù)計將于 2021 年 2 月在火星著陸。英飛凌科技股份公司 旗下的企業(yè)IR HiRel，為該探測車提供了數(shù)千個經(jīng)過抗輻射強化 (Rad Hard) 的關(guān)鍵組件。這是該公司電力電子組件第五次登上 NASA 的火星探測車。IR HiRel曾相繼為 1997 年的索杰納號 (Sojourner)、 2004 年的機遇號 (Opportunity) 和勇氣號 (Spir
  • 關(guān)鍵字： MOSFET  IC  NASA  IR  

5A、3.3V和5V電源符合嚴格的EMI輻射標(biāo)準

  • 嚴苛的汽車和工業(yè)環(huán)境中的噪聲敏感型應(yīng)用需要適用于狹小空間的低噪聲、高效率降壓穩(wěn)壓器。通常會選擇內(nèi)置MOSFET功率開關(guān)的單片式降壓穩(wěn)壓器，與傳統(tǒng)控制器IC和外部MOSFET相比，這種整體解決方案的尺寸相對較小?？稍诟哳l率（遠高于AM頻段的2 MHz范圍內(nèi)）下工作的單片式穩(wěn)壓器也有助于減小外部元件的尺寸。此外，如果穩(wěn)壓器的最小導(dǎo)通時間(TON)較低，則無需中間穩(wěn)壓，可直接在較高的電壓軌上工作，從而節(jié)約空間并降低復(fù)雜性。減少最小導(dǎo)通時間需要快速開關(guān)邊沿和最小死區(qū)時間控制，以有效減少開關(guān)損耗并支持高開關(guān)頻率操作
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GaN 器件的直接驅(qū)動配置

  • 受益于集成器件保護，直接驅(qū)動GaN器件可實現(xiàn)更高的開關(guān)電源效率和更佳的系統(tǒng)級可靠性。高電壓（600V）氮化鎵（GaN）高電子遷移率晶體管（HEMT）的開關(guān)特性可實現(xiàn)提高開關(guān)模式電源效率和密度的新型拓撲。GaN具有低寄生電容（Ciss、Coss、Crss）和無第三象限反向恢復(fù)的特點。這些特性可實現(xiàn)諸如圖騰柱無橋功率因數(shù)控制器（PFC）等較高頻率的硬開關(guān)拓撲。由于它們的高開關(guān)損耗，MOSFET和絕緣柵雙極晶體管（IGBT）實現(xiàn)此類拓撲。本文中，我們將重點介紹直接驅(qū)動GaN晶體管的優(yōu)點，包括更低的開關(guān)損耗、更佳
  • 關(guān)鍵字： MOSFET  HEMT  GaN  PFC  IGBT  IC  

PFC電路MOS管應(yīng)用電路振蕩問題分析

  • 本文介紹了傳統(tǒng)PFC電路MOS管在應(yīng)用過程中產(chǎn)生振蕩的機理，通過具體的案例詳細分析了因MOS振蕩引起損壞的原因，并結(jié)合實際應(yīng)用給出具體的解決措施和方案，通過實驗及大批量的生產(chǎn)驗證表明，措施有效，穩(wěn)定且可靠，對PFC電路MOS管應(yīng)用電路及參數(shù)匹配具有重要的借鑒和參考意義。
  • 關(guān)鍵字： 202008  PFC電路  MOS管  振蕩  MOSFET  202008  

超結(jié)結(jié)構(gòu)的功率MOSFET輸出電容特性

  • 本文主要分析了超結(jié)結(jié)構(gòu)的功率MOSFET的輸出電容以及非線性特性的表現(xiàn)形態(tài)，探討了內(nèi)部P柱形成耗盡層及橫向電場過程中，耗盡層形態(tài)和輸出電容變化的關(guān)系，最后討論了新一代超結(jié)技術(shù)工藝采用更小晶胞單元尺寸，更低輸出電容轉(zhuǎn)折點電壓，降低開關(guān)損耗，同時產(chǎn)生非常大的du/dt和di/dt，對系統(tǒng)EMI產(chǎn)生影響。
  • 關(guān)鍵字： 202008  功率  MOSFET  超結(jié)結(jié)構(gòu)  輸出電容  橫向電場  

