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缺貨緩解待看12寸產(chǎn)能 國產(chǎn)MOSFET持續(xù)主導(dǎo)消費類市場

  • 　　MOSFET漲價何時能得到緩解?深圳市拓鋒半導(dǎo)體科技有限公司總經(jīng)理陳金松表示可能要到2018年第四個季度，等國內(nèi)的12寸晶圓量產(chǎn)之后，將8寸的產(chǎn)能騰出來，才有可能緩解。同時要看封測廠的“吞吐力”是否足以化解8寸產(chǎn)能的釋放，如果封測廠商難以消化這么大的產(chǎn)能，漲價仍會持續(xù)，只是幅度不會像今年這么大了。“明年我們自己的封裝廠將擴產(chǎn)，預(yù)計2018年6月可正式投產(chǎn)，擴產(chǎn)后的產(chǎn)能可多出一倍，每月達2億只左右。”陳金松說。 　　MOSFET作為應(yīng)用廣泛的基礎(chǔ)類元器件
  • 關(guān)鍵字： MOSFET  DFN  

600 V CoolMOS? CFD7 SJ MOSFET將性能提升到全新水準

  • 　　017年11月24日，德國慕尼黑訊—憑借600 V CoolMOSCFD7，英飛凌科技股份公司推出最新的高壓超結(jié)MOSFET技術(shù)。該600 V CoolMOS CFD7是CoolMOS 7系列的新成員。這款全新MOSFET滿足了高功率SMPS市場對諧振拓撲的需求。它的LLC和ZVS PSFB等軟開關(guān)拓撲具備業(yè)內(nèi)領(lǐng)先的效率和可靠性。這使其非常適合服務(wù)器、電信設(shè)備電源和 電動汽車充電站等高功率SMPS應(yīng)用?！　?nbsp;&n
  • 關(guān)鍵字： 英飛凌  MOSFET  

缺貨緩解待看12寸產(chǎn)能 國產(chǎn)MOSFET持續(xù)主導(dǎo)消費類市場

  • 　　MOSFET漲價何時能得到緩解?深圳市拓鋒半導(dǎo)體科技有限公司總經(jīng)理陳金松表示可能要到2018年第四個季度，等國內(nèi)的12寸晶圓量產(chǎn)之后，將8寸的產(chǎn)能騰出來，才有可能緩解。同時要看封測廠的“吞吐力”是否足以化解8寸產(chǎn)能的釋放，如果封測廠商難以消化這么大的產(chǎn)能，漲價仍會持續(xù)，只是幅度不會像今年這么大了。“明年我們自己的封裝廠將擴產(chǎn)，預(yù)計2018年6月可正式投產(chǎn)，擴產(chǎn)后的產(chǎn)能可多出一倍，每月達2億只左右。”陳金松說。 　　MOSFET作為應(yīng)用廣泛的基礎(chǔ)類元器件
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功率因數(shù)校正最佳策略：如何選取合適的MOSFET？

  • 功率因數(shù)校正最佳策略：如何選取合適的MOSFET？-近年來，隨著汽車、通信、能源、綠色工業(yè)等大量使用MOSFET的 行業(yè)的快速發(fā)展，功率MOSFET備受關(guān)注。
  • 關(guān)鍵字： MOSFET  功率因數(shù)  Vishay  

MOSFET芯片產(chǎn)能轉(zhuǎn)至車用電子 供貨緊張

  • 　　面對國際IDM大廠將旗下MOSFET芯片產(chǎn)能大量移轉(zhuǎn)到車用電子領(lǐng)域，并開始采取限量供應(yīng)MOSFET芯片給PC、NB及移動裝置產(chǎn)品客戶的情形，大中、富鼎、尼克森等臺系MOSFET芯片三雄不僅2017年第3季終于有像樣的營收成長力道，客戶追加訂單的盛況更是前所未見。雖然第4季全球PC及NB市場需求照理說會開始下滑，但在英特爾(Intel)、AMD新款CPU平臺需增加3~5顆MOSFET芯片，加上客戶對于MOSFET芯片供需吃緊的議題抱持高度關(guān)注態(tài)度，臺系MOSFET芯片供應(yīng)商多已表達淡季不淡的樂觀預(yù)期看法
  • 關(guān)鍵字： MOSFET  芯片  

MOS芯片缺貨潮2019年有望緩解 應(yīng)用端提升8寸產(chǎn)線成主力

  • 　　以MLCC為代表的被動元件在進入第三季度后，受產(chǎn)能供需吃緊影響，價格大漲，部分物料漲幅甚至超過10倍。而與被動元件市場行情相似的MOSFET芯片也出現(xiàn)缺貨潮，導(dǎo)致價格上漲，即便是在溢價20%的基礎(chǔ)上新增訂單，供應(yīng)商仍難交出貨來。更嚴重的是，MOSFET芯片市場缺貨潮短期內(nèi)將難以緩解，保守估計到2019年局面才能改觀。 　　據(jù)IHS數(shù)據(jù)顯示，2016年MOSFET芯片市場總規(guī)模為205億美元，2017年預(yù)計將增長到220億美元。MOSFET芯片可廣泛應(yīng)用于消費類電子、電動汽車以及IIoT等領(lǐng)域，杭州士
  • 關(guān)鍵字： MOSFET  MLCC  

如何確保MOS管工作在安全區(qū)

