博客專欄

EEPW首頁 > 博客 > 晶圓代工,成熟制程非常不妙

晶圓代工,成熟制程非常不妙

發(fā)布人:旺材芯片 時間:2023-10-06 來源:工程師 發(fā)布文章

研調機構集邦科技(TrendForce)最新報告示警,受庫存問題、旺季拉貨效應未發(fā)酵、車用與工控芯片不再短缺、德儀與英飛凌等大廠削價/砍單,及整合元件廠(IDM)自有新產能開出等五大利空沖擊,晶圓代工成熟制程市況不妙,部分業(yè)者本季與下季恐面臨產能利用率五成保衛(wèi)戰(zhàn)。


針對研究機構預測的議題,臺積電、世界先進昨(4)日均表示對此無評論。臺積電強調,對市場需求的看法與展望,將以10月19日法說會公布內容為準,目前無訊息可提供。


聯電則表示,目前維持先前法說會上釋出觀點,預期第3季整體產能利用率落在64%至66%,8吋廠會高于平均值,12吋則低于平均值。力積電則抱持不同看法,認為現在產業(yè)已筑底成形,當前來看不少應用陸續(xù)回溫,該公司產能利用率將上揚。


集邦在昨天發(fā)布的最新報告指出,由于半導體產業(yè)復蘇腳步緩慢,IC設計廠與IDM廠新增產能及庫存去化問題延續(xù),下半年8吋晶圓廠產能利用率持續(xù)下探、估僅50 %至60%,無論一線、二線或三線業(yè)者,表現均較上半年差。


就整體市況發(fā)展,集邦說明,原本需求較穩(wěn)健的日、歐系IDM廠于第3季進入庫存修正周期,恐使8吋廠產能利用率復蘇時間再度遞延。據悉,德國半導體大廠英飛凌近期基于庫存過高考量,著手向聯電、世界先進等委外代工廠砍單,沖擊世界先進第4季8吋廠產能利用率持續(xù)下滑,低迷的態(tài)勢恐延續(xù)到明年第1季。


另外,集邦點出,模擬IC大廠德儀在電源管理芯片報價展開積極策略,也正因其身為模擬IC龍頭與規(guī)模經濟,導致臺積電與世界先進的IC設計客戶都受影響。


集邦指出,就各家業(yè)者來看,大陸中芯國際與華虹集團8吋廠產能利用率平均表現較臺、韓業(yè)者略高,主要是大陸晶圓代工讓價態(tài)度與幅度較積極,以及大陸官方推動IC國產替代、本土化生產趨勢有關。


然而,盡管2023下半年各大晶圓代工廠都祭出讓價措施,但客戶普遍仍保守看待市況,備貨謹慎,加上沒有急單挹注,故此波降價對今年下半年的8吋廠產能利用率幫助有限。


集邦研判,晶圓代工成熟制程產能利用率要到明年下半年才會緩步回升,相較臺、韓業(yè)者,中芯國際、華虹集團8吋廠產能利用率復蘇狀況將較產業(yè)平均快,2024年8吋廠平均產能利用率預估約60%至70%,仍難回到過往滿載水準。


晶圓代工廠多元布局 等待需求復蘇


臺積電、世界、聯電、力積電等晶圓代工廠在成熟制程需求疲弱度小月之際,相關廠商積極推進技術進程,并布局車用和第三類半導體利基市場,持續(xù)強化競爭力,待景氣好轉,將能在第一時間取得先機。


臺積電在成熟制程鎖定特殊制程發(fā)展,8吋并非主力制程。業(yè)界觀察,臺積電8吋廠提供BCD特殊技術仍有競爭優(yōu)勢。


世界先進也在去年底宣布,8吋0.35微米650 V的新基底高電壓氮化鎵制程(GaN-on-QST)已于客戶端完成首批產品系統(tǒng)及可靠性驗證,進入量產,為特殊集成電路制造服務領域首家量產此技術的公司。


世界指出,上述布局多時的氮化鎵(GaN)業(yè)務,今年邁入收割期。世界董事長方略認為,整體氮化鎵業(yè)務將可貢獻今年全年營收約低個位數百分比。


聯電搶攻電動車迅速普及商機,預期在車商致力尋求提高動力總成效率之余,也需要顧及電動車的成本效益,其中,絕緣閘極雙極性晶體管(IGBT)是逆變器開關的核心元件,負責將電池直流電轉換為交流電,以驅動和控制電動車電動機,看好電池和充電式電動車比傳統(tǒng)汽車需要更多IGBT。


聯電并對外廣結盟,獲得成效。今年第2季旗下日本子公司USJC與日商DENSO合作生產的IGBT,已在USJC的12吋晶圓廠進入量產,后續(xù)在市場趨勢起飛時,產能有望跟著放量。


力積電搶食AI大餅,正開發(fā)高速運算芯片所需的存儲器晶圓堆棧技術,客戶非常感興趣。

來源:半導體行業(yè)觀察


-End-


*博客內容為網友個人發(fā)布,僅代表博主個人觀點,如有侵權請聯系工作人員刪除。



關鍵詞: 晶圓代工

相關推薦

技術專區(qū)

關閉