LED手術(shù)無影燈調(diào)光電路的設(shè)計及應(yīng)用

  • 本文介紹了一款基于LM3404的LED手術(shù)無影燈恒流驅(qū)動調(diào)光電路，詳細論述了調(diào)光電路的硬件和軟件方案的設(shè)計及實測效果。電路采用單片機MSP430F1232控制LED驅(qū)動模塊，集成調(diào)光控制模塊，可實現(xiàn)對大功率LED手術(shù)無影燈進行無極調(diào)光的功能，并且含有參數(shù)記憶模式，具有智能化、精度高、穩(wěn)定性強等優(yōu)點，大大提高了LED手術(shù)無影燈的使用性能。
  • 關(guān)鍵字： 202008  LED手術(shù)無影燈  單片機  LM3404  調(diào)光控制  MOSFET  

安森美半導(dǎo)體的碳化硅(SiC)功率模塊 將支持臺達的太陽能光伏逆變器

  • 推動高能效創(chuàng)新的安森美半導(dǎo)體(ON Semiconductor)，推出一款適用于?太陽能逆變器應(yīng)用?的?全SiC功率模塊?，該產(chǎn)品已被全球領(lǐng)先的電源和熱管理方案供應(yīng)商臺達選用，用于支持其M70A三相光伏組串逆變器。?NXH40B120MNQ系列全SiC功率模塊集成了一個1200 V、40 mΩ SiC MOSFET和具有雙升壓級的1200 V，40 A SiC升壓二極管。 SiC技術(shù)的使用提供了實現(xiàn)太陽能逆變器等應(yīng)用中所要求高能效水平所需的低反向恢復(fù)和快速
  • 關(guān)鍵字： MOSFET  SiC  PIM  光伏逆變器  

寬禁帶生態(tài)系統(tǒng)：快速開關(guān)和顛覆性的仿真環(huán)境

  • 寬禁帶?材料實現(xiàn)了較當(dāng)前硅基技術(shù)的飛躍。 它們的大帶隙導(dǎo)致較高的介電擊穿，從而降低了導(dǎo)通電阻(RSP)。 更高的電子飽和速度支持高頻設(shè)計和工作，降低的漏電流和更好的導(dǎo)熱性有助于高溫下的工作。安森美半導(dǎo)體提供圍繞寬禁帶方案的獨一無二的生態(tài)系統(tǒng)，包含從旨在提高強固性和速度的碳化硅(SiC)二極管、SiC MOSFET到 SiC MOSFET的高端IC門極驅(qū)動器。 除了硬件以外，我們還提供spice物理模型，幫助設(shè)計人員在仿真中實現(xiàn)其應(yīng)用性能，縮短昂貴的測試周期。我們的預(yù)測性離散建模可以進行系統(tǒng)級仿真
  • 關(guān)鍵字： IC  RDS(on)  CAD  MOSFET  SiC  MOS  

東芝面向車載應(yīng)用推出恒流2相步進電機驅(qū)動IC

  • 東芝電子元件及存儲裝置株式會社（“東芝”）今日宣布，面向車載應(yīng)用推出恒流2相步進電機驅(qū)動IC“TB9120AFTG”。新款I(lǐng)C僅使用一個簡單的時鐘輸入接口就能輸出正弦波電流，無需功能先進的MCU或?qū)Ｓ密浖B9120AFTG的開發(fā)是為了接替東芝于2019年推出的首款車載步進電機驅(qū)動IC“TB9120FTG”，它能提供更加優(yōu)異的抗噪聲性能。TB9120AFTG采用帶低導(dǎo)通電阻（上橋臂＋下橋臂＝0.8Ω（典型值））的DMOS FET，可實現(xiàn)的最大電流為1.5A[1]。DMOS FET和產(chǎn)生微步正弦波（最高可
  • 關(guān)鍵字： IC  QFN  MOSFET  

InnoSwitch3-AQ已通過Q100認證；可在30 V至550 V直流輸入下高效工作

  • 深耕于高壓集成電路高能效功率變換領(lǐng)域的知名公司Power Integrations 近日宣布?InnoSwitch?3-AQ?已經(jīng)開始量產(chǎn),這是一款已通過AEC-Q100認證的反激式開關(guān)IC,并且集成了750 V MOSFET和次級側(cè)檢測功能。新獲得認證的器件系列適用于電動汽車應(yīng)用,如牽引逆變器、OBC(車載充電機)、EMS(能源管理DC/DC母線變換器)和BMS(電池管理系統(tǒng))。?InnoSwitch3-AQ?采用Power Integrations的高速Flux
  • 關(guān)鍵字： OBC  BMS  EMS  MOSFET  IC  