  • 　　電源工程師最怕什么?炸機!用著用著就壞了，莫名其妙MOS管就炸了，真是又怕又恨，可到底是哪里出問題了呢?這一切都和SOA相關(guān)。　　我們知道開關(guān)電源中MOSFET、 IGBT是最核心也是最容易燒壞的器件。開關(guān)器件長期工作于高電壓大電流狀態(tài)，承受著很大的功耗，一但過壓或過流就會導(dǎo)致功耗大增，晶圓結(jié)溫急劇上升，如果散熱不及時，就會導(dǎo)致器件損壞，甚至可能會伴隨爆炸，非常危險。這里就衍生一個概念，安全工作區(qū)?！　∫?、什么是安全工作區(qū)?　　安全工作區(qū)：SOA(Safe operating&nb
  • 關(guān)鍵字： MOSFET  IGBT  

精華！兼容路創(chuàng)和Leviton調(diào)光器的LED燈絲燈解決方案

  • 精華！兼容路創(chuàng)和Leviton調(diào)光器的LED燈絲燈解決方案-晶豐明源BP3216燈絲燈可控硅調(diào)光方案解決三大LED燈絲燈調(diào)光難題，BP3216內(nèi)部集成MOSFET，體積小，特別適合燈絲燈的應(yīng)用；采用源極驅(qū)動，DCMB的控制方式，沒有二極管反向恢復(fù)，開關(guān)損耗小。P3216系列芯片內(nèi)部集成不同耐壓的MOSFET，可以滿足不同功率輸出的要求。
  • 關(guān)鍵字： MOSFET  可控硅調(diào)光  LED燈絲燈  

導(dǎo)入柵極屏蔽結(jié)構(gòu)　溝槽式MOSFET功耗銳減

  • 導(dǎo)入柵極屏蔽結(jié)構(gòu)　溝槽式MOSFET功耗銳減-更高系統(tǒng)效率和功率密度，是現(xiàn)今數(shù)據(jù)和電信電源系統(tǒng)設(shè)計的首要目標(biāo)。為達此一目的，半導(dǎo)體開發(fā)商研發(fā)出采用柵極屏蔽結(jié)構(gòu)的新一代溝槽式金屬氧化物半導(dǎo)體場效電晶體（MOSFET），可顯著降低全負載及輕負載時的功率損耗。
  • 關(guān)鍵字： MOSFET  柵極屏蔽  快捷半導(dǎo)體  

為反向極性保護設(shè)計一個電路

  • 為反向極性保護設(shè)計一個電路-反向極性解決方案被看成是一個迫不得已、不得不做的事情。例如，在汽車系統(tǒng)中，搭線啟動期間，防止電池反接或者電纜反向連接很重要，然而系統(tǒng)設(shè)計人員也必須忍受反向極性保護出現(xiàn)時的功率損耗。
  • 關(guān)鍵字： 汽車電池  反向極性保護  二極管  MOSFET  

有刷直流柵極驅(qū)動器的演變

  • 有刷直流柵極驅(qū)動器的演變-回望在電子產(chǎn)品領(lǐng)域奮戰(zhàn)的20年，我們已走過了漫漫長路。2015年正發(fā)布的組件具有無與倫比的精細度和集成度。處理器速度更快，發(fā)光二極管（LED）亮度更高，存儲器密度更大，每樣?xùn)|西的功耗都更低，并且集成電路（IC）集成了比以往任何時候都多的組件。
  • 關(guān)鍵字： MOSFET  柵極驅(qū)動器  集成電路  

模塊電源的散熱應(yīng)對措施

  • 模塊電源的散熱應(yīng)對措施- 本篇文章以實例為基準，分析一個設(shè)計方案中的模塊電源散熱問題。本文的中的模塊采用100W，Vin24VVout5V，采用單管正激電路，使用的是UC3843B芯片控制，沒有采用有源嵌位和同步整流，工作頻率為300KHZ。
  • 關(guān)鍵字： MOSFET  二極管  模塊電源  

基于MPS芯片的系統(tǒng)電源解決方案

  • 基于MPS芯片的系統(tǒng)電源解決方案-隔離電源模塊可以高效解決各種端口干擾，開關(guān)芯片轉(zhuǎn)換出各種系統(tǒng)所需電壓，LDO給MCU處理器提供穩(wěn)定可靠的電能。電源模塊與芯片方案需要互助互補，各取所長才能共建一個良好的系統(tǒng)供電環(huán)境，同時開啟它們的共贏之路。
  • 關(guān)鍵字： MPS模塊  MOSFET  LDO  DC-DC  

Littelfuse首款碳化硅MOSFET可在電力電子應(yīng)用中實現(xiàn)超高速切換

  • 　　Littelfuse, Inc.，作為全球電路保護領(lǐng)域的領(lǐng)先企業(yè)，今日宣布推出了首個碳化硅(SiC)MOSFET產(chǎn)品系列，成為該公司不斷擴充的功率半導(dǎo)體產(chǎn)品組合中的最新系列。 Littelfuse在3月份投資享有盛譽的碳化硅技術(shù)開發(fā)公司Monolith Semiconductor Inc.，向成為功率半導(dǎo)體行業(yè)的領(lǐng)軍企業(yè)再邁出堅定一步。LSIC1MO120E0080系列具有1200V額定功率和超低導(dǎo)通電阻(80m?)，是雙方聯(lián)手推出的首款由內(nèi)部設(shè)計、開發(fā)和生產(chǎn)的
  • 關(guān)鍵字： Littelfuse  MOSFET  
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