晶圓代工,成熟制程非常不妙
研調(diào)機(jī)構(gòu)集邦科技(TrendForce)最新報告示警,受庫存問題、旺季拉貨效應(yīng)未發(fā)酵、車用與工控芯片不再短缺、德儀與英飛凌等大廠削價/砍單,及整合元件廠(IDM)自有新產(chǎn)能開出等五大利空沖擊,晶圓代工成熟制程市況不妙,部分業(yè)者本季與下季恐面臨產(chǎn)能利用率五成保衛(wèi)戰(zhàn)。
針對研究機(jī)構(gòu)預(yù)測的議題,臺積電、世界先進(jìn)昨(4)日均表示對此無評論。臺積電強調(diào),對市場需求的看法與展望,將以10月19日法說會公布內(nèi)容為準(zhǔn),目前無訊息可提供。
聯(lián)電則表示,目前維持先前法說會上釋出觀點,預(yù)期第3季整體產(chǎn)能利用率落在64%至66%,8吋廠會高于平均值,12吋則低于平均值。力積電則抱持不同看法,認(rèn)為現(xiàn)在產(chǎn)業(yè)已筑底成形,當(dāng)前來看不少應(yīng)用陸續(xù)回溫,該公司產(chǎn)能利用率將上揚。
集邦在昨天發(fā)布的最新報告指出,由于半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)復(fù)蘇腳步緩慢,IC設(shè)計廠與IDM廠新增產(chǎn)能及庫存去化問題延續(xù),下半年8吋晶圓廠產(chǎn)能利用率持續(xù)下探、估僅50 %至60%,無論一線、二線或三線業(yè)者,表現(xiàn)均較上半年差。
就整體市況發(fā)展,集邦說明,原本需求較穩(wěn)健的日、歐系IDM廠于第3季進(jìn)入庫存修正周期,恐使8吋廠產(chǎn)能利用率復(fù)蘇時間再度遞延。據(jù)悉,德國半導(dǎo)體大廠英飛凌近期基于庫存過高考量,著手向聯(lián)電、世界先進(jìn)等委外代工廠砍單,沖擊世界先進(jìn)第4季8吋廠產(chǎn)能利用率持續(xù)下滑,低迷的態(tài)勢恐延續(xù)到明年第1季。
另外,集邦點出,模擬IC大廠德儀在電源管理芯片報價展開積極策略,也正因其身為模擬IC龍頭與規(guī)模經(jīng)濟(jì),導(dǎo)致臺積電與世界先進(jìn)的IC設(shè)計客戶都受影響。
集邦指出,就各家業(yè)者來看,大陸中芯國際與華虹集團(tuán)8吋廠產(chǎn)能利用率平均表現(xiàn)較臺、韓業(yè)者略高,主要是大陸晶圓代工讓價態(tài)度與幅度較積極,以及大陸官方推動IC國產(chǎn)替代、本土化生產(chǎn)趨勢有關(guān)。
然而,盡管2023下半年各大晶圓代工廠都祭出讓價措施,但客戶普遍仍保守看待市況,備貨謹(jǐn)慎,加上沒有急單挹注,故此波降價對今年下半年的8吋廠產(chǎn)能利用率幫助有限。
集邦研判,晶圓代工成熟制程產(chǎn)能利用率要到明年下半年才會緩步回升,相較臺、韓業(yè)者,中芯國際、華虹集團(tuán)8吋廠產(chǎn)能利用率復(fù)蘇狀況將較產(chǎn)業(yè)平均快,2024年8吋廠平均產(chǎn)能利用率預(yù)估約60%至70%,仍難回到過往滿載水準(zhǔn)。
晶圓代工廠多元布局 等待需求復(fù)蘇
臺積電、世界、聯(lián)電、力積電等晶圓代工廠在成熟制程需求疲弱度小月之際,相關(guān)廠商積極推進(jìn)技術(shù)進(jìn)程,并布局車用和第三類半導(dǎo)體利基市場,持續(xù)強化競爭力,待景氣好轉(zhuǎn),將能在第一時間取得先機(jī)。
臺積電在成熟制程鎖定特殊制程發(fā)展,8吋并非主力制程。業(yè)界觀察,臺積電8吋廠提供BCD特殊技術(shù)仍有競爭優(yōu)勢。
世界先進(jìn)也在去年底宣布,8吋0.35微米650 V的新基底高電壓氮化鎵制程(GaN-on-QST)已于客戶端完成首批產(chǎn)品系統(tǒng)及可靠性驗證,進(jìn)入量產(chǎn),為特殊集成電路制造服務(wù)領(lǐng)域首家量產(chǎn)此技術(shù)的公司。
世界指出,上述布局多時的氮化鎵(GaN)業(yè)務(wù),今年邁入收割期。世界董事長方略認(rèn)為,整體氮化鎵業(yè)務(wù)將可貢獻(xiàn)今年全年營收約低個位數(shù)百分比。
聯(lián)電搶攻電動車迅速普及商機(jī),預(yù)期在車商致力尋求提高動力總成效率之余,也需要顧及電動車的成本效益,其中,絕緣閘極雙極性晶體管(IGBT)是逆變器開關(guān)的核心元件,負(fù)責(zé)將電池直流電轉(zhuǎn)換為交流電,以驅(qū)動和控制電動車電動機(jī),看好電池和充電式電動車比傳統(tǒng)汽車需要更多IGBT。
聯(lián)電并對外廣結(jié)盟,獲得成效。今年第2季旗下日本子公司USJC與日商DENSO合作生產(chǎn)的IGBT,已在USJC的12吋晶圓廠進(jìn)入量產(chǎn),后續(xù)在市場趨勢起飛時,產(chǎn)能有望跟著放量。
力積電搶食AI大餅,正開發(fā)高速運算芯片所需的存儲器晶圓堆棧技術(shù),客戶非常感興趣。
來源:半導(dǎo)體行業(yè)觀察-End-
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