英飛凌推出62mm CoolSiC?模塊，為碳化硅開辟新應(yīng)用領(lǐng)域

  • 英飛凌科技股份公司近日為其1200 V CoolSiC? MOSFET模塊系列新增了一款62mm工業(yè)標(biāo)準模塊封裝產(chǎn)品。它采用成熟的62mm器件半橋拓撲設(shè)計,以及溝槽柵芯片技術(shù),為碳化硅打開了250kW以上(硅IGBT技術(shù)在62mm封裝的功率密度極限)中等功率應(yīng)用的大門。在傳統(tǒng)62mm IGBT模塊基礎(chǔ)上,將碳化硅的應(yīng)用范圍擴展到了太陽能、服務(wù)器、儲能、電動汽車充電樁、牽引以及商用感應(yīng)電磁爐和功率轉(zhuǎn)換系統(tǒng)等。該62mm模塊配備了英飛凌的CoolSiC MOSFET芯片,可實現(xiàn)極高的電流密度。其極低的開關(guān)損耗
  • 關(guān)鍵字： MOSFET  TIM  IGBT  

高可靠性、節(jié)省空間的降壓/反激式開關(guān)IC適合400 VDC電動汽車應(yīng)用

  • 深耕于高壓集成電路高能效功率轉(zhuǎn)換領(lǐng)域的知名公司 Power Integrations 近日發(fā)布已通過AEC-Q100認證的新款?LinkSwitch?-TN2?開關(guān)IC，新器件適合降壓或非隔離反激式應(yīng)用。新款汽車級LinkSwitch-TN2 IC采用750 V集成MOSFET，可為連接到高壓母線的電動汽車子系統(tǒng)提供簡單可靠的電源，這些子系統(tǒng)包括HVAC、恒溫控制、電池管理、電池加熱器、DC-DC變換器和車載充電機系統(tǒng)。這種表面貼裝器件不需要散熱片，只需要很少的外圍元件，而且占用的PC
  • 關(guān)鍵字： IC  MOSFET  

瑞薩電子推出高可靠高性能100V半橋MOSFET驅(qū)動器

  • 全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體解決方案供應(yīng)商瑞薩電子集團近日宣布推出兩款全新100V半橋MOSFET驅(qū)動器——HIP2211和HIP2210。HIP2211是瑞薩電子備受歡迎的ISL2111橋驅(qū)動器的新一代引腳兼容升級產(chǎn)品；新款HIP2210提供三電平PWM輸入，以簡化電源和電機驅(qū)動器設(shè)計。HIP2211和HIP2210非常適用于48V通訊電源、D類音頻放大器、太陽能逆變器和UPS逆變器。該產(chǎn)品堅固耐用，可為鋰離子電池供電的家用和戶外產(chǎn)品、水泵及冷卻風(fēng)扇中的48V電機驅(qū)動器供電。HIP221x驅(qū)動器專為嚴苛工作條件下的
  • 關(guān)鍵字： MOSFET  UPS  PWM  

自有技術(shù)加持，安世新一代GaN助力工業(yè)汽車應(yīng)用

  • 寬禁帶半導(dǎo)體特別是GaN和SiC這兩年成為整個功率器件材料關(guān)注的焦點，由于GaN具有寬禁帶寬度、高擊穿電場、高熱導(dǎo)率、高電子飽和速率及更高的抗輻射能力，因而更適合于......
  • 關(guān)鍵字： 安世  GaN  MOSFET  

ROHM開發(fā)出業(yè)界先進的第4代低導(dǎo)通電阻SiC MOSFET

  • 全球知名半導(dǎo)體制造商ROHM（總部位于日本京都市）開發(fā)出“1200V 第4代SiC MOSFET※1”，非常適用于包括主機逆變器在內(nèi)的車載動力總成系統(tǒng)和工業(yè)設(shè)備的電源。對于功率半導(dǎo)體來說，當(dāng)導(dǎo)通電阻降低時短路耐受時間※2就會縮短，兩者之間存在著矛盾權(quán)衡關(guān)系，因此在降低SiC MOSFET的導(dǎo)通電阻時，如何兼顧短路耐受時間一直是一個挑戰(zhàn)。此次開發(fā)的新產(chǎn)品，通過進一步改進ROHM獨有的雙溝槽結(jié)構(gòu)※3，改善了二者之間的矛盾權(quán)衡關(guān)系，與以往產(chǎn)品相比，在不犧牲短路耐受時間的前提下成功地將單位面積的導(dǎo)通電阻降低了約4
  • 關(guān)鍵字： EV  OBC  MOSFET  
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